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公开(公告)号：KR100657941B1
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：KR1020040117960
申请日：2004-12-31
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 본 발명은 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 반도체 발광 소자에 있어서, 반도체 발광 소자의 제조 방법에 있어서, (가) 기판 상에 제 1반도체층을 형성시키는 단계; (나) 상기 제 1반도체층 상에 물질층을 형성시키고, 열처리하여 상기 물질층의 물질을 상기 제 1반도체층 내에 침투시켜 상기 제 1반도체층을 요철 구조로 형성시키는 단계; 및 (다) 상기 제 1반도체층 상에 제 2반도체층을 형성시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020060064306A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020040103113
申请日：2004-12-08
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 본 발명은 기판 표면에 형성된 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 반도체 발광 소자를 제조하는 방법에 있어서, 기판 상에 금속층을 형성시키고, 상기 금속층을 양극 산화하여 홀이 형성된 금속 산화층으로 형성시키고 그 자체로 요철 구조 패턴으로 사용하거나, 상기 금속 산화층의 홀에 대응되도록 상기 금속 산화층 하부의 기판 또는 물질층 내에 홀을 형성시켜 요철 구조 패턴으로 사용하여 그 상부에 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층을 순차적을 형성시킴으로써 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020050068807A
公开(公告)日：2005-07-05
申请号：KR1020030100619
申请日：2003-12-30
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 반도체 발광 소자의 전극 구조, 이를 채용한 반도체 발광소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 반도체 발광소자는 부전도성 기판, 부전도성 기판 상에 형성된 제 1 하부 클래드층, 제 1 하부 클래드층 상에 소정 형상을 갖으며 형성된 도전층, 도전층의 소정 영역 상에 형성된 제 2 하부 클래드층, 제 2 하부 클래드층 상에 형성된 활성영역, 활성영역 상에 형성된 상부 클래드층, 상부 클래드층 상에 형성된 상부 전극 및 도전층과 전기적으로 연결되며 도전층의 나머지 영역 상에 형성되는 하부 전극을 포함한다. 따라서, 종래 반도체 발광소자에 있어서 문제가 되었던 전류 모임 현상을 해결한 수직 구조의 반도체 발광 소자를 구현함으로써 동작전압을 감소시킬 수 있는효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020040067125A
公开(公告)日：2004-07-30
申请号：KR1020030004106
申请日：2003-01-21
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L21/02458 , B82Y20/00 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02447 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a high-efficient semiconductor device is provided to form the high-efficient semiconductor device by restricting a defect of a semiconductor layer due to inconsistency of lattice constants. CONSTITUTION: The first semiconductor layer(33), a mask layer(35), and a metal layer are sequentially laminated on a substrate(31). A metal oxide layer having a plurality of nano-sized holes is formed by anodizing the metal layer. The nano-sized holes are extended to a surface of the first semiconductor layer by performing an etch process using the metal oxide layer. The metal oxide layer is removed by performing the etch process. The second semiconductor layer(38) is formed on the mask layer and the first semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造高效半导体器件的方法，以通过限制晶格常数不一致导致的半导体层缺陷来形成高效半导体器件。 构成：将第一半导体层（33），掩模层（35）和金属层依次层叠在基板（31）上。 通过阳极氧化金属层形成具有多个纳米尺寸的孔的金属氧化物层。 通过使用金属氧化物层进行蚀刻工艺，将纳米尺寸的孔延伸到第一半导体层的表面。 通过进行蚀刻工艺去除金属氧化物层。 第二半导体层（38）形成在掩模层和第一半导体层上。
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公开(公告)号：KR1020090061145A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：KR1020070128021
申请日：2007-12-11
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A semiconductor substrate for a light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve crystallinity of a nitride monocrystalline layer by forming the nitride monocrystalline layer of a pyramid structure on an insulation layer including a plurality of window regions. A first nitride monocrystalline layer(120) is formed on a sapphire substrate(110). A first insulation layer(130) is formed on the first nitride monocrystalline layer. A plurality of window regions is included on the first nitride monocrystalline layer. A second nitride monocrystalline layer(140) is formed on the first insulation layer, and includes a top surface and a bottom surface. The top surface is smaller than the bottom surface. A second insulation layer(150) is formed on a top surface of the second nitride monocrystalline layer. A third nitride monocrystalline layer(160) is formed on a side of the second nitride monocrystalline layer and a top surface of the second insulation layer. The second insulation layer includes a pattern of the same size as a plurality of window regions.
Abstract translation: 提供一种用于发光器件的半导体衬底及其制造方法，用于通过在包括多个窗口区域的绝缘层上形成金字塔结构的氮化物单晶层来改善氮化物单晶层的结晶度。 第一氮化物单晶层（120）形成在蓝宝石衬底（110）上。 第一绝缘层（130）形成在第一氮化物单晶层上。 在第一氮化物单晶层上包括多个窗口区域。 第二氮化物单晶层（140）形成在第一绝缘层上，并且包括顶表面和底表面。 顶面小于底面。 第二绝缘层（150）形成在第二氮化物单晶层的顶表面上。 第三氮化物单晶层（160）形成在第二氮化物单晶层的侧面和第二绝缘层的顶表面上。 第二绝缘层包括与多个窗口区域相同尺寸的图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100867541B1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：KR1020060112449
申请日：2006-11-14
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/44
Abstract: 수직형 발광 소자의 제조 방법이 개시된다. 개시된 수직형 발광 소자의 제조 방법은, 기판 상에 n형 반도체층, 활성층, 및 p형 반도체층을 포함하는 발광층을 형성하는 단계와, 상기 발광층을 개개의 발광 소자 단위로 구분하는 제1트랜치를 상기 발광층에 형성하되, 상기 제1트랜치 하부에 상기 발광층을 소정 두께로 잔존시키는 단계와, 상기 발광층 상에 패시베이션층을 형성하는 단계와, 상기 발광층의 p형 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계와, 상기 패시베이션층과 p형 전극 상에 금속 지지층을 형성하는 단계와, 상기 기판을 제거하는 단계와, 상기 기판을 제거함으로써 노출된 상기 발광층의 표면을 식각하면서 상기 발광층의 잔존 부분을 제거하는 단계와, 상기 발광층의 n형 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계와, 상기 금속 지지층을 절단하여 상기 발광층을 개개의 발광 소자 단위로 분리하는 단계를 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020060131534A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：KR1020050052044
申请日：2005-06-16
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/382
Abstract: A light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve remarkably a light extraction efficiency by forming a convexo-concave structure at an interface between a lower clap layer and a second electrode. A lower clad layer(31) is formed on a predetermined substrate(30). An active layer(32), an upper clad layer(33) and a first electrode(34) are sequentially formed on one upper side of the lower clad layer. A convexo-concave structure is formed on the other upper side of the lower clad layer. A second electrode(35) is formed on the other upper side of the lower clad layer. A sapphire substrate is used as the predetermined substrate. The lower and the upper clad layers contain a nitride gallium based material.
Abstract translation: 提供一种发光器件及其制造方法，通过在下拍拍层和第二电极之间的界面处形成凸凹结构，显着提高光提取效率。 在预定基板（30）上形成下包层（31）。 在下包层的一个上侧依次形成有源层（32），上覆层（33）和第一电极（34）。 在下包层的另一上侧形成有凹凸结构。 第二电极（35）形成在下包层的另一上侧。 使用蓝宝石衬底作为预定衬底。 下层和上层包含氮化镓基材料。
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公开(公告)号：KR100624448B1
公开(公告)日：2006-09-18
申请号：KR1020040100354
申请日：2004-12-02
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor： 이정욱
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 개시된 반도체 발광소자는 기판; 상기 기판 상에 마련되는 것으로 반도체 물질적층에 의한 적어도 2개의 발광셀; 상기 발광셀 사이에 순차적으로 적층된 반사층 및 투명절연층; 적어도 상기 발광셀을 덮는 투명 전극;을 구비하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020060064305A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020040103112
申请日：2004-12-08
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/22
Abstract: 본 발명은 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 발광소자에 있어서, 요철 구조로 형성된 제 1반도체층; 상기 제 1반도체층의 요철 구조의 패턴 사이에 형성된 중간층; 상기 제 1반도체층 및 상기 중간층 상에 순차적으로 형성된 제 2반도체층, 활성층 및 제 3반도체층;을 포함하는 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020060057855A
公开(公告)日：2006-05-29
申请号：KR1020040097044
申请日：2004-11-24
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/382 , H01L33/405
Abstract: ＧａＮ 계 화합물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 개시된 반도체 발광소자는, 서포팅 기판 상에 형성된 p형 반사전극과; 상기 반사전극 상에서 서로 이격되게 형성되며, n형 GaN, 활성층 및 p형 GaN이 순차적으로 적층된 복수의 GaN 셀과; 상기 반사전극 상에서 상기 GaN 셀 사이에 형성된 절연층과; 상기 절연층 상에서 상기 GaN 셀을 덮는 투명전극과; 상기 투명전극 상에 형성된 n형 전극패드;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
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