公开(公告)号：KR1020080026746A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：KR1020060091691

申请日：2006-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배병재 ,  박영림 ,  안상엽 ,  조성래 ,  이진일 ,  박혜영 ,  임지은

IPC: H01L21/02

Abstract: A method for cleaning a deposition chamber is provided to improve operational efficiency of deposition equipment and to secure a stable process condition by reducing a cleaning process time. A wafer unloading process is performed to unload a wafer from a chamber for performing a deposition process under a predetermined deposition condition(10). A cleaning gas supply process is performed to supply a cleaning gas into the chamber without causing a change of deposition temperature and a change of process atmosphere(20). An excitation process is performed to excite the cleaning gas within the chamber(30). A reactant exhausting process is performed to exhaust a reactant by inducing a reaction between the excited cleaning gas and a deposit within the chamber(40).

Abstract translation: 提供了用于清洁沉积室的方法，以提高沉积设备的操作效率并通过减少清洗处理时间来确保稳定的工艺条件。 执行晶片卸载处理以在预定沉积条件（10）下从用于执行沉积工艺的室中卸载晶片。 执行清洁气体供应过程以将清洁气体供应到室中而不引起沉积温度的改变和处理气氛的变化（20）。 执行激发过程以激发腔室（30）内的清洁气体。 通过引发被激发的清洁气体与室（40）内的沉积物之间的反应来进行反应物排出过程以排出反应物。

公开(公告)号：KR100791077B1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：KR1020060126832

申请日：2006-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영림 ,  조성래 ,  배병재 ,  이진일 ,  박혜영 ,  임지은

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/148 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/124 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1691 ,  H01L21/76224

Abstract: A phase change memory device having a small transition volume and a method for forming the same are provided to reduce remarkably current necessary for converting the transition volume to a crystalline state or an amorphous state. A bottom electrode(75) is formed on a top surface of a substrate(51). An interlayer dielectric includes a contact hole for exposing the bottom electrode and is formed to cover the interlayer dielectric. A resistant material pattern(79) is formed to fill up the contact hole. A phase change pattern(77) is inserted between the resistant material pattern and the interlayer dielectric and is extended between the resistant material pattern and the bottom electrode. A top electrode(85) comes in contact with the phase change pattern. The resistant material pattern has a resistance higher than that of the phase change pattern. The top electrode is electrically connected through the phase change pattern to the bottom electrode.

Abstract translation: 提供具有小过渡体积的相变存储器件及其形成方法，以将过渡体积转换为结晶状态或非晶态所需的显着电流降低。 底部电极（75）形成在基板（51）的顶表面上。 层间电介质包括用于暴露底部电极的接触孔，并形成为覆盖层间电介质。 形成电阻材料图案（79）以填充接触孔。 相变图案（77）插入在电阻材料图案和层间电介质之间，并且在电阻材料图案和底部电极之间延伸。 顶部电极（85）与相变图案接触。 电阻材料图案具有比相变图案高的电阻。 顶部电极通过相变图案电连接到底部电极。

公开(公告)号：KR1020070054895A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：KR1020050112991

申请日：2005-11-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허장은 ,  유동철 ,  배병재 ,  남상돈 ,  임지은 ,  임동현 ,  최석헌

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/75

Abstract: 향상된 특성을 갖는 강유전체 커패시터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 형성된 절연 구조물을 식각하여 상기 기판을 노출시키는 개구를 형성한다. 상기 개구를 매몰하면서, 상기 절연 구조물의 상면을 덮는 티타늄알루미늄 질화막을 형성한다. 상기 절연 구조물의 표면이 노출되도록 상기 티타늄알루미늄 질화막에 화학적 기계연마 공정을 수행하여 상기 개구 내에 콘택 패드를 형성한다. 상기 절연 구조물 및 상기 콘택 패드 상에 형성되고, 상기 콘택 패드와 전기적으로 연결되는 하부 전극층을 형성한다. 상기 하부 전극층 상에 강유전체층 및 상부 전극층 형성함으로서 강유전체 커패시터를 포함하는 반도체 장치가 완성된다. 상술한 방법은 티타늄 알루미늄 질화물로 이루어진 평탄한 상면을 갖는 콘택을 형성함으로서 실질 적으로 균일한 두께를 갖는 하부 전극층 및 강유전체층을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100660550B1

公开(公告)日：2006-12-22

申请号：KR1020050086433

申请日：2005-09-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임동현 ,  배병재 ,  임지은 ,  유동철 ,  정연규

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/04 ,  H01L21/31

公开(公告)号：KR100591762B1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：KR1020040003925

申请日：2004-01-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배병재 ,  최영배 ,  임지은

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4481

Abstract: 본 발명은 증착 장치에 관한 것으로, 증착 장치는 제 1소스가스의 원료물질을 주기적으로 공급하는 펄스 유체공급기를 가진다. 펄스 유체공급기는 복수의 포트들이 형성된 몸체와 원료물질이 일시적으로 채워지는 버퍼부 및 포트들간에 연결되는 통로를 조절하는 조절부를 가진다. 펄스 유체공급기는 충전 단계, 방출 단계, 그리고 펌핑 단계를 하나의 주기로 하여 이를 반복함으로써 원료물질을 주기적으로 반응실로 공급한다. 본 발명에 의하면 원료물질을 주기적으로 공급시 원료물질의 유량이 유동되거나 헌팅이 발생되는 것을 방지하고, 일정량의 원료물질을 주기적으로 공급할 수 있다.
증착, 펄스 유체공급기, 주기적 화학 기상 증착법, 원자층 증착법

Abstract translation: 本发明涉及一种沉积设备，其中沉积设备具有用于周期性地供应第一源气体的源材料的脉冲流体供应器。 脉冲式流体供给器具有形成有多个口的主体，临时填充有原料的缓冲部以及用于限制连接在口之间的通路的限制部。 脉冲流体供应在一个循环中周期性地重复充电步骤，排放步骤和泵送步骤，以周期性地将原材料供应到反应室。 根据本发明，当周期性地供应原料时，防止原料的流量流动或发生振荡，并且可以定期供应一定量的原料。

公开(公告)号：KR1020060055705A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：KR1020040094708

申请日：2004-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지은 ,  유동철 ,  배병재

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01G7/06 ,  H01L21/2855 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

Abstract: 본 발명은 에프램(FRAM; (Ferroelectric Random Access Memory) 제작에 관한 것으로, 특히 이리듐(Ir)/이리듐옥사이드(IrO2)/강유전체(PZT)/이리듐(Ir) 구조의 강유전체 커패시터 (Ferroelectric capacitor)에서 보유 특성(retention) 및 피로 (Fatigue) 현상을 개선하기 위해 커패시터의 상부 전극을 스퍼터링 파워 (sputtering power)를 변화시켜 IrOx/Ir(O)x 구조로 제조하는 공정 및 장치에 관한 것이다. 구체적으로, 초기 낮은 파워에서 산소가 많은 이리듐옥사이드 (IrOx: Oxygen rich)을 형성한 후 인시튜(in-situ)로 파워를 증가시켜 이리듐이 많은 이리듐옥사이드(Ir(O)x: Iridium rich) 막을 형성한다. 이러한 방법으로 형성된 IrOx/Ir(O)x 의 상부전극을 강유전체(PZT)에 적용한 결과, 피로현상이 없었고 보유 특성(Retention)이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101908358B1

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：KR1020110049090

申请日：2011-05-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김완돈 ,  이승환 ,  김범석 ,  조규호 ,  권오성 ,  최근규 ,  임지은 ,  탁용석

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 제1 소스/드레인 영역, 제2 소스/드레인 영역, 및 제3 소스/드레인 영역을 갖는 기판이 제공된다. 상기 제1 소스/드레인 영역과 접촉하고, 제1 폭 및 제1 높이를 갖고, 제1 물질을 갖는 제1 전도 플러그가 배치된다. 상기 제1 전도 플러그 및 상기 기판을 덮는 층간 절연 막이 배치된다. 상기 층간 절연 막을 수직으로 관통하여 상기 제2 소스/드레인 영역과 접촉하며, 제2 폭 및 제2 높이를 갖고, 제2 물질을 포함하는 제2 전도 플러그가 배치된다. 상기 층간 절연 막을 수직으로 관통하여 상기 제3 소스/드레인 영역과 접촉하고, 제3 폭 및 제3 높이를 갖고, 제3 물질을 포함하는 제3 전도 플러그가 배치된다. 상기 제2 물질은 귀금속, 귀금속 산화물, 및 페로브스카이트(perovskite) 계열의 도전성 산화물 중 하나를 갖는다.

公开(公告)号：KR100718267B1

公开(公告)日：2007-05-14

申请号：KR1020050023904

申请日：2005-03-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유동철 ,  배병재 ,  임지은 ,  임동현 ,  김명곤

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

Abstract: 향상된 특성을 갖는 강유전체 구조물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 기판에 대한 접착력을 증가시키며 금속 질화물로 구성된 제1 하부 전극층을 기판 상에 형성한 후, 제1 하부 전극층 상에 제1 금속으로 구성된 제2 하부 전극층을 형성한다. 제2 하부 전극층 상에 유기 금속 화학 기상 증착 공정으로 형성된 PZT로 구성된 강유전체층을 형성한다. 강유전체층 상에 제2 금속이 약 2∼5 원자량%의 농도로 도핑된 제1 금속 산화물로 구성된 제1 상부 전극층을 형성한 후, 제1 상부 전극층 상에 제3 금속으로 구성된 제2 상부 전극층을 형성한다. 강유전체층의 유전 특성을 크게 개선할 수 있고, 상부 전극 및 하부 전극을 형성하는 동안 야기되는 공정상의 파티클 문제를 해결할 수 있으며, 강유전체 구조물을 포함하는 반도체 소자를 낮은 전압에서도 충분한 신뢰성으로 구동시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020070016472A

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：KR1020050071152

申请日：2005-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지은 ,  유동철 ,  배병재 ,  임동현 ,  김석필

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 향상된 특성을 갖는 강유전체 구조물, 강유전체 구조물의 제조 방법, 강유전체 구조물을 포함하는 강유전체 캐패시터, 강유전체 캐패시터의 제조 방법, 강유전체 캐패시터를 구비하는 반도체 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 제1 금속 산화물을 사용하여 제1 하부 전극막을 형성한 후, 제1 하부 전극막 상에 제2 하부 전극막을 형성한다. 제2 하부 전극막은 제1 금속, 제1 금속 산화물 및/또는 제1 합금을 사용하여 형성된다. 제2 하부 전극막 상에 강유전체층을 형성한 다음, 강유전체층 상에 제2 금속 산화물을 사용하여 제1 상부 전극막을 형성한다. 제1 상부 전극막 상에 제2 합금을 사용하여 제2 상부 전극막을 형성한다. 제1 및 제2 상부 전극막을 포함하는 강유전체 구조물의 분극 또는 데이터 보존력의 향상, 피로 저항 증가, 센싱 마진의 증가 등과 같이 강유전적 및 전기적 특성을 크게 개선할 수 있으며, 이러한 강유전체 구조물을 갖는 강유전체 캐패시터의 강유전적 및 전기적 특성을 현저하게 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100634451B1

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：KR1020050002280

申请日：2005-01-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배병재 ,  임지은 ,  정연규

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45589 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45591 ,  C30B35/00 ,  Y10T117/10

Abstract: 본 발명은 증착 장치에 관한 것으로, 증착 장치는 가스 공급부와 지지대가 설치된 챔버를 가진다. 가스 공급부는 공정가스가 도입되는 공간을 제공하고, 공정가스를 웨이퍼 상으로 분사하는 분사부재 및 상술한 공간 내에 설치되어 공간 내에서 공정가스를 확산시키는 확산부재를 가진다. 분사부재는 증착률 향상 등을 위해 웨이퍼와의 거리가 가깝게 되도록 배치된다. 또한, 상술한 공간 내에는 공정가스가 확산되는 영역을 제한하는 차단부재가 제공되어, 다양한 크기의 웨이퍼에 대해 높은 증착율로 증착공정을 수행할 수 있다.
증착, 확산부재, 차단부재, 분사부재

Abstract translation: 本发明涉及一种沉积设备，其中该沉积设备具有设置有气体供应部分和支撑件的腔室。 气体供应部分具有用于将处理气体喷射到晶片上的喷射构件，以及安装在上述空间中用于将处理气体扩散到该空间中的扩散构件。 喷射构件被设置为与晶片的距离接近以提高沉积速率。 此外，上述空间设置有用于限制处理气体扩散区域的阻挡构件，使得可以以高沉积速率对各种尺寸的晶片执行沉积处理。