公开(公告)号：KR101716547B1

公开(公告)日：2017-03-14

申请号：KR1020140123660

申请日：2014-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루카와신지 ,  와타나베나오키 ,  미키히로시 ,  기타다도오루 ,  고지마야스히코

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/3205 ,  H01L43/08

CPC classification number: C23C14/3464 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3485 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3464 ,  H01J37/347

Abstract: 일실시형태의성막장치는, 처리용기와, 처리용기내를감압하기위한배기장치와, 피처리체를탑재하기위한탑재대로서, 처리용기내에마련된탑재대와, 탑재대의위쪽에마련되고, 제 1 절연재료제의제 1 및제 2 타겟과, 처리용기내에가스를공급하는가스공급부와, 가스공급부로부터공급되는가스중의양 이온을제 1 타겟에충돌시키기위한제 1 고주파전력을발생하는제 1 고주파전원과, 가스공급부로부터공급되는가스중의양 이온을제 2 타겟에충돌시키기위한제 2 고주파전력을발생하는제 2 고주파전원과, 제 1 고주파전력과제 2 고주파전력간의위상차를조정하는위상조정기를구비한다.

Abstract translation: 绝缘膜沉积的系统和方法。 溅射沉积室包括由相同绝缘材料制成的一对靶。 每个目标同时施加高频功率信号。 相位调整单元用于将提供给该对目标的高频功率信号之间的相位差调整为规定值，从而提高所得到的膜的面内厚度分布。 预定值是目标材料特定的。

公开(公告)号：KR1020150032498A

公开(公告)日：2015-03-26

申请号：KR1020140123660

申请日：2014-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루카와신지 ,  와타나베나오키 ,  미키히로시 ,  기타다도오루 ,  고지마야스히코

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/3205 ,  H01L43/08

CPC classification number: C23C14/3464 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3485 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3464 ,  H01J37/347

Abstract: 일 실시 형태의 성막 장치는, 처리 용기와, 처리 용기 내를 감압하기 위한 배기 장치와, 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대로서, 처리 용기 내에 마련된 탑재대와, 탑재대의 위쪽에 마련되고, 제 1 절연 재료제의 제 1 및 제 2 타겟과, 처리 용기 내에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 가스 공급부로부터 공급되는 가스 중의 양 이온을 제 1 타겟에 충돌시키기 위한 제 1 고주파 전력을 발생하는 제 1 고주파 전원과, 가스 공급부로부터 공급되는 가스 중의 양 이온을 제 2 타겟에 충돌시키기 위한 제 2 고주파 전력을 발생하는 제 2 고주파 전원과, 제 1 고주파 전력과 제 2 고주파 전력간의 위상차를 조정하는 위상 조정기를 구비한다.

Abstract translation: 本发明提供一种能够容易地控制绝缘层厚度内的分布的膜的形成装置和方法。 根据本发明的实施例的用于形成膜的设备包括：处理容器; 用于在处理容器内部进行减压的排气装置; 安装有待处理物体的安装台，并且设置在处理容器的内部; 第一绝缘材料的第一和第二靶，其设置在安装台的上方; 用于向处理容器供给气体的气体供给单元; 用于产生第一高频功率以在从气体供应单元供应的气体中产生正离子与第一目标相撞的第一高频电源; 用于产生第二高频功率以在从气体供应单元供应的气体中产生正离子与第二目标相撞的第二高频电源; 以及用于调整第一高频功率和第二高频功率之间的相位差的移相器。