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公开(公告)号：KR1020140056458A
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：KR1020120119252
申请日：2012-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/0056 , C07C13/62 , C07C2603/54 , C07D471/06 , H01L51/0053 , H01L51/4253 , H01L2251/308 , H01L51/0057 , H01L27/307 , Y02E10/549
Abstract: The present invention relates to an organic photoelectric device and an image sensor including an anode and a cathode facing each other, and an active layer positioned between the anode and cathode, wherein the active layer includes the compound expressed as the chemical formula 1 and the compound expressed as the chemical formula 2. The chemical formula 1 and chemical formula 2 are as described in the specification.
Abstract translation: 本发明涉及一种有机光电装置和包括彼此面对的阳极和阴极的图像传感器和位于阳极和阴极之间的有源层，其中活性层包括表示为化学式1的化合物和化合物 表示为化学式2.化学式1和化学式2如说明书所述。
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公开(公告)号：KR101377596B1
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：KR1020060049993
申请日：2006-06-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L29/78645
Abstract: 플렉시블 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 플렉시블 기판 상에 형성되어 있고 소오스 및 드레인 영역과 채널영역을 포함하는 폴리 실리콘층 및 상기 폴리 실리콘층의 상기 채널영역 상에 형성된 게이트 적층물을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 적층물은 소정 간격으로 이격된 제1 및 제2 게이트 적층물(듀얼 게이트)을 포함하고, 상기 폴리 실리콘층의 상기 제1 및 제2 게이트 적층물사이로 노출된 영역은 오프 셋(offset) 영역인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020120117508A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR1020110035301
申请日：2011-04-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0043 , H01L51/4253 , H01L27/146 , H01L27/14621 , Y02E10/549
Abstract: PURPOSE: An image sensor is provided to improve photoelectric conversion efficiency by using block copolymer for a photoelectric conversion layer. CONSTITUTION: An optical sensing device includes a first electrode, a second electrode, and a photoelectric conversion layer(53). A color filter is located on the second electrode of the optical sensing device. The photoelectric conversion layer includes a block copolymer with an electron donor block(B) and an electron acceptor block(A). The electron donor blocks are laminated and connected to the first electrode and the second electrode. The electron acceptor blocks are laminated and connected to the first electrode and the second electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种通过使用光电转换层的嵌段共聚物来提高光电转换效率的图像传感器。 构成：光感测装置包括第一电极，第二电极和光电转换层（53）。 滤色器位于光学感测装置的第二电极上。 光电转换层包括具有电子给体嵌段（B）和电子受体嵌段（A）的嵌段共聚物。 电子供体嵌段层叠并连接到第一电极和第二电极。 电子受体嵌段层叠并连接到第一电极和第二电极。
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公开(公告)号：KR101186294B1
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：KR1020060090147
申请日：2006-09-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02691 , H01L27/1285
Abstract: 간단하고 용이한 제조공정에 의해 전자의 이동도 및 전기적 특성이 우수한 반도체층을 제조할 수 있는 측면 결정화된 반도체층의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 측면 결정화된 반도체층의 제조방법은 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층 상에 레이저광을 조사하는 단계, 다수의 프리즘 어레이를 갖는 프리즘 쉬트를 이용하여 상기 조사된 레이저광을 분할하여 상기 반도체층으로 진행시킴으로써, 상기 반도체층 상에 레이저광이 조사되는 제1 영역과, 조사되지 않는 제2 영역을 교번으로 반복형성하여, 상기 제1 영역을 완전 용융시키는 단계 및 상기 제2 영역을 씨드로 이용하여 상기 제1 영역의 측면 결정화를 유도하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020120103912A
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：KR1020110021868
申请日：2011-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/30 , H01L27/146 , H01L51/42
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L51/4293
Abstract: PURPOSE: An image sensor including an organic photoelectricity converting unit is provided to reduce the number of lamination layers by including both the organic photoelectricity converting unit and a general photo diode. CONSTITUTION: A photoelectricity converting unit(120), detecting light as an electric signal, is formed on a substrate. A first organic photoelectricity converting unit(140) includes a first lower electrode, a first color selecting layer, and a first upper electrode. The first color selecting layer has a photoelectricity converting character for the light of a first wavelength band. A second organic photoelectricity converting unit(160) includes a second lower electrode, a second color selecting layer, and a second upper electrode. The second color selecting layer has the photoelectricity converting character for the light of a second wavelength band.
Abstract translation: 目的：提供包括有机光电转换单元的图像传感器，通过包括有机光电转换单元和通用光电二极管来减少层叠层的数量。 构成：在基板上形成检测光作为电信号的光电转换单元（120）。 第一有机光电转换单元（140）包括第一下电极，第一选色层和第一上电极。 第一颜色选择层具有用于第一波长带的光的光电转换字符。 第二有机光电转换单元（160）包括第二下电极，第二选色层和第二上电极。 第二颜色选择层具有用于第二波长带的光的光电转换字符。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101177275B1
公开(公告)日：2012-08-24
申请号：KR1020060043463
申请日：2006-05-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/3221 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02667
Abstract: 실리콘 박막의 불순물 제거 방법에 관해 개시된다. 기판에 증착된 실리콘 박막에 마이크로 웨이브를 가하여, 실리콘 박막 중의 존재하는 H
2 , Ar, He, Xe, O
2 등의 불순물의 공명을 유도하여 불순물을 실리콘 박막으로부터 제거한다. 마이크로 웨이브의 파장은 제거 대상 원소의 고유 진동 주파수에 대응한다. 이러한 마이크로 웨이브에 의해 유도되는 불순물 원소의 공명에 따르면 실리콘으로부터 불순물을 매우 효과적으로 제거하여 양질의 실리콘 박막을 얻을 수 있고, 특히 저온 실리콘 제조에 매우 적합하다.
실리콘, 불순물, 탈가스, 탈수소, 공명, 공진, 마이크로 웨이브-
公开(公告)号：KR1020120076062A
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020100138042
申请日：2010-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L21/823412 , H01L21/823418
Abstract: PURPOSE: A transistor, a manufacturing method thereof, and an electric component including the same are provided to effectively control characteristic change of the transistor due to light by forming a fluorine-containing domain in a back channel domain. CONSTITUTION: A gate(G1) is formed on a substrate(SUB1). A gate insulating layer(GI1) covering the gate is formed on the substrate. A channel layer(C1) is formed on the gate insulating layer. A source electrode(S1) and a drain electrode(D1) are formed on the gate insulating layer. The source electrode and the drain electrode are respectively touched with both ends of the channel layer. A fluorine-containing domain(10) is formed at the upper surface of the channel layer between the source electrode and the drain electrode. The interface between the source electrode and the channel layer is a fluorine-non-containing domain. The interface between the drain electrode and the channel layer is the fluorine-non-containing domain.
Abstract translation: 目的：提供晶体管及其制造方法以及包含该晶体管的电气元件，以通过在反向沟道区域中形成含氟畴来有效地控制由于光引起的晶体管的特性变化。 构成：在基板（SUB1）上形成栅极（G1）。 在基板上形成覆盖栅极的栅极绝缘层（GI1）。 沟道层（C1）形成在栅绝缘层上。 源极电极（S1）和漏电极（D1）形成在栅极绝缘层上。 源电极和漏电极分别与沟道层的两端相接触。 在源电极和漏电极之间的沟道层的上表面处形成含氟畴（10）。 源电极和沟道层之间的界面是不含氟的畴。 漏电极和沟道层之间的界面是不含氟的畴。
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公开(公告)号：KR101138869B1
公开(公告)日：2012-05-14
申请号：KR1020060133094
申请日：2006-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L27/1229 , H01L27/1277 , H01L27/3262
Abstract: 적은 공정수와 간단한 공정으로 쉽게 제조될 수 있도록 그 제조공정이 개선된 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자의 제조방법은, 기판의 동일 평면 상에 배치되는 제1 비정질 영역과 제2 비정질 영역을 포함하는 비정질 실리콘층을 형성하는 단계, 상기 제1 비정질 영역 상에 소수성의 자기조립 단분자막을 형성하는 단계, 상기 제2 비정질 영역 및 자기조립 단분자막 상에 니켈입자들이 분산된 수용액을 도포하되, 이들 사이의 친수성(hydrophilicity) 차이를 이용하여 상기 자기조립 단분자막 보다 상기 제2 비정질 영역 상에 상대적으로 더 많은 양의 니켈입자들을 분포시키는 단계, 어닐링 공정을 통해 상기 자기조립 단분자막을 증발시키고 동시에 상기 니켈입자들을 매개로 하는 금속유도 결정화를 수행함으로써, 상기 제1 및 제2 비정질 영역을 결정화하여 제1 및 제2 결정화 영역을 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 결정화 영역을 패터닝하여 제1 및 제2 채널영역을 형성하는 단계 및 상기 제1 및 제2 채널영역 위에 제1 및 제2 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101131135B1
公开(公告)日：2012-04-03
申请号：KR1020050108524
申请日：2005-11-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L29/66757
Abstract: 자기정렬에 의한 오프셋 또는 LDD 구조를 갖는 박막 트랜지스터에 관해 기술된다. 개시된 박막 트랜지스터는 기판; 기판 위에 마련되는 것으로 채널 영역, 채널 영역 양측의 소스와 드레인 영역, 그리고 채널 영역과 채널 영역 양측의 소스 영역 및 드레인 영역들 사이에 각각 위치하는 오프셋 영역들을 가지는 실리콘층; 상기 소스 및 드레인 영역을 제외한 상기 채널 영역과 채널 영역의 양측에 마련된 오프셋 영역을 덮는 게이트 절연층; 그리고 상기 양 오프셋 영역을 제외한 채널 영역의 위에 형성되는 게이트층;을 구비한다. 이러한 박막 트랜지스터는 추가적인 마스크 공정이 없이 오프셋 또는 LDD 영역이 얻어지는 구조를 갖는다.
박막 트랜지스터, 셀프얼라인, LDD, 오프셋, 전류누설-
公开(公告)号：KR101037794B1
公开(公告)日：2011-05-27
申请号：KR1020040117013
申请日：2004-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박경배
IPC: G02F1/1333
Abstract: 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법이 개시된다.
개시되는 플렉서블 디스플레이 장치는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 구현하기 위한 소자부; 상기 소자부가 배치되는 기판; 및 상기 기판의 적어도 일측면에 마련되는 형상 기억 합금층(shape memory alloy layer);을 구비한다.
그리고, 상기 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법은 기판을 마련하는 단계; 상기 기판 위에 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 구현하기 위한 소자부를 마련하는 단계; 및 상기 기판의 적어도 일측면에 형상 기억 합금층(shape memory alloy layer)을 마련하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 의하면, 형상 기억 합금층이 구비됨으로써, 기판과 마스크 등의 사이의 얼라인먼트가 개선될 수 있고, 사용자의 사용에 따른 변형 또는 사용 환경의 온도에 따른 변형을 복원할 수 있는 장점이 있다.
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