公开(公告)号：KR1020020027599A

公开(公告)日：2002-04-13

申请号：KR1020027002664

申请日：2001-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마에카와가오루 ,  호시노사토히코 ,  스기우라마사히토 ,  알렉레티페데리카

IPC: H01L21/31

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법은 기판 상에 스핀-온 공정에 의해 제 1 절연 필름을 형성시키고, 상기 제 1 절연 필름에 380 내지 500 ℃의 온도에서 5 내지 180 초의 지속 시간동안 경화 공정을 적용시키고, 상기 제 1 절연 필름 상에 스핀-온 공정에 의해 제 2 절연 필름을 형성시키는 단계들을 포함한다.

公开(公告)号：KR101419632B1

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：KR1020127026373

申请日：2011-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 호시노사토히코 ,  마츠이히데후미 ,  나루시마마사키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814

Abstract: 패턴의 형상을 유지한 상태에서 패턴의 바닥부까지 세정 가능한 세정 방법을 제공한다.
진공 상태로 유지된 처리용기(100)내에서, 웨이퍼(W)상의 막에 소정의 패턴을 형성하는 웨이퍼(W)의 세정 방법은 에칭 처리에 의해 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼(W)상의 막을 원하는 클리닝 가스에 의해 세정하는 공정과(전 공정), 전 공정 후, 산화성 가스에 의해 패턴 표면의 잔사를 산화시키는 공정과(산화 공정), 상기 산화된 잔사를 환원성 가스에 의해 환원시키는 공정(환원 공정)을 포함한다. 산화 공정과 환원 공정은 연속해서 실행한다(연속 공정). 전 공정 및 연속 공정에 이용되는 가스는 내부압력(P
s )이 처리용기(100)의 내부압력(P
0 )보다 고압으로 유지된 가스 노즐(110)로부터 처리용기(100)내로 방출되는 것에 의해 클러스터화된다.

公开(公告)号：KR101393747B1

公开(公告)日：2014-05-12

申请号：KR1020127026433

申请日：2011-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 호시노사토히코 ,  마츠이히데후미 ,  나루시마마사키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C14/046 ,  C23C14/221 ,  C23C16/0281 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 진공 상태로 유지된 처리 용기 내에서, 배선용 패턴이 형성된 기판을 배선하는 방법으로서, 기판 상의 배선용 패턴을 소망하는 클리닝 가스에 의해 세정하는 전공정과, 전공정 후, 클러스터화된 금속 가스를 이용하여 상기 배선용 패턴 내에 금속 나노 입자를 매립하는 매립 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 배선 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020130000365A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020120131554

申请日：2012-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 도바시가즈야 ,  후세다카시 ,  호시노사토히코 ,  세노오다케히코 ,  요시노유

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/306 ,  C23C14/02 ,  C23C14/165 ,  C23C14/568 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

Abstract: PURPOSE: A vacuum processing apparatus, a vacuum processing method and a micro-machining apparatus are provided to make porous the surface of a silicon based material by using gas clusters and to maintain the surface clean. CONSTITUTION: A first vacuum chamber(31) includes a first holding portion. The first holding portion maintains a silicon based material. A nozzle unit(5) forms gas clusters consisting of atoms or molecules of a process gas. The gas clusters are discharged on the silicon based material in order to form porous silicon based material. [Reference numerals] (3) Minute processing module; (31) First vacuum room; (32) Arrangement stand; (34) Y moving object; (35) Y guide; (36) X moving object; (37) X guide; (38) Inlet; (5) Nozzle unit; (55) Pressure control unit; (G3) Gate valve

Abstract translation: 目的：提供真空处理设备，真空处理方法和微加工设备，以通过使用气体团簇使硅基材料的表面多孔化并且保持表面清洁。 构成：第一真空室（31）包括第一保持部分。 第一保持部分保持硅基材料。 喷嘴单元（5）形成由工艺气体的原子或分子组成的气体簇。 为了形成多孔硅基材料，将气体簇排放在硅基材料上。 （附图标记）（3）分钟处理模块; （31）第一真空室; （32）安排; （34）Y移动物体; （35）Y导轨; （36）X移动物体; （37）X导轨; （38）进口; （5）喷嘴单元; （55）压力控制单元; （G3）闸阀

公开(公告)号：KR1020060066114A

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：KR1020067005288

申请日：2004-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  호시노사토히코 ,  이데신지 ,  가시와기유사쿠

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31633

Abstract: Disclosed is a method for decreasing the dielectric constant of an insulating film which is formed by a chemical vapor deposition method and contains Si, O and CH. A process gas containing hydrogen atoms is supplied into a reaction chamber of a plasma processing apparatus. Microwaves are introduced into the reaction chamber for supplying uniform electromagnetic waves therein, thereby generating a plasma containing hydrogen radicals in the reaction chamber. Due to the hydrogen radicals contained in the plasma with which an insulating film is irradiated, the structure of the insulating film is changed and the dielectric constant of the insulating film is decreased. The microwaves are supplied into the reaction chamber via a radial slot antenna.

Abstract translation: 公开了一种降低由化学气相沉积法形成并含有Si，O和CH的绝缘膜的介电常数的方法。 将含有氢原子的工艺气体供给到等离子体处理装置的反应室中。 将微波引入到反应室中以在其中提供均匀的电磁波，从而在反应室中产生含氢自由基的等离子体。 由于照射绝缘膜的等离子体中所含的氢原子，绝缘膜的结构发生变化，绝缘膜的介电常数降低。 微波经由径向缝隙天线供入反应室。