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公开(公告)号：KR1020000055849A
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1019990004704
申请日：1999-02-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a bromide after an etching process of polysilicon layer is provided to reduce pollution and a corrosion of a chamber by Br ion when a dry etching process using a HBr gas. CONSTITUTION: A method for cleaning a bromide after an etching process of polysilicon layer comprises steps of placing a wafer(14) on a wafer stage(12) in an etching chamber(10), performing an etching process to pattern a polysilicon layer formed on the wafer, and supplying a gas including H radical to the chamber to remove a bromide remained in the chamber. In the method, the gas including H radical is H2N2 of 100 sccm to 500 sccm. The cleaning process is performed in a condition of a cathode power of 0W to 500W and an anode power of 500W to 1500W. The gas is supplied to the chamber for 10 to 20 seconds and then ionized by the cathode power.
Abstract translation: 目的：提供一种在多晶硅层蚀刻工艺之后清洗溴化物的方法，以便在使用HBr气体的干蚀刻工艺时，通过Br离子来减少污染和室内腐蚀。 构成：在多晶硅层的蚀刻工艺之后清洗溴化物的方法包括以下步骤：将晶片（14）放置在蚀刻室（10）中的晶片台（12）上，执行蚀刻工艺以对形成在 并且将包括H自由基的气体供应到所述室以除去残留在所述室中的溴化物。 在该方法中，包括H基的气体为100sccm至500sccm的H 2 N 2。 清洁过程在0W至500W的阴极功率和500W至1500W的阳极功率的条件下进行。 将气体供应到室中10至20秒，然后通过阴极电离电离。
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公开(公告)号：KR1020000031891A
公开(公告)日：2000-06-05
申请号：KR1019980048150
申请日：1998-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: PURPOSE: A method for etching a semiconductor device is provided to improve an etching characteristic to reduce cost by reducing the amount of gas while reducing a micro-loading for etching under a low pressure and to minimize byproduct generated by N2 gas and obtain a vertical profile. CONSTITUTION: A method for etching a semiconductor device is formed by a first etching step for etching a second conductive film until exposing the surface of a first conductive film by using etching gas including He and N2 and a second etching step for etching the first remained conductive film until exposing an insulating film. Herein, the first etching step is operated by using 2HeN2 gas, 23sccm of Cl2 gas, and 4sccm of SF6 gas under a pressure for 2mTorr. And the HeN2 gas is formed by mixing He gas and N2 gas in an intended ratio.
Abstract translation: 目的：提供一种用于蚀刻半导体器件的方法，以通过减少气体量同时减少低压下的微蚀刻加载并改善由N2气产生的副产物并获得垂直剖面来降低成本，从而降低成本 。 构成：通过用于蚀刻第二导电膜的第一蚀刻步骤形成用于蚀刻半导体器件的方法，直到通过使用包括He和N 2的蚀刻气体暴露第一导电膜的表面，以及第二蚀刻步骤，用于蚀刻第一剩余导电 直到曝光绝缘膜。 这里，通过在2mTorr的压力下使用2HeN 2气体，23sccm的Cl 2气体和4sccm的SF 6气体来操作第一蚀刻步骤。 HeN2气体以预定的比例混合He气和N 2气体而形成。
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公开(公告)号：KR1019980039929A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960059047
申请日：1996-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/312
Abstract: 포토레지스트의 프로파일을 개선시킨 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 기판 상에 폴리막이 적층형성되어 있는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 폴리막 상에 포토레지스트를 도포형성시킨 후 소정영역의 폴리막을 오픈시키기 위하여 상기 소정영역의 포토레지스트를 노광시키는 단계, 상기 노광된 소정영역의 포토레지스트를 포함한 전면에 일렉트론 빔을 이용하여 재노광시킨 후 자외선을 이용하여 베이킹시키는 단계 및 상기 베이킹 후 상기 소정영역을 포함하는 영역의 포토레지스트를 제거하기 위하여 현상하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 포토레지스트의 선폭을 원하는 간격으로 형성할 수 있어 고집화된 반도체장치를 구현할 수 있는 효과가 있다.-
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公开(公告)号：KR1020140122583A
公开(公告)日：2014-10-20
申请号：KR1020130039463
申请日：2013-04-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76831 , H01L21/475 , H01L21/76811 , H01L21/76813 , H01L2221/1063
Abstract: 상부 배선을 형성하기 위한 공정에 사용되는 금속 하드 마스크를 하부 배선 오픈 전에 제거하여, 상부 배선을 형성하기 위한 금속화(metallization) 공정을 개선할 수 있는 반도체 소자 제조 방법을 제공하는 것이다. 상기 반도체 소자 제조 방법은 하부 패턴을 포함하는 기판 상에 식각 정지막 및 절연막을 순차적으로 형성하고, 상기 절연막 상에 제1 개구부를 포함하는 도전성 마스크 패턴을 형성하고, 상기 도전성 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여, 상기 절연막 내에 상기 식각 정지막을 노출시키는 비아홀을 형성하고, 상기 도전성 마스크 패턴을 제거한 후, 상기 비아홀의 측벽을 따라 패시베이션막을 형성하는 것을 포함한다.
Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法，其通过去除用于在下线打开之前形成上线的工艺的金属硬掩模来改善用于形成上线的金属化处理。 制造半导体器件的方法包括在具有较低图案的衬底上依次形成蚀刻停止层和绝缘层，在绝缘层上形成包括第一开口部分的导电掩模图案，形成暴露蚀刻步骤的通孔 通过使用导电掩模图案作为蚀刻掩模在绝缘层中形成层，并且在导电掩模图案被去除之后沿着通孔的侧壁形成钝化层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010068734A
公开(公告)日：2001-07-23
申请号：KR1020000000791
申请日：2000-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 고동환
IPC: H01L21/306
Abstract: PURPOSE: A method for etching a gate poly-silicon is provided to secure a favorable profile and simultaneously solve problems such as the pollution by particles, and solve the erosion of an etching apparatus. CONSTITUTION: The method forms a poly-silicon pattern by selectively etching a poly-silicon film to an oxide film of the lower formed on a semiconductor substrate using a photoresist pattern. The etching is performed using a mixed gas including Cl2 and SF6. The etching further includes N2. The etching is performed in the range that the ratio of a source power and a bias power is 5:1 to 10:1. The bias power is more than about 10W. The range of the flow rate of the Cl2 and the SF6 is 10:1 to 15:1. The range of the flow rate of the N2 and the SF6 is 1:1 to 2:1. The flow rate of the Cl2 is more than about 100sccm.
Abstract translation: 目的：提供一种用于蚀刻栅极多晶硅的方法，以确保有利的轮廓，同时解决诸如颗粒污染等问题，并解决蚀刻装置的腐蚀。 构成：该方法通过使用光致抗蚀剂图案选择性地将多晶硅膜蚀刻到在半导体衬底上形成的下部的氧化膜上形成多晶硅图案。 使用包括Cl 2和SF 6的混合气体进行蚀刻。 蚀刻还包括N2。 在源功率和偏置功率的比为5:1至10:1的范围内进行蚀刻。 偏置功率大于10W。 Cl2和SF6的流量范围为10：1至15：1。 N2和SF6的流量范围为1：1〜2：1。 Cl2的流速大于约100sccm。
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公开(公告)号：KR1020000056506A
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1019990005880
申请日：1999-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: PURPOSE: Gate polysilicone etching method of semiconductor device provides easy and simply perform, to not excess etching on a circuit having a broad line width by etching, without producing μloading efficiency and demolition of oxide film; CONSTITUTION: Gate polysilicone etching method of semiconductor device comprising; a oxide film(4) formed on a substrate(2), a polysilicone layer(6) vapor deposited grown on the oxide film(4), a silicone nitride layer(8) is vapor deposit and photoresist(10) is applied on the upper of the polysilicone layer(6), the silicone nitride layer(8) is patterning from exposure etching by photo lithography process. remove the photoresist(10) then the silicone nitride layer(8) is to be a hard mask. the polysilicone layer(6) is etched by a dry etching in this state with cl2/SF6/N2 gas injection. in this time cl2 gas 80-140sccm, SF6 gas is 5-15 sccm, N2 gas is 2-10 sccm ratio and the pressure in the reaction chamber is 2-10mT, cathode power is 50-150W, anode power is 500-1000W, temperature is 40-65°C, in the 15-25 sec of period.
Abstract translation: 目的：半导体器件的栅极硅氧烷蚀刻方法简单而简单地执行，不会通过蚀刻对具有宽线宽度的电路进行过多的蚀刻，而不会产生μ负载效率和氧化膜的拆除; 构成：半导体器件的栅极多晶硅蚀刻方法，包括： 形成在基板（2）上的氧化物膜（4），在氧化物膜（4）上生长的气相沉积的聚硅氧烷层（6），氮化硅层（8）是气相沉积，并且光致抗蚀剂 聚硅氧烷层（6）的上部，通过光刻工艺从曝光蚀刻图案化有机硅氮化物层（8）。 除去光致抗蚀剂（10），然后将氮化硅层（8）作为硬掩模。 在这种状态下，用cl2 / SF6 / N2气体注射，通过干法蚀刻来蚀刻多晶硅层（6）。 此时cl2气体80-140sccm，SF6气体为5-15sccm，N2气为2-10sccm比，反应室压力为2-10mT，阴极功率为50-150W，阳极功率为500-1000W ，温度为40-65℃，在15-25秒的时间内。
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公开(公告)号：KR1019980038794A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960057722
申请日：1996-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H02P1/00
Abstract: 열이 발생되는 부분의 방열 가속을 위하여 설치되는 모터에 이상이 발생되어 팬이 회전하지 않는 것과 같은 모터의 동작 상태를 표시하도록 개선시킨 모터 동작 판별 회로에 관한 것이다.
본 발명은 방열되는 부분으로 송풍을 위하여 모터로 전력을 공급하여 팬을 회전시키도록 구성되는 모터 동작 판별 회로에 있어서, 상기 모터의 전력 인가부분에 전력 정상 공급 여부를 식별하기 위한 식별수단을 구비하여 이루어지고, 상기 식별수단은 발광다이오드로 구성될 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 모터의 정상적인 구동여부를 쉽게 판별할 수 있어서 과열부분에 대한 방열이 정상적으로 이루어지고 있는 지 확인할 수 있으므로 고장이 방지되어 설비에 대한 신뢰도 및 작업성이 극대화되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100424657B1
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：KR1020010041939
申请日：2001-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A method for forming a fuse pattern for repairing a bad cell includes forming a metal wiring pattern on a substrate and successively forming an insulating layer on the metal wiring pattern and the substrate. The insulating layer of a region for defining the fuse pattern is etched by using an etching gas including a fluorocarbon-type compound and a fluorosilicate-type compound, which substantially suppresses a generation of by-products. A partially exposed metal layer of the metal wiring pattern is removed to form a fuse. Accordingly, a structure such as a fence is not formed on the residue of insulating layer. Therefore, the removal process for the fence is unnecessary. As a result, the process for forming the fuse is simplified.
Abstract translation: 一种形成用于修复坏单元的熔丝图案的方法包括在基片上形成金属布线图案并在金属布线图案和基片上依次形成绝缘层。 通过使用包含氟碳化合物和氟硅酸盐型化合物的蚀刻气体来蚀刻用于限定熔丝图案的区域的绝缘层，这基本上抑制了副产物的产生。 金属布线图案的部分暴露的金属层被去除以形成熔丝。 因此，在绝缘层的残留物上不形成诸如栅栏的结构。 因此，栅栏的移除过程是不必要的。 结果，形成熔丝的过程得以简化。
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公开(公告)号：KR100271773B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019980041441
申请日：1998-10-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 일렉트로드 주변에 다수의 배기구들을 하우징에 대칭적으로 형성시켜 웨이퍼 상에서의 플라즈마의 형성을 균일하게 하고, 또한 공정챔버가 차지하는 부피를 줄일 수 있도록 한 반도체장치의 제조에 사용되는 건식식각장치용 배기일렉트로드 및 이를 포함하는 반도체장치 제조용 건식식각장치의 공정챔버에 관한 것으로서, 도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 건식식각장치용 배기일렉트로드(11)는, 웨이퍼(5)가 얹혀지는 전극판(12)을 지지하는 하우징(13)의 측벽에 다수의 배기구(14)들을 대칭적으로 형성시키고, 상기 배기구(14)들을 관연결구(15)에 연결시켜 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 상기 배기일렉트로드(11)의 전극판(12)의 상부에 형성되는 플라즈마가 균일하게 되어 일정한 식각을 가능하게 하는 효과가 있으며, 또한 배기관(4)의 기능과 일렉트로드의 기능을 통합하여 하나의 배기일렉트로드(11)에 의하여 기능토록 하므로써 공정챔버가 차지하는 부피를 줄이므로써 청정실의 효율을 높이는 효과가 있다.
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