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公开(公告)号:KR1020160135095A
公开(公告)日:2016-11-24
申请号:KR1020160054286
申请日:2016-05-02
Applicant: 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: C07C271/08 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027 , G03F1/76
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C271/12 , C07C271/14 , C07C2603/14 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/325
Abstract: 포토레지스트에서사용하는데적합한, 식 (I)에대응하는신규광염기발생제가제공된다: X-R-O-C(=O)N(R)R(I) 식중, X은임의로치환된방향족기이고; R은링커이고; 그리고 R및 R은동일또는상이한임의로치환된선형, 분지형또는사이클릭지방족기 또는임의로치환된방향족기이고, 여기서 R및 R중적어도하나는 4개이상의탄소원자를갖는임의로치환된분지형알킬기이다.
Abstract translation: 其中X1是任选取代的芳基; R1是连接体; 并且R 2和R 3是相同或不同的任选取代的直链,支链或环状脂族基团或任选取代的芳族基团,其中R 2和R 3中的至少一个是具有4个或更多个碳原子的任选取代的支化烷基。
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公开(公告)号:KR101910829B1
公开(公告)日:2018-10-24
申请号:KR1020160124760
申请日:2016-09-28
Applicant: 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
CPC classification number: G03F7/11 , C07C271/12 , C07D211/48 , C08F220/16 , C08F220/28 , C08F2220/283 , C09D133/14 , G03F7/0045 , G03F7/162 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/40 , C08F2220/281
Abstract: 포토레지스트조성물위에적절하게적용되는탑코트조성물이제공된다. 바람직한탑코트조성물은, 폴리머주쇄로부터이격된반응성질소-함유모이어티를포함하는제1 단위체를포함하는제1 폴리머를포함하되, 상기반응성질소-함유모이어티는포토레지스트조성물의리소그래픽공정동안염기성의절단생성물을생성시킨다.
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公开(公告)号:KR1020160129726A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:KR1020160048417
申请日:2016-04-20
Applicant: 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
CPC classification number: G03F7/11 , C09D133/06 , G03F7/0397 , G03F7/095 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38 , C08L37/00
Abstract: 포토레지스트조성물위에적당하게도포되는탑코트조성물이제공된다. 바람직한탑코트조성물은 (i) 산불안정한그룹을포함하는질소-함유모이어티를포함한제1 단위; 및 (ii) (1) 하나이상의소수성그룹을포함하고 (2) 상기제1 단위와구별되는제2 단위를포함하는제1 폴리머를포함한다.
Abstract translation: 提供适用于光致抗蚀剂组合物上的面漆组合物。 优选的面漆组合物包含第一聚合物,其包含(i)包含含酸部分的第一单元,其包含酸不稳定基团; 和(ii)(1)包含一个或多个疏水基团的第二单元和(2)不同于第一单元。
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公开(公告)号:KR1020160025464A
公开(公告)日:2016-03-08
申请号:KR1020150118103
申请日:2015-08-21
Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 , 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 , 롬엔드하스전자재료코리아유한회사
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
Abstract: 다중패턴의형성방법이제공된다. 이방법은 (a) 패턴화될하나이상의층을포함하는반도체기판을제공하는단계; (b) 산불안정성그룹을포함하는매트릭스폴리머; 광산발생제; 및용매를포함하는조성물로부터형성된포토레지스트층을패턴화될하나이상의층 위에형성하는단계; (c) 포토레지스트층을활성화조사선에패턴식으로노광하는단계; (d) 노광된포토레지스트층을베이킹하는단계; (e) 베이킹된포토레지스트층을제1 현상제와접촉하여제1 레지스트패턴을형성하는단계; (f) 제1 레지스트패턴의측벽영역의용해도를제1 현상제와상이한제2 현상제에대해용해성에서불용성으로변경하기위한수단을포함하는코팅조성물로제1 레지스트패턴을처리하는단계; 및 (g) 처리된제1 레지스트패턴을제2 현상제와접촉하여제1 레지스트패턴의일부를제거함으로써용해도-변경된측벽영역을남겨다중-패턴을형성하는단계를포함한다. 상기방법은미세리소그래피패턴의형성을위한반도체제조산업에서특정응용성을가진다.
Abstract translation: 提供了形成多个图案的方法。 用于形成多个图案的方法包括以下步骤:(a)提供包括一个或多个待图案化层的半导体衬底; (b)在要图案化的一个或多个层上形成光致抗蚀剂层,光致抗蚀剂层由包含含酸不稳定基团的基质聚合物的组合物形成; 光酸发生剂; 和溶剂; (c)以图案化方式将光致抗蚀剂层暴露于光化辐射; (d)烘烤曝光的光致抗蚀剂层; (e)通过使经烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触来形成第一抗蚀剂图案; (f)通过使用涂料组合物处理第一抗蚀剂图案,所述涂料组合物包括用于相对于不同于第一显影剂的第二显影剂将第一抗蚀剂图案的侧壁区域的溶解度从溶解度改变为不溶性的装置; 并且(g)通过使经处理的第一抗蚀剂图案与第二显影剂接触以除去溶解度改变的侧壁区域,从而形成多个图案,从而去除第一抗蚀剂图案的一部分。 用于形成多个图案的方法在用于形成精细光刻图案的半导体制造工业中具有特定的适用性。
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