公开(公告)号：KR101175839B1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：KR1020097025115

申请日：2008-05-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  호사카시게토시 ,  고이케주니치 ,  네이시고지

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 절연막의 표면 및 절연막의 오목부를 따라 시드층을 성막하고, 오목부에 동 배선을 매립한 후, 가열에 의해 배리어막을 형성하는 동시에 시드층을 구성하는 금속의 잉여분을 배선으로부터 제거한다. 이 때, 배선에 있어서의 상기 금속 및 그 산화물의 잔류를 억제하여, 배선 저항의 상승을 억제한다. 오목부의 바닥부에 노출된 동으로 이루어지는 하층측 도전로의 표면에 있어서, 상기 동의 자연 산화물을 환원하거나 또는 제거하고, 상기 자연 산화물이 환원 또는 제거된 기판에 대해, 동보다도 산화 경향이 높고, 산화물로 되어 동의 확산 방지 기능을 발휘하는 자기 형성 배리어용의 금속, 또는 이 금속과 동의 합금으로 이루어지는 시드층을 형성한다. 오목부에 동을 매립한 후에 기판을 가열한다. 이것에 의해, 상기 자기형성 배리어용의 금속을 산화해서 배리어층을 형성한다. 동시에, 자기형성 배리어용의 금속의 잉여분을 매립된 동의 표면에 석출시킨다.

公开(公告)号：KR100593256B1

公开(公告)日：2006-06-26

申请号：KR1020027008049

申请日：2000-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미야다로 ,  오사다하츠오 ,  호사카시게토시 ,  요네나가도미히로 ,  도모야스마사유키

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 처리 조건에 상관없이 균일한 배기를 실현할 수 있는 가스 처리 장치와, 상기 가스 처리 장치를 구성하는 가스 처리실과, 상기 가스 처리실에 장착된 배플(21) 플레이트와, 상기 배플 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 배플 플레이트는 공급된 가스에 의해 화학 처리가 실시되는 처리 공간과, 상기 처리 공간과 인접해 있으며 화학 처리에 의해 발생된 배기 가스를 배기시키는 기능을 하는 덕트 사이의 격벽으로서 작용한다. 배플 플레이트상의 위치에 따라 변하는 배플 플레이트의 양 측면상의 압력의 차이로 인해, 배플 홀(23)은 배플 플레이트상의 다수 위치에 배치된다.

公开(公告)号：KR100449115B1

公开(公告)日：2004-12-04

申请号：KR1019960074144

申请日：1996-12-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호사카시게토시 ,  호리우치타카시 ,  야마모토히로히코 ,  타케야수노부유키 ,  카이주카타케시 ,  미주카미마사미 ,  카와노유미코 ,  이케다토울 ,  시미주사토시

IPC: H01L21/205

Abstract: This invention provides a clustered tool apparatus comprises a water-removal processing member chamber for heating an object to be processed by using a heater to remove water and the like adhering to the surface of the object, an oxide- film removal processing chamber for removing, by etching, a natural oxide film formed on the surface of the object W from which the water has been removed, film-formation processing chambers for performing film-formation processing on the surface of the object, a cooling processing chamber for cooling the object from the film-formation processing, and a common transfer chamber, commonly connected/disconnected to/from the water-removal processing chamber, the oxide-film removal processing chamber, the film-formation processing chambers and the cooling processing chamber 20, to loading/unloading the object.

Abstract translation: 本发明提供了一种集群式工具装置，其包括用于通过使用加热器来加热被处理物体以去除附着在物体表面上的水等的除水处理构件室，用于除去， 通过蚀刻在被除去了水分的被处理体W的表面上形成的自然氧化膜，对被处理体表面进行成膜处理的成膜处理室，冷却被处理物的处理室 成膜处理和共同的传送室，通常与脱水处理室，氧化膜去除处理室，成膜处理室和冷却处理室20连接/分离，以将装载/ 卸载对象。

公开(公告)号：KR1020020063253A

公开(公告)日：2002-08-01

申请号：KR1020027008049

申请日：2000-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미야다로 ,  오사다하츠오 ,  호사카시게토시 ,  요네나가도미히로 ,  도모야스마사유키

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 처리 조건에 상관없이 균일한 배기를 실현할 수 있는 가스 처리 장치와, 상기 가스 처리 장치를 구성하는 가스 처리실과, 상기 가스 처리실에 장착된 배플(21) 플레이트와, 상기 배플 플레이트의 제조 방법과, 상기 배플 플레이트의 제조 장치를 제공한다. 본 발명의 배플 플레이트는 공급된 가스에 의해 화학 처리가 실시되는 처리 공간과, 상기 처리 공간과 인접해 있으며 화학 처리에 의해 발생된 배기 가스를 배기시키는 기능을 하는 덕트 사이의 격벽으로서 작용한다. 배플 플레이트상의 위치에 따라 변하는 배플 플레이트의 양 측면상의 압력의 차이로 인해, 배플 홀(23)은 배플 플레이트상의 다수 위치에 배치된다.

公开(公告)号：KR1019970052092A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019960074144

申请日：1996-12-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호사카시게토시 ,  호리우치타카시 ,  야마모토히로히코 ,  타케야수노부유키 ,  카이주카타케시 ,  미주카미마사미 ,  카와노유미코 ,  이케다토울 ,  시미주사토시

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 본 발명의 클러스터 툴(cluster tool)장치는 대상물이 반입/반출된 반송실과; 반송실과 연속적으로 통과하게 접속되고, 대상물을 가열하는 가열 히터를 구비하고, 가열 히터에 의해 대상물을 가열하여 대상물의 표면에 부착하는 수분을 제거하기 위한 수분 제거 처리실과; 반송실과 연속적으로 통과하게 접속되고 대상무의 표면에 부착하는 자연 산화막을 에칭 가스에 의해 제거하기 위한 산화막 제거 처리실과; 반송실과 연속적으로 통과하게 접속되고 대상물의 표면에 성막 처리실을 행하기 위한 성막 처리실과; 반송실과 연속적으로 통과가능하게 접속되고, 성막 처리된 대상물을 냉각하기 위한 냉각 처리실을 구비한다.

公开(公告)号：KR101399814B1

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020117030618

申请日：2010-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시 ,  미요시히데노리 ,  호사카시게토시 ,  사토히로시 ,  네이시고지 ,  고이케주니치

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76867

Abstract: 오목부(2)를 갖는 low-k막으로 이루어지는 절연층(122)이 표면에 형성된 피처리체(W)에 Mn을 포함하는 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 절연층의 표면에 친수화 처리를 실시해서 친수성의 표면으로 하는 친수화 공정과, 친수화 처리가 실행된 절연층의 표면에 Mn함유 원료를 이용해서 성막 처리를 실시하는 것에 의해 Mn을 포함하는 박막을 형성하는 박막 형성 공정을 갖는다. 이것에 의해, 비유전율이 낮은 low-k막으로 이루어지는 절연층의 표면에 Mn을 포함하는 박막, 예를 들면, MnOx를 효율적으로 형성한다.

公开(公告)号：KR100373789B1

公开(公告)日：2003-05-22

申请号：KR1019970007286

申请日：1997-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카와노유미코 ,  호사카시게토시 ,  와다유이치 ,  코바야시히로시 ,  야노테츠야

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7685 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882

Abstract: The multilevel interconnection forming method of the present invention comprises the following. A metal film containing aluminum is deposited on an insulating film of a substrate, and the metal film is patterned, to form a wiring layer of a first layer. An interlayer dielectric film forming part of the first layer is formed on an entire surface of the substrate, such that the interlayer dielectric film covers the wiring layer from upside. A hole is formed at a predetermined position of the interlayer dielectric film such that the hole reaches the wiring layer of the first layer. Aluminum is selectively deposited and filled into the hole by a CVD method, such that the aluminum is filled at a volume ratio smaller than 100% with respect to the hole. An active metal film is formed on an entire upper surface of an interlayer dielectric film including the hole filled with the aluminum. A metal layer containing aluminum is formed on the active metal film. The metal layer is made to flow into the hole by reflowing, to completely fill the hole and to planarize the surface of the metal layer. The metal layer is subjected to be patterned, to form a wiring layer of a second layer, after the surface of the metal layer is planarized by the reflowing.

Abstract translation: 本发明的多级互连形成方法包括以下步骤。 将包含铝的金属膜沉积在基板的绝缘膜上，并对该金属膜进行图案化，以形成第一层的布线层。 形成第一层的一部分的层间介电膜形成在基板的整个表面上，使得层间介电膜从上侧覆盖布线层。 在层间绝缘膜的预定位置处形成孔，使得该孔到达第一层的布线层。 通过CVD方法将铝选择性地沉积并填充到孔中，使得铝以相对于孔小于100％的体积比填充。 活性金属膜形成在包括填充有铝的孔的层间绝缘膜的整个上表面上。 在活性金属膜上形成含有铝的金属层。 通过回流使金属层流入孔中，以完全填充孔并平坦化金属层的表面。 在通过回流使金属层的表面平坦化之后，对金属层进行图案化，以形成第二层的布线层。

公开(公告)号：KR1019970067776A

公开(公告)日：1997-10-13

申请号：KR1019970007286

申请日：1997-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카와노유미코 ,  호사카시게토시 ,  와다유이치 ,  코바야시히로시 ,  야노테츠야

IPC: H01L21/768

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 장치의 다층 배선 형성 방법은, 기판의 절연막상에 알루미늄을 포함하는 금속막을 퇴적시켜 패터닝함으로써 제1층의 배선층을 형성하고, 배선층을 위쪽에서 덮도록 기판상의 전면에 걸쳐, 제1층을 구성하는 층간 절연막을 형성하며, 층간 절연막의 소정의 위치에서, 제1층의 배선층에 도달하는 접속 구멍을 형성하고, 접속 구멍에 대해 100%보다도 적은 체적의 비율로 부족한 듯이 알루미늄을 CVD 법에 의해 선택적으로 퇴적시켜 매립하며, 알루미늄이 매립된 접속 구멍을 포함하는 층간 절연막의 표면 전체에 활성 금속막을 형성하고, 활성 금속막상에 알루미늄을 포함하는 금속층을 형성하며, 리플로우에 의해서 금속층을 접속 구멍내에 유입하여 접속 구멍을 완전히 묻음과 동시에 금속층의 표면을 평탄화하고, 리플로우에 의해서 금속층의 표면이 평탄화된 후, 이 금속층을 패터닝함으로써 제2층의 배선층을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020130113351A

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：KR1020127034196

申请日：2011-06-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  호사카시게토시 ,  이토히토시

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C14/04

CPC classification number: B05D5/12 ,  C23C16/40 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L21/76876 ,  C23C14/046 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02554 ,  H01L2924/00

Abstract: 절연층이 표면에 형성된 피처리체에 대하여 성막 처리를 실시하는 성막 방법에 있어서, 제 1 금속으로 이루어지는 제 1 박막을 형성하는 제 1 박막 형성 공정과, 상기 제 1 박막을 산화하여 산화막을 형성하는 산화 공정과, 상기 산화막 위에 제 2 금속을 포함하는 제 2 박막을 형성하는 제 2 박막 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 성막 방법이다.

公开(公告)号：KR1020120025543A

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020117030618

申请日：2010-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시 ,  미요시히데노리 ,  호사카시게토시 ,  사토히로시 ,  네이시고지 ,  고이케주니치

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76867

Abstract: 오목부(2)를 갖는 low-k막으로 이루어지는 절연층(122)이 표면에 형성된 피처리체(W)에 Mn을 포함하는 홈막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 절연층의 표면에 친수화 처리를 실시해서 친수성의 표면으로 하는 친수화 공정과, 친수화 처리가 실행된 절연층의 표면에 Mn함유 원료를 이용해서 성막 처리를 실시하는 것에 의해 Mn을 포함하는 홈막을 형성하는 홈막 형성 공정을 갖는다. 이것에 의해, 비유전율이 낮은 low-k막으로 이루어지는 절연층의 표면에 Mn을 포함하는 홈막, 예를 들면, MnOx를 효율적으로 형성한다.