公开(公告)号：KR1020090006628A

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：KR1020070070153

申请日：2007-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안형근 ,  안동호 ,  이겨레 ,  박준상 ,  고한봉 ,  박영림

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/141

Abstract: A phase change memory device and a manufacturing method thereof are provided to reduce a current supplied in reset operation by reducing interface dimensions between a phase change pattern and a bottom electrode in which joule heat is generated. Bit lines(BL) are parallel arranged with a vertical direction. Word lines(WL) are parallel arranged with a horizontal direction. The bit lines intersect with the word lines. Each phase change pattern(Rp) is arranged on an intersection of the bit lines and the word lines. Each diode(D) is serially connected to one corresponding to each phase change pattern. Each phase change pattern is connected to one corresponding to each bit line. Each diode is connected to one corresponding to each word line.

Abstract translation: 提供了一种相变存储器件及其制造方法，通过减少产生焦耳热的相变图案和底部电极之间的界面尺寸来减少复位操作中提供的电流。 位线（BL）与垂直方向平行排列。 字线（WL）与水平方向平行排列。 位线与字线相交。 每个相变模式（Rp）被布置在位线和字线的交叉点上。 每个二极管（D）串联连接到一个对应于每个相变图案。 每个相变模式连接到对应于每个位线的一个。 每个二极管连接到一个对应于每个字线的二极管。

公开(公告)号：KR100829602B1

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：KR1020060102415

申请日：2006-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영림 ,  조성래 ,  배병재 ,  이진일 ,  박혜영 ,  임지은

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/2436 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

Abstract: 상변화 물질층 형성 방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 장치의 제조 방법이 개시된다. 제1 플라즈마가 형성된 챔버 내에서 제1 전구체, 제2 전구체 및 제3 전구체를 이용한 싸이클릭 화학기상증착 공정을 수행하여 상기 기판 상에 제1 크기의 그레인을 갖는 하부 상변화 물질막을 형성한다. 이어서, 상기 제2 플라즈마가 형성된 챔버 내에서 제1 전구체, 제2 전구체 및 제3 전구체를 이용한 싸이클릭 화학기상증착 공정을 수행하여 상기 기판 상에 제1 크기보다 작은 제2 크기의 그레인을 갖는 상부 상변화 물질막을 형성한다. 그 결과 기판 상에는 하부 상변화 물질막이 적층된 구조를 갖고, 하부막과 우수한 접합특성을 가지면서 우수한 전기적 특성을 갖는 상변화 물질층을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100780865B1

公开(公告)日：2007-11-30

申请号：KR1020060067514

申请日：2006-07-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배병재 ,  조성래 ,  이진일 ,  박혜영 ,  임지은 ,  박영림

IPC: H01L27/115

CPC classification number: C23C16/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

Abstract: A method for forming a semiconductor device including a phase change layer is provided to minimize the volatile characteristic of the phase change layer and to implement a continuous and uniform phase change layer by using germanium source gas as a process gas. A semiconductor substrate having an underlying conductive pattern is loaded into a process chamber(S200). Various source gases are injected into the process chamber to deposit a phase change layer(S210). After depositing the phase change layer, reactive byproducts in the process chamber are exhausted(S220). A process gas used in the forming of the phase change layer includes germanium source gas. The germanium source gas includes one selected from -N=C=O, -N=C=S, -N=C=Se, -N=C=Te, -N=C=Po, and -C N. The germanium source gas has a chemical formula of X^1X^2X^3GeY, wherein X^1, X^2, and X^3 are one selected from a saturated alkyl group, an olefinic alkyl group, acetylenic alkyl group, an allenic alkyl group, -NR^1R^2, -N3, -N=C=O, -N=C=S, -N=C=Se, -N=C=Te, -N=C=Po, and -C N, or a combination thereof, and Y is selected from -N=C=O, -N=C=S, -N=C=Se, -N=C=Te, -N=C=Po, and -C N.

Abstract translation: 提供了一种用于形成包括相变层的半导体器件的方法，以使相变层的挥发性特性最小化，并且通过使用锗源气体作为工艺气体实现连续均匀的相变层。 具有下面的导电图案的半导体衬底被加载到处理室（S200）中。 将各种源气体注入到处理室中以沉积相变层（S210）。 沉积相变层后，处理室中的反应性副产物被耗尽（S220）。 用于形成相变层的工艺气体包括锗源气体。 锗源气体包括选自-N = C = O，-N = C = S，-N = C = Se，-N = C = Te，-N = C = Po和-CN中的一种。 源气体具有X 1，X 2 X 3 3GeY的化学式，其中X 1，X 2和X 3是选自饱和烷基，烯属烷基，炔基烷基，富烯基烷基 ，-NR 1，R 2，-N 3，-N = C = O，-N = C = S，-N = C = Se，-N = C = Te，-N = C = Po和-CN， Y = C = S，-N = C = Se，-N = C = Te，-N = C = Po和-CN。

公开(公告)号：KR1020160048553A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：KR1020140145459

申请日：2014-10-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영림 ,  유원석 ,  김효경 ,  박창엽 ,  이공수 ,  이욱열 ,  임한진

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/02247 ,  H01L27/10885

Abstract: 반도체소자형성방법은반도체설비의내로반도체기판을로딩하는것을포함한다. 베이스소스물질을이용하는베이스증착공정을진행하여, 상기로딩된반도체기판상에베이스층을형성한다. 상기베이스소스물질과다른실리콘소스물질을이용하는제1 실리콘증착공정을진행하여, 상기베이스층 상에상기베이스층보다두꺼운제1 실리콘층을형성한다. 제1 질화공정을진행하여, 상기제1 실리콘층을질화시키어제1 질화된실리콘층을형성한다. 상기제1 질화된실리콘층을갖는반도체기판을상기반도체설비로부터언로딩한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种形成半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：将半导体衬底加载到半导体设备中; 通过使用基础源材料进行基底沉积工艺在所加载的半导体衬底上形成基底层; 通过使用不同于所述基底源材料的硅源材料进行第一硅沉积工艺，在所述基底层上形成比所述基底层更厚的第一硅层; 硝化第一硅层以通过进行第一硝化过程形成第一硝化硅层; 以及从所述半导体设备中用所述第一硝化硅卸载所述半导体衬底。

公开(公告)号：KR101429724B1

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：KR1020080125301

申请日：2008-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영림 ,  안형근 ,  오규환 ,  안동호 ,  이진일

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L27/24

Abstract: 콘택 구조체 형성방법, 이를 이용하는 반도체소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 반도체소자를 제공한다. 이 반도체소자의 제조방법은 반도체기판 상에 제1 개구부를 갖는 제1 몰딩 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 적어도 상기 제1 개구부의 측벽을 덮는 절연막을 형성한다. 상기 절연막에 의해 측벽이 덮인 상기 제1 개구부의 나머지 부분을 채우는 제2 몰딩 패턴을 형성한다. 상기 절연막을 패터닝하여 절연 패턴을 형성함과 아울러, 상기 제1 및 제2 몰딩 패턴들의 측벽들 및 상기 절연 패턴의 측벽에 의해 한정된 제2 개구부를 형성한다. 상기 제2 개구부 내에 콘택 패턴을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020110058031A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：KR1020090114687

申请日：2009-11-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영림 ,  이진일 ,  안동호 ,  이시형 ,  오규환

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/143

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a variable resistance memory device is provided to prevent the deterioration of electrical/physical features due to stress in a hot temperature process. CONSTITUTION: A heating electrode(110) is formed on a semiconductor substrate(100). The heating electrode includes nitride of metal whose atomic radius is larger than titanium. A variable resistance material film(120) is formed on the heating electrode. An upper electrode(130) is formed on the variable resistance material film. A barrier film prevents a material from being spread between the upper electrode and the variable resistance material film.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造可变电阻存储器件的方法，以防止由于热温度过程中的应力引起的电/物理特征的劣化。 构成：在半导体基板（100）上形成加热电极（110）。 加热电极包括原子半径大于钛的金属的氮化物。 在加热电极上形成可变电阻材料膜（120）。 上电极（130）形成在可变电阻材料膜上。 阻挡膜防止材料在上电极和可变电阻材料膜之间扩散。

公开(公告)号：KR1020100086853A

公开(公告)日：2010-08-02

申请号：KR1020090006293

申请日：2009-01-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오규환 ,  박영림 ,  박순오 ,  이진일 ,  김창수

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L45/124 ,  C23C16/32 ,  C23C16/45523 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1666

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a phase change memory device with a TiC layer is provided to improve the morphology of a TiC layer by uniformly forming a contact area between the bottom electrodes and the phase change patterns on the entire region. CONSTITUTION: A TiC layer is formed on a substrate(51) by using a PE-cyclic CVD(Plasma enhanced cyclic chemical vapor deposition). A phase change pattern(85P) is formed on the TiC layer. The substrate is loaded on the reactive chamber of the plasma enhanced cyclic chemical vapor deposition device when the TiC layer is formed. A deposition cycle comprised of a purge step and a feeding step is performed on the substrate 2 to 30 times. In the feeding step, titanium source gas, carbon source gas, and inactive gas are supplied to the reactive chamber.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有TiC层的相变存储器件的方法，以通过均匀地形成底部电极之间的接触面积和整个区域上的相变图案来改善TiC层的形态。 构成：通过使用PE循环CVD（等离子体增强循环化学气相沉积）在基板（51）上形成TiC层。 在TiC层上形成相变图案（85P）。 当形成TiC层时，将衬底装载在等离子体增强型循环化学气相沉积装置的反应室上。 在衬底上进行由清洗步骤和进料步骤构成的沉积循环2至30次。 在进料步骤中，将钛源气体，碳源气体和惰性气体供应到反应室。

公开(公告)号：KR100871692B1

公开(公告)日：2008-12-08

申请号：KR1020060109580

申请日：2006-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박혜영 ,  조성래 ,  배병재 ,  이진일 ,  임지은 ,  박영림

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1233 ,  C07F7/30 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/31678

Abstract: 저온 증착용 금속 전구체, 그를 사용한 금속 박막 형성 방법 및 상변화 메모리 소자 제조 방법을 제공한다. 상기 금속 전구체는 고리를 구성하는 원소들 중 적어도 하나가 금속인 금속 고리화합물이다. 이로써, 금속 박막의 증착 온도를 감소시킬 수 있다. 나아가, 상기 금속 고리화합물을 금속 전구체로 사용함으로써 미세한 비아홀 내에 금속 박막을 보이드 없이 채울 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080041460A

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：KR1020060109580

申请日：2006-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박혜영 ,  조성래 ,  배병재 ,  이진일 ,  임지은 ,  박영림

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1233 ,  C07F7/30 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/31678 ,  G11C13/0004

Abstract: A method for forming a metal thin film using a metal precursor for low temperature deposition is provided to decrease the deposition temperature of a metal thin film by using a metal cyclic compound as a metal precursor. A lower electrode(135) is formed on a substrate(100). A mold insulation layer(140) is formed on the lower electrode. A via hole(140a) is formed in the mold insulation layer, exposing a part of the lower electrode. A metal precursor is supplied to the substrate to fill the via hole with a phase change material layer wherein the metal precursor is a metal cyclic compound in which at least one of elements constituting a cycle is metal. An upper electrode(160) is formed on the phase change material layer.

Abstract translation: 提供了使用金属前体进行低温沉积来形成金属薄膜的方法，通过使用金属环状化合物作为金属前体来降低金属薄膜的沉积温度。 在基板（100）上形成下电极（135）。 在下部电极上形成有模具绝缘层（140）。 在模具绝缘层中形成通孔（140a），暴露下部电极的一部分。 金属前体被提供给基板以用相变材料层填充通孔，其中金属前体是其中构成循环的元素中的至少一个元素是金属的金属环状化合物。 在相变材料层上形成上电极（160）。

公开(公告)号：KR1020080035844A

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：KR1020060102415

申请日：2006-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영림 ,  조성래 ,  배병재 ,  이진일 ,  박혜영 ,  임지은

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/2436 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

Abstract: A method for forming a phase change material layer and a method for manufacturing a phase change memory device are provided to implement excellent junction characteristic with a lower layer and to implement excellent electrical characteristic by using plasma whose hydrogen gas is properly controlled. Hydrogen gas of a first flux is introduced into a reactive chamber where a substrate(10) is loaded to form a first plasma. A cyclic chemical vapor deposition process using first, second, and third precursors is performed in the chamber where the first plasma is formed to form a lower phase change material layer(20) on the substrate. The lower phase change material layer has a first dimension of grain. Hydrogen gas of a third flux smaller than the first flux is introduced into the chamber to form a second plasma. A cyclic chemical vapor deposition process using first, second, and third precursors is performed in the chamber where the second plasma is formed to form an upper phase change material layer(30) on the substrate. The upper phase change material layer has a second dimension of grain smaller than the first dimension.

Abstract translation: 提供一种形成相变材料层的方法和相变存储器件的制造方法，以通过使用适当控制氢气的等离子体来实现与下层的优良结合特性并实现优异的电特性。 将第一通量的氢气引入反应室中，其中衬底（10）被加载以形成第一等离子体。 在其中形成第一等离子体的室中进行使用第一，第二和第三前体的循环化学气相沉积工艺，以在衬底上形成下相变材料层（20）。 下相变材料层具有晶粒的第一尺寸。 将小于第一通量的第三通量的氢气引入室中以形成第二等离子体。 在其中形成第二等离子体的腔室中进行使用第一，第二和第三前体的循环化学气相沉积工艺，以在衬底上形成上相变材料层（30）。 上相变材料层具有小于第一尺寸的颗粒的第二尺寸。