公开(公告)号：KR1020070090957A

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：KR1020077014619

申请日：2006-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  미야시타히로유키 ,  군지이사오

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/10

Abstract: Disclosed is a substrate processing method wherein the infrared absorptance or infrared transmittance of a substrate to be processed is measured in advance, and the substrate is processed according to the measured value while independently controlling temperatures at least in a first region located in the central part of the substrate and in a second region around the first region using temperature control means which are respectively provided for the first region and the second region and can be controlled independently from each other.

Abstract translation: 公开了一种基板处理方法，其中预先测量待处理的基板的红外吸收率或红外线透射率，并且根据测量值对基板进行处理，同时至少在位于中心部分的第一区域中独立地控制温度 基板和在第一区域周围的第二区域中，使用分别设置用于第一区域和第二区域并且可以彼此独立地控制的温度控制装置。

公开(公告)号：KR1020120083867A

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：KR1020120005921

申请日：2012-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드

Inventor： 군지이사오 ,  이자와유사쿠 ,  이토히토시 ,  우메자키도모노리 ,  다케다유타 ,  모리이사무

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: PURPOSE: A dry cleaning method of substrate processing apparatus is provided to increase efficiency by heating a processing chamber 200°C through 400°C. CONSTITUTION: A metallic oxide is formed by oxidizing a metal substrate. A complex is formed by a reaction between the metallic oxide and β-diketone. The complex is sublimated. A cleaning gas including oxygen and β-diketone is supplied to a processing chamber(10). The formation speed of the metallic oxide is not over the formation speed of the complex.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置的干洗方法，以通过加热200℃至400℃的处理室来提高效率。 构成：通过氧化金属基底形成金属氧化物。 通过金属氧化物和β-二酮之间的反应形成络合物。 复合体升华。 包括氧和β-二酮的清洁气体被供应到处理室（10）。 金属氧化物的形成速度不超过络合物的形成速度。

公开(公告)号：KR1020140016884A

公开(公告)日：2014-02-10

申请号：KR1020137019681

申请日：2012-01-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 군지이사오 ,  미요시히데노리 ,  하라겐이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/317 ,  C23F4/00

CPC classification number: C23F1/02 ,  C23F1/08 ,  C23F4/00 ,  H01J27/026 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/32136

Abstract: 피처리체(W)의 표면에 형성된 금속막(72)을 가스 클러스터 빔에 의해 가공하는 금속막의 가공 방법에 있어서, 금속막의 원소를 산화시켜 산화물을 형성하는 산화 가스와, 산화물과 반응하여 유기 금속 착체를 형성하는 착화 가스와, 희가스의 혼합 가스를 단열 팽창시켜 가스 클러스터 빔을 형성하고, 가스 클러스터 빔을 피처리체의 금속막에 충돌시킴으로써 금속막을 에칭 가공한다.

公开(公告)号：KR1020120112793A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020127021273

申请日：2011-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 군지이사오

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45578 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522

Abstract: 웨이퍼(W)에 대향하도록 섬형상으로 복수의 봉형상체의 세라믹 히터(31)를 처리 용기(1)의 천정판에 고정시켜 배치하고, 이 세라믹 히터(31)의 아래쪽의 선단부에 가스 확산판(11)의 가스 토출 구멍(13)에 대향하도록 금속 촉매층(44)을 마련해서, 세라믹 히터(31)(저항 발연선(42))에 의해 금속 촉매층(44)을 간접적으로 가열해서 처리 가스를 활성화한다.

公开(公告)号：KR1020100014643A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：KR1020097020267

申请日：2008-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  군지이사오 ,  구로이와다이스케

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4585

Abstract: Disclosed is a film-forming apparatus wherein a predetermined film is formed on a wafer (W) by CVD by reacting a film-forming gas on the surface of the wafer, while heating the wafer (W) placed on a stage (22) with a heating mechanism. This film-forming apparatus also comprises a cover member (24) which is so arranged as to cover the outer portion of the wafer (W) on the stage (22) and has a base member (24a) and a low emissivity film (24b) arranged on at least the rear surface of the base member.

Abstract translation: 公开了一种成膜设备，其中通过CVD在晶片（W）上通过使晶片表面上的成膜气体反应，同时加热放置在载物台（22）上的晶片（W）而在晶片（W）上形成预定的膜， 加热机构。 该成膜装置还包括盖构件（24），其被布置成覆盖台（22）上的晶片（W）的外部部分，并具有基座构件（24a）和低发射率膜（24b） ），其至少布置在基部构件的后表面上。

公开(公告)号：KR101237634B1

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：KR1020107011265

申请日：2008-12-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 군지이사오 ,  미요시히데노리 ,  이토히토시

IPC: C23C16/16 ,  C23C16/448 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4488 ,  C23C18/08 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/288

Abstract: 본 발명의 성막 방법은, 2가의 카르복실산 금속염과 카르복실산을 반응시켜 1가의 카르복실산 금속염 가스를 생성하는 공정과, 기판(1) 상에 1가의 카르복실산 금속염 가스를 공급하여 1가의 카르복실산 금속염막(2)을 퇴적시키는 공정과, 1가의 카르복실산 금속염막(2)이 퇴적된 기판(1)에 에너지를 부여하여 1가의 카르복실산 금속염막(2)을 분해하고, 금속막(3)을 형성하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR101207593B1

公开(公告)日：2012-12-03

申请号：KR1020097020267

申请日：2008-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  군지이사오 ,  구로이와다이스케

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4585

Abstract: 탑재대(22)에탑재된웨이퍼(W)를가열기구에의해가열하면서, 웨이퍼표면에성막용가스를반응시켜 CVD에의해웨이퍼(W)상에소정의막을성막하는성막장치는, 탑재대(22)상의웨이퍼(W)의외측부분을덮는모재(24a)와적어도모재의이면측에마련된저복사율막(24b)을가진커버부재(24)를포함한다.

公开(公告)号：KR1020120016012A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：KR1020110079983

申请日：2011-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 군지이사오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  C23C16/44 ,  C23C16/06

CPC classification number: C23C16/4488 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4586

Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus and method are provided to prevent particles to be attached to the processed surface of a substrate by arranging solid materials arranged in the lower side of a raw material supporting part than a processed surface. CONSTITUTION: A treatment basin(1) accepts a substrate(W). A substrate holder(21) supports and stores the substrate in the upper side of the treatment basin. A first heater(11) heats the substrate. A raw material supporting part(31) is arranged in the lower side of the substrate. A second heater(41) heats solid materials which are supported in the raw material supporting part. A gas supplying means supplies evaporation acceleration gas which creates film formation raw material gas by reacting with the solid materials in the treatment basin.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置和方法，通过布置在比处理表面的原料支撑部分的下侧布置的固体材料来防止颗粒附着到基板的加工表面。 构成：处理盆（1）接受底物（W）。 衬底保持器（21）将衬底支撑并存储在处理盆的上侧。 第一加热器（11）加热基板。 原料支撑部（31）配置在基板的下侧。 第二加热器（41）加热支撑在原料支撑部分中的固体材料。 气体供给装置提供蒸发加速气体，其通过与处理池中的固体材料反应而产生成膜原料气体。

公开(公告)号：KR101317051B1

公开(公告)日：2013-10-11

申请号：KR1020120005921

申请日：2012-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드

Inventor： 군지이사오 ,  이자와유사쿠 ,  이토히토시 ,  우메자키도모노리 ,  다케다유타 ,  모리이사무

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 기판 처리 장치의 처리 챔버 내에 부착된 금속막을 제거하는 드라이 클리닝 방법은 상기 금속막을 산화해서 금속 산화물을 형성하는 공정과, 상기 금속 산화물과 β-디케톤을 반응시켜 착체를 형성하는 공정과, 상기 착체를 승화하는 공정을 포함한다. 상기 처리 챔버 내를 가열하면서, 산소와 β-디케톤을 포함하는 클리닝 가스를 상기 처리 챔버 내에 공급하고, 상기 클리닝 가스에 있어서의 β-디케톤에 대한 산소의 유량비를, 상기 금속 산화물의 형성 속도가 상기 착체의 형성 속도를 넘지 않는 범위로 한다.

公开(公告)号：KR101308310B1

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：KR1020110079983

申请日：2011-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 군지이사오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  C23C16/44 ,  C23C16/06

Abstract: 고체 원료를 사용하여 성막을 행하는 경우에, 성막 원료 가스를 안정적 또한 효율적으로 기판의 표면에 공급하는 것이 가능하며, 또한 파티클 오염이나 막 중에의 불순물 혼입의 가능성이 저감된 성막 장치를 제공한다.
성막 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 수용하는 처리 용기(1)와, 웨이퍼(W)를 가열하는 기판 히터(11)와, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 보유 지지 부재(21)와, 원료 지지부로서의 스테이지(31)와, 고체 원료를 가열하는 원료 히터(41)를 구비하고 있다. 성막 장치(100)에서는, 예를 들어 스테이지(31) 상에서 고체 원료 A를 가열하면서 다른 기화 촉진 가스와 반응시켜, 생성한 성막 원료 가스를 보유 지지 부재(21)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 하면(피처리면)에 공급하고, 웨이퍼(W)의 표면에서 열 분해시켜 박막을 성막한다.

Abstract translation: 当在使用固体材料进行成膜，因此能够稳定地也有效地供给成膜原料气体，以在衬底的表面上，并且还提供了混入杂质的膜减少颗粒污染或沉积设备中的可能性。