公开(公告)号：KR100594222B1

公开(公告)日：2006-07-03

申请号：KR1020000057118

申请日：2000-09-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 여기성 ,  남동석 ,  성낙근

IPC: H01L21/027

Abstract: 반도체 장치 제조에 이용되는 분할 노광 방법 및 이에 이용되는 분할 노광 방법을 개시한다. 본 발명의 일 관점은, 포토레지스트막이 도포된 웨이퍼 상에 마스크를 도입한다. 마스크의 상측 또는 하측에 마스크의 구분되는 어느 하나의 영역을 가리는 제1블레이드를 도입한다. 마스크 및 제1블레이드를 정렬시켜 어느 하나의 영역에 대응되는 포토레지스트막의 영역을 제1노광한다. 제1블레이드를 마스크의 어느 하나의 영역과 구분되는 다른 영역을 가리는 제2블레이드로 교체한다. 마스크 및 제2블레이드를 정렬시켜 다른 영역에 대응되는 포토레지스트막의 영역을 제2노광한다. 여기서, 제1노광 단계는 제2노광 단계와 다른 노광 조건으로 수행된다.

公开(公告)号：KR100566700B1

公开(公告)日：2006-04-03

申请号：KR1020040002835

申请日：2004-01-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진아 ,  남동석 ,  하정환

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0015

Abstract: 반도체 장치에서 임프린트 방식으로 포토레지스트 패턴을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 기판 상에 포토레지스트를 코팅한다. 상기 포토레지스트의 상부면에, 광 투과판과 상기 광 투과판으로 조사되는 광을 선택적으로 차단시키기 위한 광 차단막 패턴 및 상기 광 투과판 및 광 차단막 패턴의 프로파일에 의해 형성되고 포토레지스트를 임프린트하기 위한 요철부를 구비하는 템플레이트를 압착시켜, 상기 포토레지스트를 임프린트한다. 상기 템플레이트를 통해 광을 조사하여 상기 포토레지스트를 선택적으로 노광한다. 이어서, 상기 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 방법에 의하면, 마스트 패턴 형성을 위한 식각 공정을 생략할 수 있어 공정이 단순화되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100555474B1

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1019990017599

申请日：1999-05-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류만형 ,  남동석

IPC: H01L21/027

Abstract: 포토레지스트 패턴의 리플로우(reflow)시 포토레지스트에 대하여 산처리를 행함으로써 리소그래피 기술의 파장 한계를 초월하는 개구 사이즈를 가지는 콘택홀을 형성할 수 있는 미세 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 미세 패턴 형성 방법에서는 반도체 기판상에 화학증폭형 레지스트 조성물을 코팅하여 레지스트층을 형성한다. 상기 레지스트층에 대하여 리소그래피 공정을 행하여 상기 반도체 기판을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 노광시켜서 상기 포토레지스트 패턴 내에 산을 발생시킨다. 상기 노광된 포토레지스트 패턴에 산을 공급하면서 상기 포토레지스트 패턴이 리플로우되도록 베이크(bake) 공정을 행하여 상기 반도체 기판을 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭 만큼 노출시키는 변형된 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 변형된 포토레지스트 패턴을 상온으로 냉각시킨다.

公开(公告)号：KR1020040107339A

公开(公告)日：2004-12-20

申请号：KR1020030040873

申请日：2003-06-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남동석 ,  황찬 ,  강영석

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: An optical system and a method for forming a photoresist pattern using the same are provided to improve the resolution of the photoresist pattern in spite of the presence of a plurality of contact holes in the photoresist pattern and to enhance the DOF(Depth Of Focus) of an incident light beam on a semiconductor substrate by using off-axis illumination with hexapole. CONSTITUTION: An optical system(210) includes a light source, an optical element, an illumination lens and a projection lens. The light source(212) generates a first light beam. The optical element(214) is used for transforming the first light beam into an off-axis illumination beam with hexapole. The illumination lens(220) is used for inducing the off-axis illumination beam to a photo-mask(222) with a mask pattern. At this time, the off-axis illumination beam is patterned corresponding to the mask pattern of the photo-mask. The projection lens(224) is used for inducing the patterned off-axis illumination light beam to a substrate in order to form a predetermined photoresist pattern on the substrate. The predetermined photoresist pattern includes a plurality of first and second contact holes. Each second contact hole is located at the center of each four first contact holes.

Abstract translation: 目的：提供光学系统和使用其形成光致抗蚀剂图案的方法，以提高光致抗蚀剂图案的分辨率，尽管在光致抗蚀剂图案中存在多个接触孔并且增强DOF（聚焦深度 ）通过使用具有六极的离轴照明在半导体衬底上的入射光束。 构成：光学系统（210）包括光源，光学元件，照明透镜和投影透镜。 光源（212）产生第一光束。 光学元件（214）用于将第一光束变换成具有六极的离轴照明光束。 照明透镜（220）用于将离轴照明光束引导到具有掩模图案的光掩模（222）。 此时，对应于光掩模的掩模图案对离轴照明光束进行图案化。 投影透镜（224）用于将图案化的离轴照明光束引导到基板，以便在基板上形成预定的光致抗蚀剂图案。 预定的光致抗蚀剂图案包括多个第一和第二接触孔。 每个第二接触孔位于每四个第一接触孔的中心。

公开(公告)号：KR1020020025382A

公开(公告)日：2002-04-04

申请号：KR1020000057118

申请日：2000-09-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 여기성 ,  남동석 ,  성낙근

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A divisional exposure method used for a fabricating process of a semiconductor device and a divisional exposure method used for the same are provided to obtain a process margin by exposing a photoresist layer in region units. CONSTITUTION: An exposure apparatus includes an exposure source(1100) and an illumination optics(1200). A lamp or a laser is used as the exposure source(1100). The exposure apparatus has a reticle stage(1300) for handling a mask, an optics(1400), and a wafer stage(1500). The wafer stage(1500) has a chuck(1510). A wafer(1530) coated with a photoresist layer(1550) is loaded on the chuck(1510). In the exposure apparatus, a plurality blade(210,250) is induced to an upper side or a lower side of a mask(100) in order to expose and cover a part of the mask(100). The blades(210,250) are aligned to the mask(100).

Abstract translation: 目的：提供用于制造半导体器件的分割曝光方法和用于其的分割曝光方法，以通过以区域单位曝光光致抗蚀剂层来获得工艺余量。 构成：曝光装置包括曝光源（1100）和照明光学元件（1200）。 使用灯或激光器作为曝光源（1100）。 曝光装置具有用于处理掩模的光罩台（1300），光学器件（1400）和晶片台（1500）。 晶片台（1500）具有卡盘（1510）。 涂覆有光致抗蚀剂层（1550）的晶片（1530）被装载在卡盘（1510）上。 在曝光装置中，将多个叶片（210,250）感应到掩模（100）的上侧或下侧，以露出和覆盖掩模（100）的一部分。 刀片（210,250）与掩模（100）对准。

公开(公告)号：KR1020000010320A

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：KR1019980031191

申请日：1998-07-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정정희 ,  남동석

IPC: G03F7/039

CPC classification number: G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0757

Abstract: PURPOSE: A resist constituent is provided to perform a top surface imaging process by a small dose of exposure energy and form a pattern by a photolithography process using existing equipment in a short time. CONSTITUTION: The resist constituent is composed of a polymer comprising aromatic group hydrocarbon, of which an average molecular weight is 3000 to 7000. Alternatively, the constituent is composed of a photo acid generator of 1 to 20 weight percent on the standard of the polymer weight. The constituent is coated on a wafer, exposed by the top surface imaging process, and developed using a sililation reagent.

Abstract translation: 目的：提供抗蚀剂成分以通过小剂量的曝光能进行顶表面成像处理，并通过在短时间内使用现有设备的光刻工艺形成图案。 构成：抗蚀剂成分由包含平均分子量为3000〜7000的芳香族烃的聚合物构成。或者，该成分由聚合物重量标准为1〜20重量％的光酸发生剂 。 将组分涂覆在晶片上，通过顶表面成像工艺曝光，并使用硅烷化试剂显影。

公开(公告)号：KR1019990069110A

公开(公告)日：1999-09-06

申请号：KR1019980003146

申请日：1998-02-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남동석

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 자기정렬콘택 패드를 갖는 반도체소자에 관한 것으로, 서로 이웃한 자기정렬된 매몰콘택 패드 및 서로 이웃한 자기정렬된 직접콘택 패드를 격리시키기 위한 패드분리 패턴의 가운데 폭을 그 가장자리 폭보다 좁게 형성하거나 패드분리 패턴을 구부러진 형태로 형성함으로써, 자기정렬된 직접콘택 패드의 평면적을 증가시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR101663173B1

公开(公告)日：2016-10-07

申请号：KR1020090096277

申请日：2009-10-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문세건 ,  남동석 ,  김훈

IPC: G03F1/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/82

Abstract: 강알카리세정에내성이강한위상반전마스크는, 주요부위영역과주변부위영역을갖는석영성분을함유하는기판, 상기주요부위영역에배치되는강알카리에내성이강한석영과크롬의이중구조로위상을반전시키는위상반전패턴, 상기주변부위영역에배치되는상기기판상에형성된크롬층과몰리브데늄(Mo) 및실리콘(Si)을함유하는광을차단하는광 차단막패턴을구비한다.

公开(公告)号：KR1020140067578A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020120135002

申请日：2012-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남동석

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01J37/3177 ,  H01J37/06 ,  H01J37/1471 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/2022

Abstract: An exposure apparatus using an electron beam includes a plurality of electron guns, a condenser lens, an electron gun position adjusting unit, and an aperture plate. The electron guns emit electron beams toward a substrate. The condenser lens is interposed between the electron guns and the substrate to collect the electron beams. The electron gun position adjusting unit individually adjusts positions of the electron guns in order to provide uniform intensity to the collected electron beams. The aperture plate has a plurality of apertures interposed between the substrate and the condenser lens to allow the collected electron beams to pass through the apertures. Accordingly, multi-shots obtained from the electron beams having the uniform intensity have uniform intensities, so that a resist pattern can be formed in a desirable shape.

Abstract translation: 使用电子束的曝光装置包括多个电子枪，聚光透镜，电子枪位置调整单元和孔板。 电子枪朝向衬底发射电子束。 聚光透镜插在电子枪和基板之间以收集电子束。 电子枪位置调整单元分别调整电子枪的位置，以便为收集的电子束提供均匀的强度。 孔板具有插入在基板和聚光透镜之间的多个孔，以允许收集的电子束通过孔。 因此，从具有均匀强度的电子束获得的多次照射具有均匀的强度，使得抗蚀剂图案可以形成为期望的形状。

公开(公告)号：KR1020100094143A

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：KR1020090013433

申请日：2009-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최진 ,  남동석

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F9/7049 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7019 ,  G03F9/7088 ,  H01J37/3045 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/2482 ,  H01J2237/30438 ,  Y10S430/146 ,  G03F1/42 ,  G03F7/70516 ,  G03F7/70775

Abstract: PURPOSE: A method for correcting the position error of a lithography apparatus is provided to be used for performing a correcting process in real time by periodically calculating the corrected amount of the position errors of a reference mask. CONSTITUTION: The position data of an exposure pattern is inputted(S101). Laser from a laser system for detecting a position is radiated to a reference mask(S102). An actual position data with respect to the laser which is radiated on the reference mask is calculated(S103). The position data of the exposure pattern is compared with the actual position data(S104). A correcting amount for the reference mask is calculated(S105). A wafer stage is moved according to the calculated correcting amount for the reference mask(S106). Laser is radiated on a photo mask(S107).

Abstract translation: 目的：提供一种用于校正光刻设备的位置误差的方法，用于通过周期性地计算参考掩模的位置误差的校正量来实时执行校正处理。 构成：输入曝光图案的位置数据（S101）。 来自用于检测位置的激光系统的激光被照射到参考掩模（S102）。 计算相对于在基准掩模上照射的激光的实际位置数据（S103）。 将曝光图案的位置数据与实际位置数据进行比较（S104）。 计算参考掩模的校正量（S105）。 根据计算出的参考掩模校正量移动晶片台（S106）。 激光照射在光罩上（S107）。