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公开(公告)号：KR1020110051799A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：KR1020090108569
申请日：2009-11-11
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L2924/13069
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and an organic light emitting display device with the same are provided to form an active layer by adding a material whose atom radius is similar to Zn or Sn to an oxide semiconductor to form an active layer, thereby increasing reliability of the oxide semiconductor. CONSTITUTION: A buffer layer(12) is formed on a substrate(10). An oxide semiconductor layer(18) is composed of source/drain areas(18b,18c) and a channel area(18a). A gate electrode(14) forms an area overlapped with the channel area. A gate insulating film(16) is formed between the oxide semiconductor and the gate electrode. Source/drain electrodes(20a,20b) are respectively electrically connected to the source/drain areas of the oxide semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其有机发光显示装置，通过向氧化物半导体添加原子半径与Zn或Sn相似的材料形成有源层以形成有源层以形成有源层，从而增加可靠性 氧化物半导体。 构成：在衬底（10）上形成缓冲层（12）。 氧化物半导体层（18）由源极/漏极区域（18b，18c）和沟道区域（18a）组成。 栅电极（14）形成与沟道区重叠的区域。 在氧化物半导体和栅电极之间形成栅极绝缘膜（16）。 源极/漏极电极（20a，20b）分别电连接到氧化物半导体层的源极/漏极区域。
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公开(公告)号：KR100963003B1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080011492
申请日：2008-02-05
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 절연막에 의해 게이트 전극과 절연되며 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공하는 산화물 반도체층, 그리고 소스 영역 및 드레인 영역과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 산화물 반도체층이 지르코늄(Zr)을 포함하는 InZnO(IZO)층으로 이루어지고, Zr에 의해 IZO층의 케리어 농도가 1e+13 내지 1e+18개수/㎤로 조절된다.
산화물 반도체, InZnO(IZO), 지르코늄(Zr), 케리어 농도Abstract translation: 本发明涉及一种具有薄膜晶体管，其制造方法，以及氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的平板显示装置，但本发明的晶体管由栅极电极与栅极电极隔离，形成在基板上的栅极绝缘膜 提供沟道区，源极区和漏极区以及与源极区和漏极区接触的源电极和漏电极的氧化物半导体层。 氧化物半导体层由InZnO制成的（IZO）层包括锆（Zr），是由Zr的浓度控制到载体1E + 13至1e + 18号/㎤IZO层。
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公开(公告)号：KR1020100002503A
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：KR1020080062417
申请日：2008-06-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606 , G02F1/1368 , H01L27/3262 , H01L29/66742
Abstract: PURPOSE: A flat panel display for including a thin film transistor, a manufacturing method thereof and a thin film transistor are provided to physically control the charge trapping and the active layer protected at the same time. CONSTITUTION: A source electrode and a drain electrode are formed on a substrate. A part of an activation layer(13) is overlapped with the source/drain electrode. The active layer is included of the oxide semiconductor. A gate electrode is insulated on a gate insulating layer. An interface stabilization layer(14) is formed in the upper side and lower surface of the active layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于包括薄膜晶体管的平板显示器，其制造方法和薄膜晶体管，以物理地控制同时保护的电荷俘获和有源层。 构成：在基板上形成源电极和漏电极。 活化层（13）的一部分与源/漏电极重叠。 活性层包括氧化物半导体。 栅电极在栅极绝缘层上绝缘。 界面稳定层（14）形成在有源层的上侧和下表面。
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公开(公告)号：KR1020090124527A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020080050802
申请日：2008-05-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/78618
Abstract: PURPOSE: A flat panel display for including a TFT(Thin Film Transistor) for performing an ohmic contact of a metal electrode and an oxide semiconductor layer, and a manufacturing method thereof are provided to form an ohmic contact layer with high carrier concentration by processing the oxide semiconductor layer through a plasma. CONSTITUTION: A gate electrode(14) is formed on a substrate. An oxide semiconductor layer(18a) comprises a channel, a source and a drain region insulated with a gate insulating layer(16). A source and drain electrode are connected to source and drain region. An ohmic contact layer(18b) is allowed in between a source and drain region and source and drain electrode. The ohmic contact layer includes the oxide semiconductor layer with carrier concentration high than source and drain region.
Abstract translation: 目的：提供一种用于包括用于执行金属电极和氧化物半导体层的欧姆接触的TFT（薄膜晶体管）的平板显示器及其制造方法，以通过加工来形成具有高载流子浓度的欧姆接触层 氧化物半导体层。 构成：在基板上形成栅电极（14）。 氧化物半导体层（18a）包括通过栅极绝缘层（16）绝缘的沟道，源极和漏极区域。 源极和漏极连接到源极和漏极区。 欧姆接触层（18b）被允许在源极和漏极区域以及源极和漏极之间。 欧姆接触层包括载流子浓度高于源极和漏极区的氧化物半导体层。
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公开(公告)号：KR1020090105561A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：KR1020080031093
申请日：2008-04-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1343 , G02F2201/40 , H01L29/786
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a flat panel display device with the same are provided to prevent electric characteristics from lowering due to damage to an oxide semiconductor layer, thereby obtaining capacitance of a capacitor without increasing surface area. CONSTITUTION: A semiconductor device includes a substrate(10), a lower electrode(14b), an insulating layer(16), an upper electrode(18b), a protective film(20), a source electrode(22a), and a drain electrode(22b). The substrate includes the first area and the second area. The lower electrode is formed on a gate electrode(14a) and a substrate of the second area. The insulating layer is formed on an upper part of the semiconductor device including the gate electrode and the lower electrode. The upper electrode is made of a channel area, an activation layer(18a) and an oxide semiconductor on the insulating layer of the lower electrode. The protective layer is patterned to expose an upper electrode and the source and drain areas.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件和具有该半导体器件的平板显示器件，以防止由于氧化物半导体层的损坏导致的电特性降低，从而获得电容器的电容而不增加表面积。 构成：半导体器件包括衬底（10），下电极（14b），绝缘层（16），上电极（18b），保护膜（20），源电极（22a）和漏极 电极（22B）。 基板包括第一区域和第二区域。 下电极形成在栅极电极（14a）和第二区域的衬底上。 绝缘层形成在包括栅电极和下电极的半导体器件的上部。 上部电极由下部电极的绝缘层上的沟道区域，活化层（18a）和氧化物半导体构成。 图案化保护层以暴露上电极和源极和漏极区域。
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Patent Agency Ranking6.发明授权
公开(公告)号：KR101097322B1
公开(公告)日：2011-12-23
申请号：KR1020090125031
申请日：2009-12-15
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 김광숙
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/3262
Abstract: 기판, 상기기판상의게이트전극, 상기게이트전극및 노출된상기기판위의게이트절연막, 상기게이트절연막위에서상기게이트전극과마주보는위치에있으면서, Hf의농도가 9~15 at %의범위에있는 HfInZnO계로이루어진산화물반도체층및 상기산화물반도체층의양측으로부터상기게이트절연막위로연장되는소스/드레인영역을포함하는박막트랜지스터가제공된다.
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公开(公告)号：KR101084173B1
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：KR1020090102282
申请日：2009-10-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/52 , H01L51/56 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/1225 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L51/52 , H01L51/5237 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/5346
Abstract: 본 발명은 외부로부터의 수분이나 산소 등의 침투를 방지하고 대형 표시장치에의 적용이 용이하며 양산성이 뛰어난 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 절연된 활성층, 상기 게이트 전극과 절연되고 상기 활성층에 콘택되는 소스 및 드레인 전극, 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 활성층의 사이에 개재된 절연층을 포함하는 박막 트랜지스터; 및 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 유기 발광 소자;를 포함하고, 상기 절연층은, 상기 활성층에 접하는 제1절연층; 및 상기 제1절연층 상에 금속 산화물로 구비된 제2절연층;을 포함하는 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明防止水或氧从外部和易于应用到大尺寸的显示装置，具有优异的量产的有机发光显示装置以及旨在提供制造方法，栅电极，栅电极和绝缘的方法 的有源层，一个薄膜晶体管，包括源极和漏极电极之间的绝缘层，并且源电极和漏电极，并接触所述栅电极和所述有源层上的绝缘有源层; 以及与所述薄膜晶体管电连接的有机发光器件，其中所述绝缘层包括：与所述有源层接触的第一绝缘层; 以及在第一绝缘层上由金属氧化物形成的第二绝缘层及其制造方法。
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公开(公告)号：KR1020110045628A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020090102282
申请日：2009-10-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/52 , H01L51/56 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/1225 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L51/52 , H01L51/5237 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/5346
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and manufacturing method thereof are provided to cover an active layer by an insulating layer to increase the barrier effect for the active layer, thereby sufficiently protecting the active layer from moisture and oxygen. CONSTITUTION: A gate electrode is formed on a substrate. A gate insulating layer covers the gate electrode. A patterned active layer(23) is formed on the gate insulating layer. An insulating layer(24) is formed on the gate insulating layer to cover the active layer. A source electrode(25) and a drain electrode(26) contacts the active layer. The source electrode and the drain electrode are formed on the insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其制造方法，以通过绝缘层覆盖有源层，以增加有源层的屏障效果，从而充分保护有源层免受湿气和氧气的侵害。 构成：在基板上形成栅电极。 栅极绝缘层覆盖栅电极。 在栅极绝缘层上形成有图案的有源层（23）。 绝缘层（24）形成在栅绝缘层上以覆盖有源层。 源电极（25）和漏电极（26）接触有源层。 源电极和漏电极形成在绝缘层上。
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公开(公告)号：KR101113370B1
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020090108569
申请日：2009-11-11
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 아연주석산화물(ZnSnO)로 구현되는 산화물 반도체에 산소와의 전기 음성도 차이가 크고 원자반경이 상기 Zn 또는 Sn과 유사한 전이 금속 물질을 첨가하여 활성층을 형성함으로써, 캐리어의 농도를 조절하고 산화물 반도체의 신뢰성을 향상시킴을 통해 안정적인 신뢰성 및 전기적 특성을 구현하는 박막트랜지스터 및 이를 구비한 유기전계 발광 표시장치를 제공한다.
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10.发明公开
公开(公告)号：KR1020110068181A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：KR1020090125031
申请日：2009-12-15
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
Inventor： 김광숙
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/3262 , H01L29/06
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method of manufacturing the thin film transistor and an organic electro-luminiscent device having the thin film transistor are provided to increase the stability of a device by making the concentration of a Hf and an Zn inside an HfInZnO group oxide semiconductor layer slope. CONSTITUTION: A gate electrode(13) is formed on a substrate. A gate insulating layer(15) is formed on the gate electrode and an exposed substrate. An oxide semiconductor layer is formed in the gate insulating layer and is opposite to the gate electrode. The oxide semiconductor layer is made of the HfInZnO system oxide semiconductor. Source/drain regions(19) are extended from the both sides of the oxide semiconductor layer to the gate insulating layer. Third-fourth oxide semiconductor layer are formed on the oxide semiconductor layer. The oxide semiconductor layer is arranged of the fourth layer above the third layer above the gate insulating layer and the third layer. The concentration of the Zn of the fourth layer is higher than that of the third layer.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，制造薄膜晶体管的方法和具有薄膜晶体管的有机电致发光器件，以通过使HfInZnO基团内的Hf和Zn的浓度提高器件的稳定性 氧化物半导体层斜率。 构成：在基板上形成栅电极（13）。 在栅电极和暴露的基板上形成栅极绝缘层（15）。 在栅极绝缘层中形成氧化物半导体层并与栅电极相对。 氧化物半导体层由HfInZnO体系氧化物半导体构成。 源极/漏极区域（19）从氧化物半导体层的两侧延伸到栅极绝缘层。 第三第四氧化物半导体层形成在氧化物半导体层上。 氧化物半导体层在栅极绝缘层和第三层上方的第三层上方布置第四层。 第四层的Zn浓度高于第三层的Zn浓度。
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