公开(公告)号：KR1019970023785A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950036076

申请日：1995-10-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남재우 ,  송재인 ,  남창현 ,  윤철주

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 건조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼(14)에 미량의 IPA(Isopropyl Alcohol)증기가 잔존하게 됨에 따라 유발 가능한 웨이퍼(14)의 오염을 방지하도록 하는 반도체 웨이퍼의 건조장치에 관한 것이다.
본 발명은 유기용매 증기를 이용하여 웨이퍼(14)에 흡착된 수분을 제거하도록 구성된 제1건조챔버(10)와 제1건조챔버(10)로부터 웨이퍼(14)를 반입하여 일정기간 동안 정제시켜 웨이퍼(14)를 건조하도록 하는 제2건조챔버(12)로 이루어지는 건조장치에 있어서 제2건조챔버(12) 내부로 가열수단에 의해 가열된 질소가스를 공급함으로써 유기용매(14)가 증발온수와 상온의 사이에서 유지되도록 질소 공급수단(40,42)이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 따르면 제1건조챔버(10)에서 웨이퍼(14)에 흡착되는 IPA 증기를 잔존 가능한 오염원과 반응하기 전에 건조토록 함으로써 웨이퍼(14)의 결함은 줄일 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020140030873A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：KR1020120097582

申请日：2012-09-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김은성 ,  남재우 ,  신철호 ,  이시용

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273

Abstract: In a method of forming patterns, a guide layer including silicon oxynitride is formed on a substrate, and a DBARC layer and a photoresist layer are formed on the guide layer. The photoresist layer and the DBARC layer are exposed, and negative-tone is developed to form a photoresist pattern. Next, a neutral layer is formed, and a neutral layer pattern is formed by removing exposure portions of the photoresist pattern and the DBARC layer to lift-off a part of the neutral layer. A micro-mask pattern is formed by a process of self-aligning a block copolymer layer by using a guide layer, which is formed on a bottom surface of an opening generated by the neutral layer pattern, as a guide pattern. A contact hole or a pattern having a line shape may be formed by using the micro-mask pattern.A micro-contact hole or a micro-line pattern may be easily formed by using strong hydrophilic silicon oxynitride as a guide pattern.

Abstract translation: 在形成图案的方法中，在衬底上形成包括氮氧化硅的引导层，并且在引导层上形成DBARC层和光致抗蚀剂层。 曝光光致抗蚀剂层和DBARC层，显影出负色调以形成光致抗蚀剂图案。 接下来，形成中性层，并且通过去除光致抗蚀剂图案和DBARC层的曝光部分以去除中性层的一部分来形成中性层图案。 通过使用形成在由中性层图案产生的开口的底表面上的引导层作为引导图案，通过使嵌段共聚物层自对准的方法形成微掩模图案。 可以通过使用微掩模图案形成具有线状的接触孔或图案。可以通过使用强亲水性氧氮化硅作为引导图案容易地形成微接触孔或微线图案。

公开(公告)号：KR1020130041627A

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：KR1020110106014

申请日：2011-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김은성 ,  신철호 ,  이시용 ,  김경선 ,  남재우

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/20 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/2028 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A photolithography method including a dual development process is provided to increase yield by preventing the remaining photoresist in an edge region. CONSTITUTION: A photoresist is coated on a wafer including an active region and an edge region(S110). The photoresist of the edge region is edge-exposed by ultraviolet rays(S140). The photoresist of the active region is pattern-exposed by the ultraviolet rays(S150). The photoresist is removed from the edge region by selectively providing a first developer to the photoresist of the edge region(S170). The photoresist of the active region is developed by a second developer(S180). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Photoresist coating; (S120) Photoresist side rinse; (S130) Soft bake; (S140) Edge-exposure of the photoresist of an edge region; (S150) Pattern-exposure of the photoresist of an active region; (S160) Bake after exposure; (S170) Positive tone development of the photoresist of the edge region; (S180) Negative tone development of the photoresist of the active region; (S190) Hard bake;

Abstract translation: 目的：提供包括双显影处理的光刻方法，以通过防止边缘区域中残留的光致抗蚀剂来提高产量。 构成：将光致抗蚀剂涂覆在包括有源区和边缘区的晶片上（S110）。 边缘区域的光致抗蚀剂被紫外线曝光（S140）。 有源区的光致抗蚀剂通过紫外线图案曝光（S150）。 通过选择性地向边缘区域的光致抗蚀剂提供第一显影剂，从边缘区域去除光致抗蚀剂（S170）。 有源区的光致抗蚀剂由第二显影剂显影（S180）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S110）光刻胶涂层; （S120）光刻胶侧面冲洗; （S130）软烘烤; （S140）边缘区域的光致抗蚀剂的边缘曝光; （S150）活性区域的光致抗蚀剂的图案曝光; （S160）曝光后烘烤; （S170）边缘区域的光致抗蚀剂的正色调发展; （S180）活性区的光致抗蚀剂的负色调发展; （S190）硬烘烤;

公开(公告)号：KR1020020066728A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：KR1020010007063

申请日：2001-02-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권영민 ,  남재우 ,  이의강

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: An ashing method of semiconductor wafers is provided to completely remove a photoresist deposited on a wafer by using an IPA(Iso Propyl Alcohol). CONSTITUTION: A wafer coated a photoresist is dipped into a DI(De-Ionized) water(S1). Then, an IPA is heated by a desired temperature(S2). The heated IPA is sprayed on the upper portion of DI water dipped in the wafer(S3). The DI water dipped in the wafer and the IPA sprayed on the upper portion of the DI water are drained(S4). The photoresist deposited on the wafer is then entirely removed by flowing the DI water and the IPA down from the upper portion to the lower portion of the wafer according to the drain of the DI and IPA to the outer(S5).

Abstract translation: 目的：提供半导体晶片的灰化方法，以通过使用IPA（异丙醇）完全去除沉积在晶片上的光致抗蚀剂。 构成：将涂覆有光致抗蚀剂的晶片浸入DI（去离子水）（S1）中。 然后，将IPA加热所需温度（S2）。 将加热的IPA喷洒在浸入晶片的去离子水的上部（S3）上。 将DI水浸入晶片中，并喷洒在DI水上部的IPA（S4）。 然后根据DI和IPA的漏极到外部（S5），将DI水和IPA从晶片的上部向下流动，从而将沉积在晶片上的光致抗蚀剂完全除去。

公开(公告)号：KR1020000013446A

公开(公告)日：2000-03-06

申请号：KR1019980032307

申请日：1998-08-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이승건 ,  남재우

IPC: H01L21/302

Abstract: PURPOSE: A wafer drying apparatus for fabricating of semiconductor device is provided to dry a wafer using a steam of alcohol and a steam of high temperature. CONSTITUTION: The apparatus comprises a rinse chamber(1), a drying chamber(2) installed above the rinse chamber(1), and a steam alcohol mixer(9) connected with the drying chamber to supply a mixture steam consisted of a steam of the drying chamber(2) and an alcohol steam. Thereby, it is possible to reduce a speed of drying of wafer(6) and to restrain a forming of a water spot by drying the wafer(6) while continuously maintaining the steam alcohol mixture steam in high temperature without heating the alcohol and controlling the temperature.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的晶片干燥装置，用乙醇和高温蒸汽干燥晶片。 构成：该装置包括一个漂洗室（1），一个安装在冲洗室（1​​）上方的干燥室（2）和与干燥室相连的蒸汽醇混合器（9），以提供由 干燥室（2）和醇蒸汽。 由此，可以通过干燥晶片（6）来降低晶片（6）的干燥速度并抑制水斑的形成，同时连续地将蒸汽醇混合物蒸汽保持在高温下而不加热酒精并控制 温度。

公开(公告)号：KR100180344B1

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019950036076

申请日：1995-10-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남재우 ,  송재인 ,  남창현 ,  윤철주

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 건조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼(14)에 미량의 IPA(Isopropyl Alcohol)증기가 잔존하게 됨에 따라 유발 가능한 웨이퍼(14)의 오염을 방지하도록 하는 반도체 웨이퍼의 건조장치에 관한 것이다.
본 발명은 유기용매 증기를 이용하여 웨이퍼(14)에 흡착된 수분을 제거하도록 구성된 제1건조챔버(10)와 제1건조챔버(10)로부터 웨이퍼(14)를 반입하여 일정기간 동안 정체시켜 웨이퍼(14)를 건조하도록 하는 제2건조챔버(12)로 이루어지는 건조장치에 있어서, 제2건조챔버(12) 내부로 가열수단에 의해 가열된 질소가스를 공급함으로써 유기용매(14)가 증발온도와 상온의 사이에서 유지되도록 질소 공급수단(40,42)이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 따르면 제1건조챔버(10)에서 웨이퍼(14)에 흡착되는 IPA 증기를 잔존 가능한 오염원과 반응하기 전에 건조토록 함으로써 웨이퍼(14)의 결함을 줄일 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980016820A

公开(公告)日：1998-06-05

申请号：KR1019960036514

申请日：1996-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박명준 ,  윤철주 ,  남재우

IPC: H01L21/48

Abstract: 웨이퍼 건조장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 일정한 내부 공간에 웨이퍼가 담기는 캐리어가 놓이는 챔버와, 상기 챔버의 상부를 덮을 수 있는 도어부로 구성된 웨이퍼 건조장치에 있어서, 상기 도어부의 내면에 열전관이 형성되어 있고, 상기 열전관 사이에 가스를 공급할 수 있는 가스 공급부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조장치를 제공한다. 본 발명의 웨이퍼 건조 장치는 원심력을 이용하지 않고 열전관에서 발생하는 열과 가스 공급기를 통하여 공급되는 가스를 이용하여 웨이퍼를 건조시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980012024A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960031050

申请日：1996-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤철주 ,  남재우 ,  박명준 ,  방주식

IPC: H01L21/304

公开(公告)号：KR1019970072136A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019960012493

申请日：1996-04-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남재우 ,  윤철주 ,  박명준

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 기판의 세정액 및 세정 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 세정액은 사메틸 수산화 암모늄(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide; TMAH)수용액, 과산화수소수, 초산, 및 물을 적정 부피비율로 혼합하여 구성된다. 본 발명에 의하면, 고집적화된 디바이스의 신뢰성을 향상시킬 수 있고 배선 단락을 방지하는데 효과가 있으므로, 바이스의 수율 향상을 꾀할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970010936A

公开(公告)日：1997-03-27

申请号：KR1019950025459

申请日：1995-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남재우

IPC: C11D1/20

Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 세정액을 개시한다. 본 발명은 반도체 장치의 금속층 세정에 이용되는 세정액에 있어서, 상기 세정액은 암모니아수, 메탄올, 불산 및 순수로 구성되는 것을 특징으로 하는 세정액을 제공한다. 본 발명에 의한 세정액은 단순히 각 용액을 혼합하는 것만으로 제조가 가능하고, 세정하는 금속층을 식각 및 손상시키지 않으면서도 폴리머 및 불순물 입자를 제거할 수 있다. 따라서 반도체 장치의 세정 공정을 단순화 시킬 수 있으며 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.