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公开(公告)号:KR1020110131146A
公开(公告)日:2011-12-06
申请号:KR1020110106340
申请日:2011-10-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , G03F7/16
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/00 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , G03F7/16 , H01L21/0274
Abstract: PURPOSE: A coating and developing apparatus is provided to reduce the occupied area of a process block by arranging unit blocks while laminating a unit block for spreading drug solution for a reflection preventing film on a substrate and a unit block for spreading resist liquid. CONSTITUTION: A carrier block(S1) includes a placement board(21) which mounts a carrier(20) and a transfer arm(C). A process block(S2), which surrounds a frame body(24), is connected with the inside of the carrier block. The processing block is composed by vertically arranging five unit blocks. A main arm(A4) is arranged in a carrier range(R1). A shelf unit(U5) is arranged in a location where being accessed to the transfer arm and the main arm in a wafer accepting range(R2).
Abstract translation: 目的:提供一种涂覆和显影装置,用于通过布置单元块来降低处理块的占用面积,同时层压用于将基板上的反射防止膜的药物溶液铺展的单位块和用于铺展抗蚀剂液体的单位块。 构成:载体块(S1)包括安装载体(20)和传送臂(C)的放置板(21)。 围绕框体(24)的处理块(S2)与承载块的内部连接。 处理块由垂直排列的五个单位块构成。 主臂(A4)布置在载体范围(R1)中。 搁板单元(U5)布置在在晶片接受范围(R2)中被访问到传送臂和主臂的位置。
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公开(公告)号:KR1020060085190A
公开(公告)日:2006-07-26
申请号:KR1020060005978
申请日:2006-01-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/00 , H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , G03F7/70975 , G03F7/7075
Abstract: 본 발명은 도포 현상장치 및 그 방법에 관한 것으로서 처리 블럭 (S2)에 도포막 형성용의 단위 블럭인 TCT층 (B3) ; COT층 (B4); BCT층 (B5)와 현상 처리용의 단위 블럭인 DEV층 (B1 ; B2)를 서로 적층하여 설치한다. 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 경우에 있어서도 TCT층 (B3); COT층 (B4) ;BCT층 (B5) 중 사용하는 단위 블럭을 선택함으로써 대응할 수 있고 이 때 반송 프로그램의 복잡화를 억제하여 소프트웨어의 간이화를 도모 할 수 있다.
레지스트막 형성용의 단위 블럭과 반사 방지막 형성용의 단위 블럭을 적층해 설치하는 것으로 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 것에 있어 공간절약화를 도모하는 것과 또 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 것에도 대응하는 것이 가능하고 이 때 소프트웨어의 간이화를 도모하는 기술을 제공한다.Abstract translation: 本发明涉及一种涂布显影装置及其方法,其包括作为用于在处理块(S2)上形成涂膜的单位块的TCT层(B3); COT层B4; 作为用于显影处理的单位块的BCT层B5和DEV层B1(B2)彼此堆叠。 在TCT层B3中也包括形成防反射膜的情况和未形成防反射膜的情况; 可以通过从BCT层B5中选择要使用的单元块来应对COT层B4,在这种情况下,可以抑制传输程序的复杂性并且可以简化软件。
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公开(公告)号:KR101200155B1
公开(公告)日:2012-11-12
申请号:KR1020110106232
申请日:2011-10-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/00 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/6719
Abstract: 본 발명은 도포 현상장치 및 그 방법에 관한 것으로서 처리 블럭 (S2)에 도포막 형성용의 단위 블럭인 TCT층 (B3) ; COT층 (B4); BCT층 (B5)와 현상 처리용의 단위 블럭인 DEV층 (B1; B2)를 서로 적층하여 설치한다. 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 경우에 있어서도 TCT층 (B3); COT층 (B4) ; BCT층 (B5) 중 사용하는 단위 블럭을 선택함으로써 대응할 수 있고 이 때 반송 프로그램의 복잡화를 억제하여 소프트웨어의 간이화를 도모할 수 있다.
레지스트막 형성용의 단위 블럭과 반사 방지막 형성용의 단위 블럭을 적층해 설치하는 것으로 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 것에 있어 공간절약화를 도모하는 것과 또 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 것에도 대응하는 것이 가능하고 이 때 소프트웨어의 간이화를 도모하는 기술을 제공한다.-
公开(公告)号:KR1020110128766A
公开(公告)日:2011-11-30
申请号:KR1020110106232
申请日:2011-10-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/00 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/0273
Abstract: PURPOSE: A coating and developing apparatus and a substrate processing apparatus are provided to save a space by forming a reflection preventing layer on the top and bottom of a resist film. CONSTITUTION: A substrate(W) is carried by a carrier and is received in the processing block. The coating film including the resist film is formed in the processing block. The substrate is exposed by light through an interface which is connected to the opposite side of the carrier block against a corresponding processing block and is carried. The substrate, which returns through an interface block(S3) after being exposed by light, is developed in the processing block and received in the carrier block. The processing block includes a laminated unit block for forming a plurality of coating films and a laminated unit block for developing and processing.
Abstract translation: 目的:通过在抗蚀膜的顶部和底部形成反射防止层来提供涂覆和显影装置和基板处理装置以节省空间。 构成:衬底(W)由载体承载并被接收在处理块中。 在处理块中形成包括抗蚀剂膜的涂膜。 衬底通过接口暴露,该接口与载体块的相反侧相对于相应的处理块连接并被承载。 在光被曝光之后通过界面块(S3)返回的衬底在处理块中显影并被接收在载体块中。 处理块包括用于形成多个涂膜的层压单元块和用于显影和加工的层压单元块。
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公开(公告)号:KR1020060088495A
公开(公告)日:2006-08-04
申请号:KR1020060009384
申请日:2006-01-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/67745 , H01L21/67017 , H01L21/6715
Abstract: 본 발명은 도포 현상장치에 관한 것으로서 복수의 단위 블럭의 집합체로부터 되는 도포·현상 장치가 제공된다. 제 1의 단위 블럭 적층체와 제 2의 단위 블럭 적층체가 전후방향이 다른 위치에 배치된다. 노광 후의 현상 처리를 실시하는 현상 유니트를 포함한 복수의 처리 유니트 및 이들 유니트간의 기판의 반송을 실시하는 반송 수단을 구비한 현상용 단위 블럭이 최하단에 배치된다. 노광전의 도포 처리를 실시하는 도포 유니트를 포함한 복수의 처리 유니트 및 이들 유니트간의 기판의 반송을 실시하는 반송 수단을 구비한 도포용 단위 블럭은 현상용 단위 블럭 위에 배치된다. 도포용 단위 블럭은 제 1의 단위 블럭 적층체 및 제 2의 단위 블럭 적층체의 양쪽 모두에 배치된다. 반사 방지막과 레지스트막의 적층 위치 관계에 따라 도포·현상 장치내에 있어서 노광전의 웨이퍼나 경유하는 도포용 단위 블럭을 결정한다. 노광 후의 웨이퍼는 도포용 단위 블럭을 통과하는 일 없이 현상용 단위 블럭만을 통과하는 기술을 제공한다.
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公开(公告)号:KR1020000006406A
公开(公告)日:2000-01-25
申请号:KR1019990023902
申请日:1999-06-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67178 , B05C11/08 , G03F7/162 , G03F7/3021 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/67184
Abstract: PURPOSE: A multi-stage spin type substrate processing system deposits a photoresist on a substrate such as a semiconductor wafer, and develops the photoresist. CONSTITUTION: A multi-stage spin type processing system includes a multistage spin unit (9) having many sections(40), a main arm apparatus(24), a spin chuck(SC), a cup(CP), a common nozzle(52), a nozzle moving path(51), and a nozzle moving apparatus(53-55). The making arm apparatus includes a holder supporting a processed substrate, and a driving part which horizontally moves the holder, vertically moves the holder, and rotates around the vertical shaft. The spin chuck is installed to each section, supports the substrate by the main arm apparatus, and is spin-rotated. The cup encloses the spin chuck, and receives a processing liquid divided by a centrifugal force from the substrate, and discharges the liquid. The common nozzle provides the liquid toward the substrate. The nozzle moving path is installed along with the multistage spin unit, and is in association with each section, and moves the common nozzle. The nozzle moving apparatus moves the common nozzle.
Abstract translation: 目的:多级旋转型基板处理系统在诸如半导体晶片的基板上沉积光致抗蚀剂,并显影光致抗蚀剂。 构成:多级旋转式处理系统包括具有多个部分(40)的多级旋转单元(9),主臂装置(24),旋转卡盘(SC),杯(CP),公共喷嘴 52),喷嘴移动路径(51)和喷嘴移动装置(53-55)。 制动支架装置包括支撑处理过的基板的支架和水平移动支架的驱动部件,使支架垂直移动并围绕垂直轴线旋转。 旋转卡盘安装到每个部分,通过主臂装置支撑基板,并旋转旋转。 杯子包围旋转卡盘,并接收由离心力分离的处理液体,并从液体中排出。 公共喷嘴向液体提供液体。 喷嘴移动路径与多级旋转单元一起安装,并且与每个部分相关联并且移动公共喷嘴。 喷嘴移动装置移动公共喷嘴。
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公开(公告)号:KR101125340B1
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:KR1020110014021
申请日:2011-02-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/67745
Abstract: 본 발명은 도포 현상장치에 관한 것으로서 복수의 단위 블럭의 집합체로부터 되는 도포?현상 장치가 제공된다. 제 1의 단위 블럭 적층체와 제 2의 단위 블럭 적층체가 전후방향이 다른 위치에 배치된다. 노광 후의 현상 처리를 실시하는 현상 유니트를 포함한 복수의 처리 유니트 및 이들 유니트간의 기판의 반송을 실시하는 반송 수단을 구비한 현상용 단위 블럭이 최하단에 배치된다. 노광전의 도포 처리를 실시하는 도포 유니트를 포함한 복수의 처리 유니트 및 이들 유니트간의 기판의 반송을 실시하는 반송 수단을 구비한 도포용 단위 블럭은 현상용 단위 블럭 위에 배치된다. 도포용 단위 블럭은 제 1의 단위 블럭 적층체 및 제 2의 단위 블럭 적층체의 양쪽 모두에 배치된다. 반사 방지막과 레지스트막의 적층 위치 관계에 따라 도포?현상 장치내에 있어서 노광전의 웨이퍼나 경유하는 도포용 단위 블럭을 결정한다. 노광 후의 웨이퍼는 도포용 단위 블럭을 통과하는 일 없이 현상용 단위 블럭만을 통과하는 기술을 제공한다.
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公开(公告)号:KR101126865B1
公开(公告)日:2012-03-23
申请号:KR1020060005910
申请日:2006-01-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/00 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/6719
Abstract: 본 발명은 도포 현상장치 및 그 방법에 관한 것으로서 처리 블럭 (S2)에 도포막 형성용의 단위 블럭인 TCT층 (B3) ; COT층 (B4); BCT층 (B5)와 현상 처리용의 단위 블럭인 DEV층 (B1; B2)를 서로 적층하여 설치한다. 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 경우에 있어서도 TCT층 (B3); COT층 (B4) ; BCT층 (B5) 중 사용하는 단위 블럭을 선택함으로써 대응할 수 있고 이 때 반송 프로그램의 복잡화를 억제하여 소프트웨어의 간이화를 도모 할 수 있다.
레지스트막 형성용의 단위 블럭과 반사 방지막 형성용의 단위 블럭을 적층해 설치하는 것으로 레지스트막의 상하에 반사 방지막을 형성하는 것에 있어 공간절약화를 도모하는 것과 또 반사 방지막을 형성하는 경우 하지 않는 경우의 어느 것에도 대응하는 것이 가능하고 이 때 소프트웨어의 간이화를 도모하는 기술을 제공한다.Abstract translation: 本发明涉及一种涂布显影装置及其方法,其包括作为用于在处理块(S2)上形成涂膜的单位块的TCT层(B3); COT层B4; 作为用于显影处理的单位块的BCT层B5和DEV层B1(B2)彼此堆叠。 在TCT层B3中也包括形成防反射膜的情况和未形成防反射膜的情况; COT层B4; 通过选择在BCT层(B5)中使用的单位块响应,并且抑制传输程序的复杂性时,它能够实现软件的简化。
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公开(公告)号:KR101060368B1
公开(公告)日:2011-08-29
申请号:KR1020067013956
申请日:2004-11-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67173 , H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/67184
Abstract: 본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서 기판 처리 장치는 캐리어 재치부(21)상의 기판 캐리어 (C)의 사이에 기판의 수수를 실시하는 제1의 반송 수단(22)을 포함하는 캐리어 블럭(B1)과 이 캐리어 블럭(B1)에 인접하여 설치되고 제 2의 반송수단(23)을 구비한 반송 블럭(B2)과 제1의 반송 수단(22)과 제2의 반송 수단(23)의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제1의 수수 스테이지(24)와 반송 블럭(B2)에 대해서 탈착 자유롭게 설치되는 복수의 처리블럭(B3, B4)를 구비하고 있다. 처리 블럭(B3, B4)은 각 처리블럭 단위로 기판에 대해서 일련의 처리를 실시하고 있으므로 처리 블럭을 탈착에 의해 기판의 대폭적인 처리 매수의 증감에 대응할 수 있고 또 처리 블럭의 변경에 의해 다른 품종의 변경에 용이에 대응할 수 있다.기판의 처리 매수의 증감이나 품종의 변경에 용이하게 대응할 수 있는 기술을 제공한다.
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公开(公告)号:KR101058662B1
公开(公告)日:2011-08-22
申请号:KR1020067016445
申请日:2004-11-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67184 , H01L21/67276 , H01L21/67754
Abstract: A substrate transfer system to reduce total processing time by transferring a substrate at a first delivery stage to a process block where processing can be carried out earliest. The substrate processing apparatus includes a first transfer device delivering a wafer with respect to a substrate carrier, and a second transfer device delivering a wafer between a plurality of process blocks and the first transfer device via a first delivery stage, to transfer the wafer with respect to the process blocks. The process block where there is no wafer or where processing of the last wafer within the relevant process block will be completed earliest is determined based on processing information of the wafers from the process blocks, and the wafer of the first delivery stage is transferred by the second transfer device to the relevant process block. This ensures smooth transfer of the wafer to the process block.
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