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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150034143A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：KR1020147037041
申请日：2013-04-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L43/12 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: C23C14/568 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67745 , H01L43/12
Abstract: 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다.
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公开(公告)号：KR20180037621A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：KR20187008876
申请日：2013-04-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L43/12 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: C23C14/568 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67745 , H01L43/12
Abstract: 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다
Abstract translation: 一种设备包括：一排衬底传送装置3，其可以在传送室内传送晶片W; 以及沿着该行布置在该行基板传送装置的左右侧的处理模块PM，该处理模块PM被配置为对晶片W执行处理。处理模块PM的行被布置为使得每个处理可以 由至少两个处理模块PM执行。 因此，当不能使用单个处理模块PM时，可以将晶片W快速地转移到另一处理模块PM，该另一个处理模块PM可以执行与在相应处理模块中执行的处理相同的处理。 因此，即使在不能使用一个处理模块PM的情况下，也能够在不停止装置的动作的情况下继续对晶圆W进行处理，能够减少浪费的晶圆W的数量。
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公开(公告)号：KR101888000B1
公开(公告)日：2018-08-13
申请号：KR1020187008876
申请日：2013-04-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L43/12 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: H01J37/32733 , C23C14/568 , H01L21/67161 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67745 , H01L43/12
Abstract: 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다
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公开(公告)号：KR101716547B1
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020140123660
申请日：2014-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/203 , H01L21/3205 , H01L43/08
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/08 , C23C14/3485 , H01J37/3417 , H01J37/3444 , H01J37/3464 , H01J37/347
Abstract: 일실시형태의성막장치는, 처리용기와, 처리용기내를감압하기위한배기장치와, 피처리체를탑재하기위한탑재대로서, 처리용기내에마련된탑재대와, 탑재대의위쪽에마련되고, 제 1 절연재료제의제 1 및제 2 타겟과, 처리용기내에가스를공급하는가스공급부와, 가스공급부로부터공급되는가스중의양 이온을제 1 타겟에충돌시키기위한제 1 고주파전력을발생하는제 1 고주파전원과, 가스공급부로부터공급되는가스중의양 이온을제 2 타겟에충돌시키기위한제 2 고주파전력을발생하는제 2 고주파전원과, 제 1 고주파전력과제 2 고주파전력간의위상차를조정하는위상조정기를구비한다.
Abstract translation: 绝缘膜沉积的系统和方法。 溅射沉积室包括由相同绝缘材料制成的一对靶。 每个目标同时施加高频功率信号。 相位调整单元用于将提供给该对目标的高频功率信号之间的相位差调整为规定值，从而提高所得到的膜的面内厚度分布。 预定值是目标材料特定的。
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公开(公告)号：KR1020150032498A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：KR1020140123660
申请日：2014-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/203 , H01L21/3205 , H01L43/08
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/08 , C23C14/3485 , H01J37/3417 , H01J37/3444 , H01J37/3464 , H01J37/347
Abstract: 일 실시 형태의 성막 장치는, 처리 용기와, 처리 용기 내를 감압하기 위한 배기 장치와, 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대로서, 처리 용기 내에 마련된 탑재대와, 탑재대의 위쪽에 마련되고, 제 1 절연 재료제의 제 1 및 제 2 타겟과, 처리 용기 내에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 가스 공급부로부터 공급되는 가스 중의 양 이온을 제 1 타겟에 충돌시키기 위한 제 1 고주파 전력을 발생하는 제 1 고주파 전원과, 가스 공급부로부터 공급되는 가스 중의 양 이온을 제 2 타겟에 충돌시키기 위한 제 2 고주파 전력을 발생하는 제 2 고주파 전원과, 제 1 고주파 전력과 제 2 고주파 전력간의 위상차를 조정하는 위상 조정기를 구비한다.
Abstract translation: 本发明提供一种能够容易地控制绝缘层厚度内的分布的膜的形成装置和方法。 根据本发明的实施例的用于形成膜的设备包括：处理容器; 用于在处理容器内部进行减压的排气装置; 安装有待处理物体的安装台，并且设置在处理容器的内部; 第一绝缘材料的第一和第二靶，其设置在安装台的上方; 用于向处理容器供给气体的气体供给单元; 用于产生第一高频功率以在从气体供应单元供应的气体中产生正离子与第一目标相撞的第一高频电源; 用于产生第二高频功率以在从气体供应单元供应的气体中产生正离子与第二目标相撞的第二高频电源; 以及用于调整第一高频功率和第二高频功率之间的相位差的移相器。
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