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公开(公告)号：KR1020110024531A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090082565
申请日：2009-09-02
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/044 , H01L27/323 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L51/5253 , H01B5/14
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device is provided to reduce manufacturing costs by implementing a touch panel function without the increase of the thickness. CONSTITUTION: A first touch sensing electrode layer(21) is formed on a substrate(10). A first protection layer(24) is formed on a first touch sensing electrode layer. A ground layer(30) which is electrically grounded is formed on the front of the first protection layer. An insulation layer(11) is formed on the ground layer. An organic light emitting device(40) is formed on the insulation layer.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置，通过实现触摸面板功能而不增加厚度来降低制造成本。 构成：在基板（10）上形成第一触摸感测电极层（21）。 第一保护层（24）形成在第一触摸感测电极层上。 电接地的接地层（30）形成在第一保护层的前面。 绝缘层（11）形成在接地层上。 在绝缘层上形成有机发光器件（40）。
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公开(公告)号：KR1020110003201A
公开(公告)日：2011-01-11
申请号：KR1020090060851
申请日：2009-07-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L2251/558 , H01L51/5203
Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to improve the property of an organic electroluminescent display device by preventing the light transmittance degradation due to an organic layer which is located in a light emitting side. CONSTITUTION: A substrate(100) comprises a light emitting region(a) and a non-light-emitting region(b). A buffer layer(110) is located on the substrate. A semiconductor layer(120) is located in the non-light-emitting region on the buffer layer. A gate insulating layer(130) is located on the substrate. A first electrode(132) is located on the gate insulating layer. An interlayer insulating layer(140) opens a part of the first electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种有机电致发光显示装置及其制造方法，以通过防止由位于发光侧的有机层引起的光透射率劣化来改善有机电致发光显示装置的性能。 构成：基板（100）包括发光区域（a）和非发光区域（b）。 缓冲层（110）位于基板上。 半导体层（120）位于缓冲层上的非发光区域中。 栅极绝缘层（130）位于衬底上。 第一电极（132）位于栅极绝缘层上。 层间绝缘层（140）打开第一电极的一部分。
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13.发明授权커패시터와 박막 트랜지스터를 갖는 기판, 이를 구비한평판 디스플레이 장치 및 상기 커패시터와 박막트랜지스터를 갖는 기판의 제조방법 有权薄膜晶体管基板，包括其的平板显示器以及制造薄膜晶体管基板的方法
公开(公告)号：KR100958640B1
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：KR1020080053816
申请日：2008-06-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1255 , H01L29/4908
Abstract: A flat panel display including a semiconductor circuit, and a method of manufacturing the semiconductor circuit are disclosed. In one embodiment, the semiconductor circuit includes i) a substrate, ii) a semiconductor layer and a first capacitor electrode formed on the substrate, the first capacitor electrode being doped to be conductive, iii) an insulating layer covering the semiconductor layer and the first capacitor electrode, iv) a gate electrode disposed on the insulating layer and corresponding to a portion of the semiconductor layer, and v) a second capacitor electrode disposed on the insulating layer and corresponding to the first capacitor electrode, wherein the gate electrode is thicker than the second capacitor electrode.
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公开(公告)号：KR100943187B1
公开(公告)日：2010-02-19
申请号：KR1020080046635
申请日：2008-05-20
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L2227/323
Abstract: 본 발명은, 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터의 활성층, 및 상기 활성층과 동일층에 동일물질로 이격되어 형성된 커패시터의 제1하부전극; 상기 활성층 상의 가장자리에 분리형성된 제1도전층, 및 상기 제1도전층과 동일층에 동일물질로 상기 제1하부전극 상에 형성된 커패시터의 제1상부전극; 상기 기판, 제1도전층, 및 제1상부전극 상에 형성된 제1절연층; 상기 제1절연층을 사이에 두고 상기 활성층 중앙 영역에 대응하는 제2도전층, 상기 제2도전층과 동일층에 동일물질로 상기 커패시터의 제1전극 상에 형성된 제2하부전극, 및 상기 제2도전층과 동일층에 동일 물질로 이격되어 형성된 화소 전극; 상기 제2도전층 상에 형성된 제3도전층, 및 상기 제3도전층과 동일층에 동일물질로 제2하부전극 상에 형성된 제2상부전극; 상기 제3도전층, 제2상부 전극, 및 화소 전극 상에 형성된 제2절연층; 및 상기 화소 전극과 접촉하며 상기 제2절연층 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극, 소스 및 드레인 전극과 동일층에 동일 물질로 상기 제2상부전극 상에 형성된 커패시터의 제3전극;을 포함하는 평판 표시 장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020090120698A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：KR1020080046635
申请日：2008-05-20
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L2227/323 , H01L29/786 , H01L21/32055 , H01L27/1288 , H01L33/12 , H01L2251/558 , H01L2924/13069
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a manufacturing method thereof are provided to increase capacity of a capacitor without increase of a dimension of the capacitor by forming the capacitor through three electrodes and two dielectric layers. CONSTITUTION: An organic light emitting device(1) includes an active layer, a first bottom electrode, a first conductive layer, a first top electrode, a first insulation layer, a second conductive layer, a second bottom electrode, a pixel electrode, a third conductive layer, a second top electrode, a second insulation layer, a source electrode, a drain electrode, and a third electrode. The active layer(212) of a thin film transistor(2) is formed on the substrate. The first bottom electrode of the capacitor(3) is made of the same material as the active layer. The first conductive layer is formed in an edge on the active layer. The first top electrode of the capacitor is formed on the first bottom electrode. The first insulation layer(14) is formed on the substrate(10), the first conductive layer, and the first top electrode. The second conductive layer corresponds to a central region of the active layer. The second bottom electrode is formed on the first electrode of the capacitor. The pixel electrode(415) is made of the same material as the second conductive layer. The third conductive layer is formed on the second conductive layer. The second top electrode is formed on the second bottom electrode. The second insulation layer(17) is formed on the third conductive layer, the second top electrode, and the pixel electrode. The source electrode(218a) and the drain electrode(218b) are formed on the second insulation layer. The third electrode of the capacitor is formed on the second top electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其制造方法，以通过三电极和两个电介质层形成电容器来增加电容器的容量而不增加电容器的尺寸。 构成：有机发光器件（1）包括有源层，第一底电极，第一导电层，第一顶电极，第一绝缘层，第二导电层，第二底电极，像素电极， 第三导电层，第二顶电极，第二绝缘层，源电极，漏电极和第三电极。 薄膜晶体管（2）的有源层（212）形成在基板上。 电容器（3）的第一底部电极由与有源层相同的材料制成。 第一导电层形成在有源层的边缘上。 电容器的第一顶部电极形成在第一底部电极上。 第一绝缘层（14）形成在基板（10），第一导电层和第一顶部电极上。 第二导电层对应于有源层的中心区域。 第二底部电极形成在电容器的第一电极上。 像素电极（415）由与第二导电层相同的材料制成。 第三导电层形成在第二导电层上。 第二顶部电极形成在第二底部电极上。 第二绝缘层（17）形成在第三导电层，第二顶电极和像素电极上。 源电极（218a）和漏电极（218b）形成在第二绝缘层上。 电容器的第三电极形成在第二顶电极上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100898297B1
公开(公告)日：2009-05-18
申请号：KR1020070125617
申请日：2007-12-05
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H05B33/10 , G02F1/1333 , H01L51/56 , H05B33/14 , H05B33/26
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 금속막 패턴의 제조 방법은, 기판 위에 금속막을 형성하는 단계, 금속막 위에 감광막을 형성하고, 감광막을 노광 및 현상하여 마스크 패턴을 형성하는 단계, 마스크 패턴을 에칭 마스크로 사용하고, 제1 반응 가스 분위기에서 유도 결합 플라즈마 방법으로 금속막을 에칭하는 단계, 제2 반응 가스 분위기에서 유도 결합 플라즈마 방법으로 에싱하여 감광막을 1차 제거하는 단계, 제3 반응 가스 분위에서 유도 결합 플라즈마 방법으로 제1 반응 가스에서 제공된 이온 중 잔류하는 이온을 치환시키는 단계 및 스트리퍼를 이용하여 기판 위에 잔류하는 감광막을 2차 제거하는 단계를 포함한다.
배선, 금속 배선, 에칭, 유도 결합 플라즈마, 알루미늄 합금, 니켈-
公开(公告)号：KR1020110101759A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020100020998
申请日：2010-03-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/3248 , H01L51/5218 , H01L2227/323 , H01L2251/10
Abstract: An organic light emitting diode (OLED) display that includes a substrate, a thin film transistor, and a pixel electrode. The thin film transistor is formed on the substrate and includes a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode. The pixel electrode is electrically connected to the thin film transistor and is formed on the same layer as the source electrode and the drain electrode. The source electrode and the drain electrode include a first conductive layer, and the pixel electrode includes a first conductive layer and a second conductive layer stacked thereon.
Abstract translation: 一种有机发光二极管（OLED）显示器，其包括基板，薄膜晶体管和像素电极。 薄膜晶体管形成在基板上并且包括半导体层，栅电极，源电极和漏电极。 像素电极电连接到薄膜晶体管并且形成在与源电极和漏电极相同的层上。 源电极和漏电极包括第一导电层，并且像素电极包括堆叠在其上的第一导电层和第二导电层。
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公开(公告)号：KR101065413B1
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020090060851
申请日：2009-07-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L2251/558
Abstract: 본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로써, 더 상세하게는 발광영역과 비발광영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상의 비발광영역에 위치하는 반도체층; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 발광영역 상에 위치하는 제 1 전극; 상기 게이트 절연막 상에 위치하며, 상기 비발광영역 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부를 개구시키는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층 및 상기 제 1 전극과 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부를 개구시키는 보호막; 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기막; 및 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
유기전계발광표시장치, 배면발광-
公开(公告)号：KR1020110090308A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：KR1020100010012
申请日：2010-02-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/56 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/52 , H01L27/1255 , H01L29/4908 , H01L51/56 , H01L27/3276 , H01L27/3262 , H01L27/3265
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting diode display device and a fabricating method of the same are provided to use conventional etchant by using an aluminum alloy single layer as a second conductor layer and a source/drain electrode. CONSTITUTION: In an organic light emitting diode display device and a fabricating method of the same, a semiconductor layer(30) is formed in a TFT area on a substrate(10). A gate insulating layer(40) is formed over the substrate including the semiconductor layer. A bottom electrode(70) is formed in the pixel region of the substrate on the gate insulating layer. The gate electrode corresponds to the semiconductor layer on the gate insulating layer. An inter-layer insulating layer is formed on the front side of the gate insulating layer including the bottom electrode and the gate electrode while exposing a part of the bottom electrode to the outside. A single layer is formed in the inter-layer insulating layer and includes the source/drain electrode. The bottom electrode and the gate electrode are formed in the first electrode layer and a second electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光二极管显示装置及其制造方法，以通过使用铝合金单层作为第二导体层和源极/漏极来使用常规蚀刻剂。 构成：在有机发光二极管显示装置及其制造方法中，在基板（10）的TFT区域中形成有半导体层（30）。 在包括半导体层的衬底之上形成栅极绝缘层（40）。 在栅极绝缘层上的衬底的像素区域中形成底部电极（70）。 栅电极对应于栅极绝缘层上的半导体层。 在包括底部电极和栅电极的栅极绝缘层的前侧上形成层间绝缘层，同时将底部电极的一部分暴露于外部。 在层间绝缘层中形成单层，并且包括源极/漏极。 底电极和栅电极形成在第一电极层和第二电极中。
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公开(公告)号：KR1020110052213A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：KR1020090109161
申请日：2009-11-12
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/322 , H01L27/1214 , H01L27/3258 , H01L2227/323 , H01L27/3265 , H05B3/14
Abstract: PURPOSE: A display device is provided to use a red color filter layer as an interlayer insulating film to electrically insulate a gate electrode and source/drain electrodes, thereby removing a separate process for forming a color filter layer. CONSTITUTION: A substrate(200) comprises a red sub pixel area, a green sub pixel area, and a blue sub pixel area. A buffer layer(210) is formed on the substrate. A gate insulating film(230) is formed on the entire substrate including a poly silicon pattern. A semiconductor layer includes source/drain areas(220a,220c) and a channel area(220b). The semiconductor layer is formed on a transistor area of each sub pixel area. A first capacitor electrode(220d) is formed on a capacitor area of each sub pixel area.
Abstract translation: 目的：提供一种使用红色滤色器层作为层间绝缘膜的显示装置，以使栅电极和源/漏电极电绝缘，由此去除用于形成滤色器层的单独处理。 构成：衬底（200）包括红色子像素区域，绿色子像素区域和蓝色子像素区域。 在衬底上形成缓冲层（210）。 在包括多晶硅图案的整个基板上形成栅绝缘膜（230）。 半导体层包括源/漏区（220a，220c）和沟道区（220b）。 半导体层形成在每个子像素区域的晶体管区域上。 在每个子像素区域的电容器区域上形成第一电容器电极（220d）。
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