위치 정보를 획득하는 방법 및 이를 지원하는 전자 장치
    13.
    发明公开
    위치 정보를 획득하는 방법 및 이를 지원하는 전자 장치 审中-实审
    用于获得位置信息的方法和设备

    公开(公告)号:KR1020170066111A

    公开(公告)日:2017-06-14

    申请号:KR1020150172729

    申请日:2015-12-04

    CPC classification number: Y02D70/14 Y02D70/20

    Abstract: 본발명은전자장치에있어서, 적어도하나의센서, 근거리통신모듈, 상기근거리통신모듈을이용해획득된제1 네트워크정보를저장하기위한메모리, 및프로세서를포함하고, 상기프로세서는, 상기전자장치에대응하는위치정보에대한요청을획득하고, 상기적어도하나의센서를이용하여상기전자장치에대한움직임을확인하고, 상기움직임이지정된조건을만족하는지여부에기반하여, 상기요청에반응하여상기제1 네트워크정보를상기메모리로부터획득(retrieve)하거나, 선택적으로, 상기근거리통신모듈을이용하여제2 네트워크정보를스캔(scan)하고, 및상기제1 네트워크정보또는상기제2 네트워크정보중 대응하는네트워크정보를상기요청에대한응답으로제공하도록설정된전자장치를포함할수 있다. 다만, 상기실시예에한정되지않고다른실시예를포함할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种电子设备,存储器,以及用于存储与所述至少一个传感器,局域通信模块,短距离通信模块,所述处理器获得的所述第一网络的信息的处理器,对应于电子设备 获得位置信息的请求,并且该至少一个使用传感器检查电子设备的运动,并且它是否满足所指定的移动的条件的基础上,响应于所述请求的第一网络 从存储器获取(检索)信息,或者可替换地,通过使用本地通信模块(扫描)扫描所述第二网络的信息,与和网络的信息,在第一网络的信息相应的一个或所述第二网络的信息 并且电子设备被配置为响应于该请求而提供。 然而,本发明不限于上述实施例,而是可以包括其他实施例。

    자기 메모리 장치 및 그의 형성방법
    14.
    发明公开
    자기 메모리 장치 및 그의 형성방법 审中-实审
    存储器件和形成它们

    公开(公告)号:KR1020160015507A

    公开(公告)日:2016-02-15

    申请号:KR1020140097535

    申请日:2014-07-30

    Abstract: 자기메모리장치의형성방법이제공된다. 기판상에제 1 자성층, 터널배리어층, 및제 2 자성층을순차적으로형성하고; 상기제 2 자성층상에상기제 2 자성층의일 부분을노출하는마스크패턴을형성하고; 상기마스크패턴의측벽및 상기제 2 자성층의상기일 부분상에캐핑절연층을형성하고; 상기캐핑절연층을통하여, 상기제 2 자성층의상기일 부분에산소이온을주입하여, 산화층을형성하고; 상기캐핑절연층을이방성식각하여캐핑스페이서를형성하고; 그리고상기마스크패턴및 상기캐핑스페이서를사용하여, 상기산화층, 상기터널배리어층및 상기제 1 자성층을패터닝한다.

    Abstract translation: 提供一种形成磁存储器件的方法。 该方法包括在基片上依次形成第一磁性层,隧道势垒层和第二磁性层; 形成将所述第二磁性层的一部分暴露在所述第二磁性层上的掩模图案; 在第二磁性层的一部分和掩模图案的侧壁上形成封盖绝缘层; 通过将覆盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的一部分中而形成氧化物层; 通过在封盖绝缘层上进行各向异性蚀刻来形成封盖间隔物; 以及通过使用掩模图案和封盖间隔物图案化氧化物层,隧道势垒层,第一磁性层。

    상변화 메모리 유닛, 이의 제조 방법, 이를 포함하는상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법
    15.
    发明公开
    상변화 메모리 유닛, 이의 제조 방법, 이를 포함하는상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법 有权
    相变存储器单元,形成相变存储单元的方法,具有相变存储器单元的相变存储器件以及制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号:KR1020080111206A

    公开(公告)日:2008-12-23

    申请号:KR1020070059273

    申请日:2007-06-18

    Abstract: A phase-change memory unit and a manufacturing method thereof and a phase change memory device including this and a manufacturing method thereof are provide to authorize current from a conductive construct to a first electrode or a bottom electrode and as a conductive construct and/or an ohmic layer pattern are contacted with the side or bottom surface of the first electrode or the bottom electrode. A phase-change memory unit comprises an isolation structure(210), a conductive construct(225), a first electrode(250), a phase change material layer pattern(275), a second electrode(280). The isolation structure is formed on a substrate(200). The isolation structure has an opening(215) exposing substrate. The conductive construct is formed within the opening. The first electrode has a side wall and a bottom surface contacted with the conductive construct. The phase change material layer pattern is formed on the first electrode and isolation structure. The second electrode is formed on the phase change material layer pattern.

    Abstract translation: 相变存储器单元及其制造方法以及包括该相位变换存储器单元及其制造方法的相变存储器件及其制造方法被提供以授权从导电构件到第一电极或底部电极以及导电构造和/或 欧姆层图案与第一电极或底电极的侧表面或底表面接触。 相变存储器单元包括隔离结构(210),导电构造(225),第一电极(250),相变材料层图案(275),第二电极(280)。 隔离结构形成在基板(200)上。 隔离结构具有暴露衬底的开口(215)。 导电构件形成在开口内。 第一电极具有与导电构件接触的侧壁和底表面。 相变材料层图案形成在第一电极和隔离结构上。 第二电极形成在相变材料层图案上。

    상변화 물질층 형성 방법 및 이를 이용한 상변화 메모리장치의 제조 방법
    16.
    发明授权
    상변화 물질층 형성 방법 및 이를 이용한 상변화 메모리장치의 제조 방법 有权
    形成相变材料层的方法及使用该相变材料层的相位可变存储器件的制造方法

    公开(公告)号:KR100814393B1

    公开(公告)日:2008-03-18

    申请号:KR1020070027395

    申请日:2007-03-21

    Abstract: A method for forming a phase change material layer is provided to form a phase change material layer having a contact of tellur less than 50 percent by using a characteristic that the tellur included in a chalcogen compound becomes volatile at a specific temperature. A sputtering process is performed on a chalcogen target containing antimony and tellur to separate the constitution particles of the target from the target. The particles separated from the target are deposited on a substrate at a volatile temperature of tellur lower than the volatile temperature of antimony to form a phase change material layer including a chalcogen compound having a tellur content of 5-50 percent(S140). The temperature can range from 250 to 350 ‹C. The target can include at least one impurity selected from a group of oxygen, silicon and carbon.

    Abstract translation: 提供一种形成相变材料层的方法,通过使用包含在硫属化合物中的碲在特定温度下变成挥发性的特性,形成具有小于50%碲的接触的相变材料层。 对含有锑和碲的硫属元素靶进行溅射处理以将靶的构成粒子与靶分离。 与目标物分离的粒子在低于锑的挥发性温度的碲的挥发性温度下沉积在基材上,形成包含碲含量为5-50%的硫属化合物的相变材料层(S140)。 温度范围为250至350℃。 靶可以包括选自氧,硅和碳的至少一种杂质。

    AP(access point)에 대한 정보를 제공하는 전자장치 및 방법
    17.
    发明公开
    AP(access point)에 대한 정보를 제공하는 전자장치 및 방법 审中-实审
    一种用于提供关于接入点(AP)的信息的电子设备和方法,

    公开(公告)号:KR1020170066117A

    公开(公告)日:2017-06-14

    申请号:KR1020150172740

    申请日:2015-12-04

    Abstract: 본문서는 AP(access point)에대한정보를제공하는전자장치및 방법에관한것으로, 상기전자장치외부의하나이상의 AP들(access points)을확인하는동작, 통신회로를통해, 상기하나이상의 AP들중 선택된 AP에대한연결을시작하는동작, 상기선택된 AP와의상기연결중에상기선택된 AP로부터상기선택된 AP에대응하는 AP 정보를획득하는동작, 및상기 AP 정보에적어도기반하여, 상기선택된 AP의특성을판단하고, 및상기특성이제 1 그룹인것에기반하여상기선택된 AP와연관하여제 1 알림을, 상기특성이제 2 그룹인것에기반하여, 상기선택된 AP와연관하여제 2 알림을상기디스플레이를통하여표시하는동작을포함하고, 그밖의다양한실시예를더 포함할수 있다.

    Abstract translation: 用于提供关于接入点(AP)的信息的电子设备和方法技术领域本发明涉及一种用于提供关于接入点(AP)的信息的电子设备和方法,包括以下步骤:识别电子设备外部的一个或多个接入点, 在与选择的AP连接期间从选择的AP获得与所选择的AP对应的AP信息,至少基于AP信息确定AP特性, 并且基于所述属性显示与所选择的AP相关联的第二通知现在是组,并且基于所述属性将第一通知与所选择的AP相关联,现在是第二组, 并且还可以包括各种其他实施例。

    자기 메모리 소자 및 자기 메모리 소자의 제조 방법
    18.
    发明公开
    자기 메모리 소자 및 자기 메모리 소자의 제조 방법 审中-实审
    磁记忆体装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160049140A

    公开(公告)日:2016-05-09

    申请号:KR1020140145276

    申请日:2014-10-24

    Inventor: 박종철 강신재

    CPC classification number: H01L43/12 G11C11/161 H01L27/228 H01L43/08

    Abstract: 본발명의일 실시예에따른자기메모리소자의제조방법은기판상에하부자성층, 터널배리어층및 상부자성층을순차적으로형성하는단계; 상기하부자성층, 상기터널배리어층및 상기상부자성층을패터닝하여자기터널접합(magnetic tunnel junction) 패턴을형성하는단계; 및상기자기터널접합패턴의측벽을덮는금속재증착물에산소이온을포함한빔(beam)을조사하는단계;를포함하고, 상기자기터널접합패턴을형성하는단계에서, 상기자기터널접합패턴의측벽을덮는금속재증착물이형성되고, 상기빔은상기금속재증착물에조사된다.

    Abstract translation: 本发明公开了一种具有改善磁隧道结(MTJ)特性的磁存储器件的制造方法。 根据本发明实施例的用于制造磁存储器件的方法包括以下步骤:在衬底上依次形成下磁层,隧道势垒层和上磁层; 通过图案化下磁性层,隧道势垒层和上磁性层形成MTJ图案; 以及将包含氧离子的束辐射到覆盖所述MTJ图案的侧壁的金属沉积材料上。 在形成MTJ图案的步骤中,形成覆盖MTJ图案的侧壁的金属再沉积材料,并将光束照射到金属再沉积材料上。

    휴대 단말기의 수신된 전화번호의 표시 방법 및 이를 위한 장치
    19.
    发明公开
    휴대 단말기의 수신된 전화번호의 표시 방법 및 이를 위한 장치 无效
    显示接收电话号码的方法和系统

    公开(公告)号:KR1020100027474A

    公开(公告)日:2010-03-11

    申请号:KR1020080086409

    申请日:2008-09-02

    Inventor: 강신재

    CPC classification number: H04M1/575 H04M1/274533 H04M2001/274541

    Abstract: PURPOSE: A method and a device for displaying a receiving telephone number of a portable terminal are provided to display subscriber information corresponding to a telephone number similar to a received telephone number. CONSTITUTION: A portable terminal receives a call(S300). It is determined whether a telephone number of the received call is stored in a phonebook of the portable terminal(S305). If the telephone number of the received call is not stored in the phonebook, a telephone number including a number string the same as a telephone number of the received call(S315). Subscriber information of the searched telephone number is displayed on a display unit of the portable terminal(S325). The telephone number of the received call is saved in a storage unit(S335).

    Abstract translation: 目的:提供一种用于显示便携式终端的接收电话号码的方法和装置,以显示与接收的电话号码类似的电话号码对应的用户信息。 构成:便携式终端接收电话(S300)。 确定所接收的呼叫的电话号码是否存储在便携式终端的电话簿中(S305)。 如果接收到的呼叫的电话号码没有存储在电话簿中,则包括与所接收呼叫的电话号码相同的号码串的电话号码(S315)。 搜索到的电话号码的用户信息显示在便携式终端的显示单元上(S325)。 接收到的呼叫的电话号码被保存在存储单元中(S335)。

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