公开(公告)号：KR1020130113351A

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：KR1020127034196

申请日：2011-06-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  호사카시게토시 ,  이토히토시

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C14/04

CPC classification number: B05D5/12 ,  C23C16/40 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L21/76876 ,  C23C14/046 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02554 ,  H01L2924/00

Abstract: 절연층이 표면에 형성된 피처리체에 대하여 성막 처리를 실시하는 성막 방법에 있어서, 제 1 금속으로 이루어지는 제 1 박막을 형성하는 제 1 박막 형성 공정과, 상기 제 1 박막을 산화하여 산화막을 형성하는 산화 공정과, 상기 산화막 위에 제 2 금속을 포함하는 제 2 박막을 형성하는 제 2 박막 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 성막 방법이다.

公开(公告)号：KR101237634B1

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：KR1020107011265

申请日：2008-12-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 군지이사오 ,  미요시히데노리 ,  이토히토시

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/448 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4488 ,  C23C18/08 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/288

Abstract: 본 발명의 성막 방법은, 2가의 카르복실산 금속염과 카르복실산을 반응시켜 1가의 카르복실산 금속염 가스를 생성하는 공정과, 기판(1) 상에 1가의 카르복실산 금속염 가스를 공급하여 1가의 카르복실산 금속염막(2)을 퇴적시키는 공정과, 1가의 카르복실산 금속염막(2)이 퇴적된 기판(1)에 에너지를 부여하여 1가의 카르복실산 금속염막(2)을 분해하고, 금속막(3)을 형성하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120025543A

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020117030618

申请日：2010-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시 ,  미요시히데노리 ,  호사카시게토시 ,  사토히로시 ,  네이시고지 ,  고이케주니치

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76867

Abstract: 오목부(2)를 갖는 low-k막으로 이루어지는 절연층(122)이 표면에 형성된 피처리체(W)에 Mn을 포함하는 홈막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 절연층의 표면에 친수화 처리를 실시해서 친수성의 표면으로 하는 친수화 공정과, 친수화 처리가 실행된 절연층의 표면에 Mn함유 원료를 이용해서 성막 처리를 실시하는 것에 의해 Mn을 포함하는 홈막을 형성하는 홈막 형성 공정을 갖는다. 이것에 의해, 비유전율이 낮은 low-k막으로 이루어지는 절연층의 표면에 Mn을 포함하는 홈막, 예를 들면, MnOx를 효율적으로 형성한다.

公开(公告)号：KR1020140009379A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：KR1020137024652

申请日：2012-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈마사히로 ,  이토히토시

IPC: H01L21/288 ,  H05K3/22

CPC classification number: B05D7/02 ,  H01B19/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6776 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0097 ,  H05K3/10 ,  H05K3/1283 ,  H05K2203/102 ,  Y02E10/549

Abstract: 플라스틱 기판 위에 막 성분을 포함하는 도포 조성물을 도포해서 도포막을 형성하고, 그 도포막에 전자파를 조사해서 도포막을 건조 및/또는 개질하고, 막을 형성한다. 막으로서는 도전체막, 반도체막, 유전체막을 들 수 있고, 도전체막을 형성할 때에는 금속 나노 입자를 포함하는 도포 조성물을 이용하고, 반도체막을 형성할 때에는 도포 조성물로서 유기 반도체 재료를 이용하며, 유전체막을 형성할 때에는 도포 조성물로서 유기 유전체 재료를 이용한다.

公开(公告)号：KR101317051B1

公开(公告)日：2013-10-11

申请号：KR1020120005921

申请日：2012-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드

Inventor： 군지이사오 ,  이자와유사쿠 ,  이토히토시 ,  우메자키도모노리 ,  다케다유타 ,  모리이사무

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 기판 처리 장치의 처리 챔버 내에 부착된 금속막을 제거하는 드라이 클리닝 방법은 상기 금속막을 산화해서 금속 산화물을 형성하는 공정과, 상기 금속 산화물과 β-디케톤을 반응시켜 착체를 형성하는 공정과, 상기 착체를 승화하는 공정을 포함한다. 상기 처리 챔버 내를 가열하면서, 산소와 β-디케톤을 포함하는 클리닝 가스를 상기 처리 챔버 내에 공급하고, 상기 클리닝 가스에 있어서의 β-디케톤에 대한 산소의 유량비를, 상기 금속 산화물의 형성 속도가 상기 착체의 형성 속도를 넘지 않는 범위로 한다.

公开(公告)号：KR1020120132553A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：KR1020127027017

申请日：2011-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이토히토시 ,  사토히로시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 성막 방법은 성막 장치(100)의 처리용기(1) 내에, 절연막이 마련된 웨이퍼(W)를 배치하는 공정과, 처리용기(1) 내에, TEOS 등의 실리콘 원자를 포함하는 화합물의 가스와 수증기 등의 OH기 공여성 가스를 공급하고, 상기 절연막의 표면에 Si-OH기를 형성시키는 표면 개질 공정과, 처리용기(1) 내에 망간함유 재료를 포함하는 성막 가스를 공급하고, CVD법에 의해 Si-OH기가 형성된 절연막의 표면에 망간함유막을 성막하는 성막 공정을 구비하고 있다. 표면 개질 공정에서는 실리콘 원자를 포함하는 화합물의 가스와, OH기 공여성 가스를, 처리 용기 내에 동시에 공급해도 좋고, 교대로 공급해도 좋다.

公开(公告)号：KR101153664B1

公开(公告)日：2012-06-18

申请号：KR1020097025463

申请日：2008-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시 ,  네이시고지 ,  고이케주니치

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: Mn 함유 원료 가스(또는 Mn 함유 원료 가스 및 Cu 함유 원료 가스)와 산소 함유 가스(예컨대, 수증기)를 처리가스로서 이용하여 피처리체의 표면에 열처리(CVD 또는 ALD)에 의해 Mn 함유 합금막 또는 CuMn 함유 금속 합금막을 형성한다. 이것에 의하면, 피처리체 표면에 형성된 미세한 오목부에 높은 스텝 커버리지로 Mn 함유 합금막 또는 CuMn 함유 금속 합금막을 형성하는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR101140476B1

公开(公告)日：2012-04-30

申请号：KR1020107001252

申请日：2008-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/7837 ,  Y10T137/8593

Abstract: 처리 가스 공급 시스템(2)은, 가스 사용 시스템(4)에 대하여 희석 가스에 의해 희석된 처리 가스를 공급한다. 처리 가스 공급 시스템(2)은 처리 가스 탱크(10)와, 희석 가스 탱크(12)와, 처리 가스 탱크(10)와 가스 사용 시스템(4)을 접속하는 주가스 통로(14)와, 희석 가스 탱크(12)를 주가스 통로에 접속하는 희석 가스 통로를 포함한다. 주가스 통로(14) 및 희석 가스 통로에는, 각각 유량 제어기(FC1, FC2, FC5)가 개재되어 있다. 희석 가스 통로는 복수의 유량 제어기 중 최하류측의 유량 제어기 이외의 유량 제어기의 바로 하류측에서 주가스 통로에 접속되어 있다. 유량 제어기 중 최상류측의 유량 제어기 이외의 유량 제어기의 바로 상류측에서 주가스 통로에 접속하고, 잉여 희석된 처리 가스를 배출하는 잉여 가스 배출 통로(24)가 더 설치되어 있다.

公开(公告)号：KR1020100072089A

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：KR1020107011265

申请日：2008-12-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 군지이사오 ,  미요시히데노리 ,  이토히토시

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/448 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4488 ,  C23C18/08 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/288

Abstract: Disclosed is a film forming method comprising a step of producing a monovalent metal carboxylate gas by reacting a divalent metal carboxylate with a carboxylic acid, a step of depositing a monovalent metal carboxylate film (2) on a substrate (1) by supplying the monovalent metal carboxylate gas thereto, and a step of forming a metal film (3) by providing the substrate (1), on which the monovalent metal carboxylate film (2) is deposited, with energy, thereby decomposing the monovalent metal carboxylate film (2).

Abstract translation: 公开了一种成膜方法，其包括通过使二价金属羧酸盐与羧酸反应制备一价金属羧酸盐气体的步骤，通过供应一价金属在基材（1）上沉积一价金属羧酸盐膜（2） 并且通过设置沉积有一价金属羧酸盐膜（2）的基板（1）形成金属膜（3）的步骤，从而分解一价金属羧酸盐膜（2）。

公开(公告)号：KR1020100024404A

公开(公告)日：2010-03-05

申请号：KR1020097025463

申请日：2008-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시 ,  네이시고지 ,  고이케주니치

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: On a surface of a material to be processed, a Mn containing thin film or a CuMn containing alloy thin film is formed by heat treatment (CVD or ALD) by using a Mn containing material gas (or Mn containing material gas and a Cu containing gas) and an oxygen containing gas (for instance, water vapor) as a processing gas. The Mn containing thin film or the CuMn containing alloy thin film can be formed with a high step coverage in a fine recessed section formed on the surface of the material to be processed.

Abstract translation: 在待处理材料的表面上，通过使用含Mn材料气体（或含Mn材料气体和含Cu气体）的热处理（CVD或ALD）形成含Mn薄膜或含CuMn合金薄膜 ）和含氧气体（例如水蒸汽）作为处理气体。 含Mn的薄膜或含CuMn的合金薄膜可以形成在形成在被处理材料的表面上的细凹部中的高台阶覆盖。