公开(公告)号：KR101035357B1

公开(公告)日：2011-05-20

申请号：KR1020090125032

申请日：2009-12-15

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김광숙 ,  김민규

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/06

Abstract: PURPOSE: An oxide semiconductor thin film transistor, a manufacturing method thereof, and an organic electroluminescent device including the same are provided to improve the stability of a device by increasing the intensity of the exposed part of an oxide semiconductor layer by inclining the density of Zn in a HfInZno based oxide semiconductor layer. CONSTITUTION: A buffer layer is formed on a substrate(11). A gate electrode(13) is formed on the buffer layer. A gate insulation layer(15) is formed on the gate electrode and the exposed substrate. An oxide semiconductor layer(17) made of HfInZnO based oxide semiconductor with the incline density of Zn is formed on the gate insulation layer. A source/drain(19) is extended from both sides of the oxide semiconductor layer to the gate insulation layer.

Abstract translation: 目的：提供氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法以及包含该氧化物半导体薄膜晶体管的有机电致发光器件，以通过使Zn的密度倾斜来增加氧化物半导体层的暴露部分的强度来提高器件的稳定性 在HfInZno基氧化物半导体层中。 构成：在衬底（11）上形成缓冲层。 在缓冲层上形成栅电极（13）。 栅极绝缘层（15）形成在栅电极和暴露的衬底上。 在栅绝缘层上形成由HfInZnO系氧化物半导体构成的具有斜率为Zn的氧化物半导体层（17）。 源极/漏极（19）从氧化物半导体层的两侧延伸到栅极绝缘层。

公开(公告)号：KR100982314B1

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020080064957

申请日：2008-07-04

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 양희원 ,  김광숙

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치에 관한 것으로써, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막에 의해 상기 게이트 전극과 절연되며, 채널영역 및 소스/드레인영역을 포함하는 산화물 반도체층; 및 상기 산화물 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 산화물 반도체층과 상기 소스/드레인 전극 사이에는 콘택층을 포함하며, 상기 콘택층은 GIZO 및 IZO를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막에 의해 상기 게이트 전극과 절연되며, 채널영역 및 소스/드레인영역을 포함하는 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극; 상기 기판 전면에 걸쳐 위치하는 보호막; 및 상기 소스/드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 전극, 유기막층 및 제 2 전극을 포함하며, 상기 산화물 반도체층과 상기 소스/드레인 전극 사이에는 콘택층을 포함하며, 상기 콘택층은 GIZO 및 IZO를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
GIZO 반도체층

公开(公告)号：KR100963104B1

公开(公告)日：2010-06-14

申请号：KR1020080066002

申请日：2008-07-08

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 하재흥 ,  송영우 ,  이종혁 ,  정종한 ,  김민규 ,  모연곤 ,  정재경 ,  정현중 ,  김광숙 ,  양희원 ,  최천기

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 본 발명은 산소를 포함하는 화합물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 절연막에 의해 게이트 전극과 절연되며 산소를 포함하는 화합물 반도체로 이루어진 활성층, 활성층 상부에 형성된 보호층, 및 활성층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 보호층이 산소와의 결합력을 갖는 무기물을 포함하는 산화물로 이루어진다.
화합물 반도체, 활성층, 보호층, 무기 산화물, 광 흡수

Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管，具有制造的方法，和含有氧作为活性层的化合物半导体的薄膜晶体管的平板显示装置，薄膜​​晶体管包括形成在基板上的栅极电极，通过栅极绝缘膜的绝缘栅电极 由包括源电极和与保护层接触的漏电极，以及形成在所述有源层上的有源层，所述有源层，上由含有氧，氧化物的，其包括具有与氧的结合力的无机材料的保护层的化合物半导体构成。

公开(公告)号：KR100963026B1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：KR1020080062417

申请日：2008-06-30

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 김민규 ,  정종한 ,  안태경 ,  정재경 ,  모연곤 ,  박진성 ,  정현중 ,  김광숙 ,  양희원

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78606

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극 및 드레인 전극과 일부 중첩되며 산화물 반도체로 이루어진 활성층, 게이트 절연층에 의해 활성층과 절연되는 게이트 전극 및 활성층의 상부면 및 하부면 중 적어도 일 면에 형성된 계면 안정화층을 포함하며, 계면 안정화층이 3.0 내지 8.0eV의 밴드갭을 갖는 산화물로 이루어진다. 산화물을 포함하는 계면 안정화층은 게이트 절연층 및 보호층과 동질성을 갖기 때문에 화학적으로 높은 계면 안정성을 유지하며, 활성층과 같거나 활성층보다 큰 밴드갭을 갖기 때문에 물리적으로 전하 트랩핑을 억제한다.
산화물 반도체, 활성층, 계면 안정화층, 밴드갭, 전하 트랩핑

Abstract translation: 本发明涉及一种具有薄膜晶体管，其制造方法，以及氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的平板显示装置，薄膜​​晶体管包括：形成在所述基板和漏电极，源电极和漏电极上形成源电极和部分重叠 由氧化物半导体制成的有源层，有源层和绝缘栅电极和形成的至少一个表面上的界面稳定层的有源层的上表面和下表面的，所述界面稳定层具有3.0的带隙到8.0eV是通过栅极绝缘层 据的具有氧化物形成。 包含氧化物的界面稳定层被保持在化学上高的界面稳定性，因为其具有的栅极绝缘层和所述保护层和亲和力，并且抑制电荷俘获在物理上是因为它具有更大的带隙比有源层，或相同的有源层。

公开(公告)号：KR1020100005900A

公开(公告)日：2010-01-18

申请号：KR1020080066002

申请日：2008-07-08

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 하재흥 ,  송영우 ,  이종혁 ,  정종한 ,  김민규 ,  모연곤 ,  정재경 ,  정현중 ,  김광숙 ,  양희원 ,  최천기

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor forming a protective layer is provided to prevent the degradation of the electrical characteristic of the thin film transistor due to the damage of the active layer by forming the protective layer on the top of the active layer into the inorganic oxide. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed on the substrate(10). An active layer(14) is insulated to the gate electrode by gate insulating layer(13). The active layer is comprised of the compound semiconductor. The compound semiconductor comprises the oxygen. A protective layer(15) is formed in the top of the active layer. A source electrode(16a) and drain electrode(16b) are touched with the active layer. The protective layer is comprised of the oxide. The oxide includes the inorganic material. The inorganic material has the coherence with the oxygen. One or more ion can be doped in the compound semiconductor.

Abstract translation: 目的：提供形成保护层的薄膜晶体管，以通过在有源层的顶部形成保护层而形成无机氧化物，以防止由于有源层的损坏导致的薄膜晶体管的电特性的劣化。 构成：在基板（10）上形成栅电极（12）。 有源层（14）通过栅极绝缘层（13）与栅电极绝缘。 有源层由化合物半导体构成。 化合物半导体包括氧气。 在有源层的顶部形成保护层（15）。 源极电极（16a）和漏电极（16b）与有源层接触。 保护层由氧化物构成。 氧化物包括无机材料。 无机材料与氧气具有一致性。 可以在化合物半导体中掺杂一种或多种离子。

公开(公告)号：KR1020100004662A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：KR1020080064957

申请日：2008-07-04

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 양희원 ,  김광숙

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/458

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a fabricating method of the thin film transistor and organic light emitting display device comprising the same are provided to improve an off-current characteristic by forming a contact layer with materials having different densities. CONSTITUTION: A gate electrode is located on a substrate. A gate insulating layer is located on the surface of the gate electrode. An oxide semiconductor layer(140) is insulated from the gate electrode with the gate insulating layer. The oxide semiconductor layer comprises a channel region, a source, drain regions(140s,140d). The source and drain electrode are electrically connected to the oxide semiconductor layer. The contact layer is included between the oxide semiconductor layer, source, and drain electrode.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，薄膜晶体管的制造方法和包括该薄膜晶体管的有机发光显示装置，以通过与具有不同密度的材料形成接触层来改善截止电流特性。 构成：栅电极位于基板上。 栅极绝缘层位于栅电极的表面上。 氧化物半导体层（140）与栅电极与栅极绝缘层绝缘。 氧化物半导体层包括沟道区，源极，漏极区（140s，140d）。 源极和漏极电连接到氧化物半导体层。 接触层包括在氧化物半导体层，源极和漏极之间。

公开(公告)号：KR1020090085738A

公开(公告)日：2009-08-10

申请号：KR1020080011492

申请日：2008-02-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박진성 ,  김광숙 ,  정종한 ,  정재경 ,  모연곤

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/06 ,  H01L29/26

Abstract: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and a flat panel display device including the same are provided to improve an electrical property of a device by easily reducing high carrier concentration of an oxide semiconductor layer. A thin film transistor includes a substrate(10), a gate electrode(11), an oxide semiconductor layer(13), a source electrode(14a), and a drain electrode(14b). The gate electrode is formed on the substrate. The oxide semiconductor layer is insulated from the gate electrode by a gate insulation film(12). The oxide semiconductor layer includes a channel region, a source region, and a drain region. The oxide semiconductor layer is an IZO(Indium Zinc Oxide) including Zr. The source electrode and the drain electrode are contacted with the source region and the drain region.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置，通过容易地降低氧化物半导体层的高载流子浓度来提高器件的电性能。 薄膜晶体管包括基板（10），栅电极（11），氧化物半导体层（13），源电极（14a）和漏电极（14b）。 栅电极形成在基板上。 氧化物半导体层通过栅极绝缘膜（12）与栅电极绝缘。 氧化物半导体层包括沟道区，源极区和漏极区。 氧化物半导体层是包含Zr的IZO（氧化铟锌）。 源电极和漏电极与源极区域和漏极区域接触。