公开(公告)号：KR100722087B1

公开(公告)日：2007-05-25

申请号：KR1020057005015

申请日：2003-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  구와지마료

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/481

Abstract: 본 발명의 기판 처리 장치는 피처리 기판(W)의 성막 처리를 안정적이고 효율적으로 실행하는 것을 목적으로 하며, 기판 처리 장치는 히터부에 대향하는 위치에 피처리 기판(W)을 지지하는 동시에, 피처리 기판(W)을 유지하는 유지 부재를 회전시킨다. 또한, 히터부는 투명 석영 벨쟈의 내부에 SiC 히터 및 열반사 부재를 수납하고, 처리 용기의 내부를 감압하는 동시에, 석영 벨쟈의 내부도 감압함으로써, 석영 벨쟈의 두께를 얇게하는 것이 가능하고, 그만큼 SiC 히터로부터의 열전도 효율이 높고, SiC 히터에 의한 오염을 방지한다.

Abstract translation: 本发明在同一时间所述目标衬底（W）可靠有效地执行的目的，以及基板处理装置的装置的膜形成过程不是在的位置上的目标衬底（W）相对于该加热器单元， 并旋转保持要处理的基板W的保持构件。 另外，在同一时间容纳在SiC加热器和反射器，并且处理容器内的压力，由石英玻璃钟罩内减压的透明石英玻璃钟罩内的加热器部，所以能够降低石英玻璃钟罩的厚度，因此碳化硅 来自加热器的热传导效率高并且防止了SiC加热器的污染。

公开(公告)号：KR1020060117237A

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：KR1020060042569

申请日：2006-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오카신스케

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244

Abstract: A plasma processing apparatus and method are provided to supply a process gas into a process chamber by using a plurality of gas supply pipe parts. A plasma processing apparatus comprises a plurality of gas introducing parts, a plurality of gas supply pipe parts(28a to 28f), a first gas supply pat and a second gas supply part. The plurality of gas introducing parts(30a to 30g) are used for introducing a process gas into a process chamber(10). The first gas supply part is used for emitting a first process gas of at least one or more gas introducing parts into the process chamber. The second gas supply part is used for emitting a second process gas of at least one or more gas introducing parts to the process chamber through the plurality of gas supply pipe parts.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置和方法，用于通过使用多个气体供应管部件将处理气体供应到处理室中。 等离子体处理装置包括多个气体导入部，多个气体供给管部（28a〜28f），第一气体供给pat和第二气体供给部。 多个气体导入部（30a〜30g）用于将处理气体导入处理室（10）。 第一气体供给部件用于将至少一个或多个气体引入部件的第一处理气体发射到处理室中。 第二气体供给部用于通过多个气体供给管部向处理室发出至少一个以上的气体导入部的第二处理气体。

公开(公告)号：KR100590363B1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：KR1020010036313

申请日：2001-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67011 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586

Abstract: 낱장식 처리 장치(1)는 기밀 처리실(2)을 갖고, 이 내부에 세라믹제의 탑재대(3)가 세라믹제의 지주(5)에 의해 지지된 상태로 배치된다. 지주(5)의 하단부에는 플랜지(5a)가 형성되고, 이것이 플랜지 홀더(7)를 거쳐서 처리실(2)의 바닥부에 장착된다. 플랜지 홀더(7)는 플랜지(5a)를 끼우는 상부 및 하부 프레임(72, 74)을 갖는다. 플랜지 홀더(7)는 처리실(2)의 바닥부의 외측으로부터 고정 볼트(8)에 의해 탈착 가능하게 고정된다.

公开(公告)号：KR100880784B1

公开(公告)日：2009-02-02

申请号：KR1020070028218

申请日：2007-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도호쿠 다이가쿠

Inventor： 호리구치다카히로 ,  히라야마마사키 ,  오미다다히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32568 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 마이크로파를 직사각형 도파관(rectangular waveguide)의 하면(下面)에 복수 형성된 슬롯을 통하여 처리실의 상면(上面)에 배치된 유전체 내에 전파시키고, 유전체 표면에서 형성시킨 전자계에서의 전계 에너지에 의해 처리실 내에 공급된 소정의 가스를 플라즈마화시켜, 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서, 직사각형 도파관의 상면 부재가 도전성을 갖는 비자성 재료로 구성되고, 또한, 그 상면 부재가 하면에 대하여 승강 이동된다. 가스 종류, 압력, 마이크로파 공급 장치의 파워 출력 등이라고 하는 처리실 내에서 행해지는 플라즈마 처리의 조건에 따라, 직사각형 도파관의 상면 부재가 하면에 대하여 승강 이동되는 것에 의해, 관 내 파장이 변화된다.

公开(公告)号：KR100847963B1

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：KR1020070011780

申请日：2007-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244

Abstract: 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 슬롯에 통과시킨 마이크로파를 투과시키는 복수 매의 유전체 파트(31)와, 각 유전체 파트(31)보다 아래쪽에 위치하는 가스 노즐(27)을 갖고 있다. 유전체 파트(31) 및 가스 노즐(27)은 포러스(다공질체(多孔質體))와 벌크(치밀질체(緻密質體))로 형성되어 있다. 제 1 가스 공급부는 아르곤 가스를 각 유전체 파트(31)로 포러스(31P)로부터 처리실 내로 공급한다. 제 2 가스 공급부는 실란 가스 및 수소 가스를 가스 노즐(27)의 포러스(27P)로부터 처리실 내로 공급한다. 가스는 각 포러스를 통과할 때에 감속되고, 이것에 의해, 가스의 지나친 교반을 억지할 수 있다. 이 결과, 균일한 플라즈마를 생성하여, 이에 따라 양질의 비정질(amorphous) 실리콘막을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 微波等离子体处理装置100具有多个电介质部31，该电介质部31用于传输通过位于电介质部31下方的槽和气体喷嘴27的微波。 介电部分31和气体喷嘴27由多孔（多孔体）和块体（致密体）形成。 第一气体供应部分将氩气从多孔部分31P供应到每个电介质部分31进入处理室。 第二气体供应单元将来自气体喷嘴27的多孔27P的硅烷气体和氢气供应到处理室中。 气体在通过每个多孔构件时被减速，由此可以抑制气体的过度搅拌。 结果，可以产生均匀的等离子体，由此形成高质量的非晶硅膜。

公开(公告)号：KR1020080030511A

公开(公告)日：2008-04-04

申请号：KR1020070097497

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/30 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32348 ,  H01J37/3244 ,  H05H1/2406 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/2412 ,  H05H2001/463

Abstract: A microwave plasma processing device, a manufacturing method of a dielectric window, and a processing method of a microwave plasma are provided to uniformly generate the plasma through a uniformly and slowly supplied gas to a predetermined position. A microwave plasma processing device includes a slot antenna, a dielectric window, a gas supply unit, and a processing chamber. The slot antenna propagates a microwave. The dielectric window transmits the propagated microwave. The gas supply unit supplies a predetermined gas. The processing chamber processes a subject by converting the predetermined gas into plasma with the microwave transmitted through the dielectric window. The dielectric window includes a first porous material(31Ph) and a second porous material(31Pl). The first porous material has first porosity. The second porous material is connected to the first porous material and has second porosity lower than the first porosity. The gas supply unit induces the predetermined gas in the processing chamber from the second porous material through the first porous material.

Abstract translation: 提供微波等离子体处理装置，电介质窗的制造方法和微波等离子体的处理方法，以通过均匀缓慢供给的气体均匀地产生等离子体至规定位置。 微波等离子体处理装置包括缝隙天线，电介质窗，气体供给单元和处理室。 缝隙天线传播微波。 电介质窗口传播传播的微波。 气体供给单元供给预定的气体。 处理室通过将微波传输通过电介质窗口将预定气体转换为等离子体来处理对象。 电介质窗包括第一多孔材料（31Ph）和第二多孔材料（31P1）。 第一多孔材料具有第一孔隙度。 第二多孔材料连接到第一多孔材料并且具有低于第一孔隙率的第二孔隙率。 气体供给单元通过第一多孔材料从第二多孔材料诱导处理室中的预定气体。

公开(公告)号：KR1020080029844A

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020070097391

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/24 ,  H05H1/30

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32256 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32522 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4607

Abstract: A microwave plasma processing apparatus, an integral slot forming member, a method for manufacturing and using the microwave plasma processing apparatus are provided to properly arrange a sealing member closing an interior of a processing chamber from the atmosphere. A processing chamber processes an object to be processed by plasma generated by raising gas to plasma by the microwave. The slot antenna includes an integral slot forming member(37) integrally formed by inserting a slot charged with a dielectric member into a frame body. The integral slot forming member is mounted at a recessed portion formed at a cover(20) of the processing chamber. A sealing member is mounted between the frame body and the cover. The frame body is made of conductive material such as a nonmagnetic metal. A plurality of slot forming members are mounted at the recessed portion of the cover.

Abstract translation: 提供微波等离子体处理装置，整体槽形成构件，制造和使用微波等离子体处理装置的方法，以正确地布置从大气中封闭处理室内部的密封构件。 处理室通过由微波将气体提升为等离子体而产生的等离子体处理被处理物体。 缝隙天线包括通过将充有电介质构件的槽插入框体而整体形成的一体形成槽形成构件（37）。 整体槽形成构件安装在形成在处理室的盖（20）处的凹部处。 密封构件安装在框体和盖之间。 框体由诸如非磁性金属的导电材料制成。 多个槽形成构件安装在盖的凹部。

公开(公告)号：KR1020070080232A

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：KR1020070011780

申请日：2007-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/3244

Abstract: A plasma processing apparatus and a plasma processing method are provided to form uniformly plasma by decreasing a flow rate of gas injected into a process chamber. A process chamber(U) is used for processing a target by using plasma. A gas supply unit supplies a gas to the process chamber. A microwave supply unit supplies a microwave through a slot(37) of an antenna(30) and a dielectric member to the process chamber. The gas is converted to the plasma by the microwave. The dielectric member includes at least partially a porous member. The gas is introduced into the process chamber through the porous member. The dielectric member is composed of the porous member and a dense member. The porous member and the dense member are integrally sintered to form the dielectric member.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，以通过降低注入到处理室中的气体的流量来均匀地形成等离子体。 处理室（U）用于通过使用等离子体来处理目标物。 气体供应单元向处理室供应气体。 微波供应单元通过天线（30）的槽（37）和电介质构件向处理室提供微波。 气体通过微波转换成等离子体。 电介质构件至少部分地包括多孔构件。 气体通过多孔构件被引入处理室。 电介质构件由多孔构件和致密构件构成。 多孔构件和致密构件被一体烧结以形成电介质构件。

公开(公告)号：KR100574116B1

公开(公告)日：2006-04-25

申请号：KR1020000020918

申请日：2000-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로 ,  오카세와타루 ,  다카나베에이치로

IPC: H01L21/30

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4558 ,  H01L21/67017

Abstract: 반도체 웨이퍼를 1매씩 처리하는 어닐링 개질 장치에 있어서, 기밀한 처리실(24) 내에, 웨이퍼(W)를 위치시키기 위한 상면을 가진 받침대(58)가 배치된다. 받침대(58)의 상면에 대향하는 위치로부터 처리실(24) 내에 처리 가스를 공급하기 위해, 샤워 헤드(26)가 배치된다. 받침대(58)의 아래쪽의 입구 개구(52)를 거쳐 처리실(24)의 바닥부에 배기실(50)이 접속된다. 입구 개구(52)는 받침대(58)의 평면 윤곽보다도 작은 평면 윤곽을 가지고, 또한 받침대(58) 및 개구(52)의 평면 윤곽은 실질적으로 동심 형상으로 배치된다. 배기실(50)에 배기 기구가 접속되고, 배기실(50)을 거쳐 처리실(24) 내가 배기된다.

公开(公告)号：KR1020020000723A

公开(公告)日：2002-01-05

申请号：KR1020010036313

申请日：2001-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리구치다카히로

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67011 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586

Abstract: PURPOSE: To enhance the fixability, maintainability and durability of a mounting table. CONSTITUTION: In a single wafer processing system 1 for processing an article w mounted on a mounting table 3 in a processing container 2 specifically, the mounting table 3 comprises a ceramic heater section 3a incorporating a heater 4, and a ceramic column section 5 for supporting the heater section 3a. A flange part 5a is formed at the lower end of the supporting section 5 and provided with a retaining member 7 which abuts against the inside of the bottom part 2a of the processing container 2. The retaining member 7 can be fixed removably by means of a fixing screw from the outside of the bottom part 2a of the processing container 2.

Abstract translation: 目的：提高安装台的固定性，可维护性和耐久性。 具体来说，在用于处理处理容器2中安装在安装台3上的物品w的单个晶片处理系统1中，安装台3包括：加热器4的陶瓷加热器部分3a和用于支撑的陶瓷柱部分5 加热器部分3a。 凸缘部分5a形成在支撑部分5的下端，并且设置有抵靠处理容器2的底部2a的内侧的保持构件7.保持构件7可以通过 从处理容器2的底部2a的外侧固定螺钉。