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公开(公告)号：KR101084173B1
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：KR1020090102282
申请日：2009-10-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/52 , H01L51/56 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/1225 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L51/52 , H01L51/5237 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/5346
Abstract: 본 발명은 외부로부터의 수분이나 산소 등의 침투를 방지하고 대형 표시장치에의 적용이 용이하며 양산성이 뛰어난 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 절연된 활성층, 상기 게이트 전극과 절연되고 상기 활성층에 콘택되는 소스 및 드레인 전극, 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 활성층의 사이에 개재된 절연층을 포함하는 박막 트랜지스터; 및 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 유기 발광 소자;를 포함하고, 상기 절연층은, 상기 활성층에 접하는 제1절연층; 및 상기 제1절연층 상에 금속 산화물로 구비된 제2절연층;을 포함하는 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明防止水或氧从外部和易于应用到大尺寸的显示装置，具有优异的量产的有机发光显示装置以及旨在提供制造方法，栅电极，栅电极和绝缘的方法 的有源层，一个薄膜晶体管，包括源极和漏极电极之间的绝缘层，并且源电极和漏电极，并接触所述栅电极和所述有源层上的绝缘有源层; 以及与所述薄膜晶体管电连接的有机发光器件，其中所述绝缘层包括：与所述有源层接触的第一绝缘层; 以及在第一绝缘层上由金属氧化物形成的第二绝缘层及其制造方法。
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公开(公告)号：KR1020110045628A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：KR1020090102282
申请日：2009-10-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/52 , H01L51/56 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/1225 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L51/52 , H01L51/5237 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/5346
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and manufacturing method thereof are provided to cover an active layer by an insulating layer to increase the barrier effect for the active layer, thereby sufficiently protecting the active layer from moisture and oxygen. CONSTITUTION: A gate electrode is formed on a substrate. A gate insulating layer covers the gate electrode. A patterned active layer(23) is formed on the gate insulating layer. An insulating layer(24) is formed on the gate insulating layer to cover the active layer. A source electrode(25) and a drain electrode(26) contacts the active layer. The source electrode and the drain electrode are formed on the insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其制造方法，以通过绝缘层覆盖有源层，以增加有源层的屏障效果，从而充分保护有源层免受湿气和氧气的侵害。 构成：在基板上形成栅电极。 栅极绝缘层覆盖栅电极。 在栅极绝缘层上形成有图案的有源层（23）。 绝缘层（24）形成在栅绝缘层上以覆盖有源层。 源电极（25）和漏电极（26）接触有源层。 源电极和漏电极形成在绝缘层上。
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公开(公告)号：KR1020110019883A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：KR1020090077485
申请日：2009-08-21
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L31/022475 , H01L2027/11879
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device is provided to form an oxide semiconductor layer between a scanning line and a data line, thereby reducing parasitic capacitance between the scanning line and the data line. CONSTITUTION: A substrate(210) is defined by a pixel area(220) and a non pixel area(230) surrounding the pixel area. A plurality of scanning lines(224) is arranged in the first direction. A plurality of data lines(226) is arranged in the second direction crossing the scanning lines. A pixel(300) is located at each intersection of the scanning lines and the data lines. The pixel includes a plurality of thin film transistors and an organic light emitting device.
Abstract translation: 目的：提供有机发光显示装置，以在扫描线和数据线之间形成氧化物半导体层，从而减少扫描线与数据线之间的寄生电容。 构成：衬底（210）由围绕像素区域的像素区域（220）和非像素区域（230）限定。 多个扫描线（224）沿第一方向布置。 多条数据线（226）沿与扫描线交叉的第二方向排列。 像素（300）位于扫描线和数据线的每个交点处。 像素包括多个薄膜晶体管和有机发光器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101108158B1
公开(公告)日：2012-01-31
申请号：KR1020090117074
申请日：2009-11-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L51/5237 , H01L2251/5346
Abstract: 본 발명은 외부로부터의 수분이나 산소 등의 침투를 방지하고 대형 표시장치에의 적용이 용이하며 양산성이 뛰어난 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 절연된 활성층, 및 상기 게이트 전극과 절연되고 상기 활성층에 콘택되는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터과, 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결된 유기 발광 소자과, 상기 박막 트랜지스터와 유기 발광 소자의 사이에 개재된 절연층을 포함하고, 상기 절연층은, 상기 박막 트랜지스터를 덮는 제1절연층과, 상기 제1절연층 상에 금속 산화물로 구비된 제2절연층과, 상기 제2절연층 상에 금속 산화물 또는 금속 질화물로 구비된 제3절연층을 포함하는 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020110060477A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：KR1020090117074
申请日：2009-11-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L51/5237 , H01L2251/5346 , H05B33/04
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a manufacturing method thereof are provided to sufficiently protect an active layer comprised of an oxide semiconductor by improving a barrier effect of the active layer by an insulation layer. CONSTITUTION: A thin film transistor comprises a source electrode and a drain electrode in contact with an active layer. An organic light emitting device is electrically connected to the thin film transistor. An insulation layer(27) is interposed between the thin film transistor and the organic light emitting device. An insulation layer includes a first insulation layer(272), a second insulation layer(274), and a third insulation layer(276). The first insulation layer covers the thin film transistor. The second insulation layer made of metal oxide is formed on the first insulation layer. The third insulation layer is formed on the second insulation layer and is made of metal oxide or metal nitride.
Abstract translation: 目的：提供一种有机发光显示装置及其制造方法，通过提高绝缘层对有源层的阻挡效果，充分保护由氧化物半导体构成的有源层。 构成：薄膜晶体管包括与有源层接触的源电极和漏电极。 有机发光器件电连接到薄膜晶体管。 绝缘层（27）介于薄膜晶体管和有机发光器件之间。 绝缘层包括第一绝缘层（272），第二绝缘层（274）和第三绝缘层（276）。 第一绝缘层覆盖薄膜晶体管。 在第一绝缘层上形成由金属氧化物制成的第二绝缘层。 第三绝缘层形成在第二绝缘层上，由金属氧化物或金属氮化物制成。
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公开(公告)号：KR1020100082941A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：KR1020090002243
申请日：2009-01-12
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/45
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a flat display device including the same are provided to implement a large flat display device with high image quality by improving a current-voltage property by a copper wiring with small resistivity by interposing a titanium layer between the source and drain electrodes and the oxide semiconductor layer. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed on a substrate(10). A gate insulation layer(13) is formed on the upper side including the gate electrode. An oxide semiconductor layer(14) is formed on the gate insulation layer including the gate electrode. A titanium layer(15) is formed on a source area(14a) and a drain area(14b) of the oxide semiconductor layer. A source electrode(16a) and a drain electrode(16b) are connected to the source region and the drain region through the titanium layer.
Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的平板显示装置，以通过在源极和源极之间插入钛层来提高具有低电阻率的铜布线来提高具有高图像质量的大型平面显示装置 漏电极和氧化物半导体层。 构成：在基板（10）上形成栅电极（12）。 在包括栅电极的上侧形成栅极绝缘层（13）。 在包括栅电极的栅极绝缘层上形成氧化物半导体层（14）。 在氧化物半导体层的源极区（14a）和漏极区（14b）上形成有钛层（15）。 源电极（16a）和漏电极（16b）通过钛层与源极区域和漏极区域连接。
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公开(公告)号：KR100963104B1
公开(公告)日：2010-06-14
申请号：KR1020080066002
申请日：2008-07-08
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 산소를 포함하는 화합물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 절연막에 의해 게이트 전극과 절연되며 산소를 포함하는 화합물 반도체로 이루어진 활성층, 활성층 상부에 형성된 보호층, 및 활성층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 보호층이 산소와의 결합력을 갖는 무기물을 포함하는 산화물로 이루어진다.
화합물 반도체, 활성층, 보호층, 무기 산화물, 광 흡수Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管，具有制造的方法，和含有氧作为活性层的化合物半导体的薄膜晶体管的平板显示装置，薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极电极，通过栅极绝缘膜的绝缘栅电极 由包括源电极和与保护层接触的漏电极，以及形成在所述有源层上的有源层，所述有源层，上由含有氧，氧化物的，其包括具有与氧的结合力的无机材料的保护层的化合物半导体构成。
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公开(公告)号：KR100963026B1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080062417
申请日：2008-06-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극 및 드레인 전극과 일부 중첩되며 산화물 반도체로 이루어진 활성층, 게이트 절연층에 의해 활성층과 절연되는 게이트 전극 및 활성층의 상부면 및 하부면 중 적어도 일 면에 형성된 계면 안정화층을 포함하며, 계면 안정화층이 3.0 내지 8.0eV의 밴드갭을 갖는 산화물로 이루어진다. 산화물을 포함하는 계면 안정화층은 게이트 절연층 및 보호층과 동질성을 갖기 때문에 화학적으로 높은 계면 안정성을 유지하며, 활성층과 같거나 활성층보다 큰 밴드갭을 갖기 때문에 물리적으로 전하 트랩핑을 억제한다.
산화물 반도체, 활성층, 계면 안정화층, 밴드갭, 전하 트랩핑Abstract translation: 本发明涉及一种具有薄膜晶体管，其制造方法，以及氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的平板显示装置，薄膜晶体管包括：形成在所述基板和漏电极，源电极和漏电极上形成源电极和部分重叠 由氧化物半导体制成的有源层，有源层和绝缘栅电极和形成的至少一个表面上的界面稳定层的有源层的上表面和下表面的，所述界面稳定层具有3.0的带隙到8.0eV是通过栅极绝缘层 据的具有氧化物形成。 包含氧化物的界面稳定层被保持在化学上高的界面稳定性，因为其具有的栅极绝缘层和所述保护层和亲和力，并且抑制电荷俘获在物理上是因为它具有更大的带隙比有源层，或相同的有源层。
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