다중 패턴의 형성 방법
    9.
    发明公开
    다중 패턴의 형성 방법 审中-实审
    形成多图案的方法

    公开(公告)号:KR1020170104136A

    公开(公告)日:2017-09-14

    申请号:KR1020170112648

    申请日:2017-09-04

    Abstract: 다중패턴의형성방법이제공된다. 이방법은 (a) 패턴화될하나이상의층을포함하는반도체기판을제공하는단계; (b) 산불안정성그룹을포함하는매트릭스폴리머; 광산발생제; 및용매를포함하는조성물로부터형성된포토레지스트층을패턴화될하나이상의층 위에형성하는단계; (c) 포토레지스트층을활성화조사선에패턴식으로노광하는단계; (d) 노광된포토레지스트층을베이킹하는단계; (e) 베이킹된포토레지스트층을제1 현상제와접촉하여제1 레지스트패턴을형성하는단계; (f) 제1 레지스트패턴의측벽영역의용해도를제1 현상제와상이한제2 현상제에대해용해성에서불용성으로변경하기위한수단을포함하는코팅조성물로제1 레지스트패턴을처리하는단계; 및 (g) 처리된제1 레지스트패턴을제2 현상제와접촉하여제1 레지스트패턴의일부를제거함으로써용해도-변경된측벽영역을남겨다중-패턴을형성하는단계를포함한다. 상기방법은미세리소그래피패턴의형성을위한반도체제조산업에서특정응용성을가진다.

    Abstract translation: 提供了形成多个图案的方法。 该方法包括以下步骤:(a)提供包括至少一个待图案化的层的半导体衬底; (b)包含酸稳定基团的基质聚合物; 光酸发生器; 在至少一个待图案化的层上形成由包含溶剂的组合物形成的光致抗蚀剂层; (c)用激活辐射图案化光致抗蚀剂层; (d)烘烤曝光的光致抗蚀剂层; (e)使烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触以形成第一抗蚀剂图案; (f)对于不同于第一显影剂的第二显影剂,将第一抗蚀剂图案的侧壁区域的可溶性从可溶性改变为不可溶的装置; 及(g)通过除去第一抗蚀剂图案修饰的侧壁和离开该区域的多并形成图案的一部分处理过的第一抗蚀图案和第二显影剂溶解度接触。 该方法在半导体制造工业中特别适用于形成微光刻图案。

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