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公开(公告)号：KR100499118B1
公开(公告)日：2005-07-04
申请号：KR1020000009103
申请日：2000-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B41J2/1433 , B41J2/162 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1634 , B41J2/1642
Abstract: 본 발명은 단결정 실리콘 웨이퍼를 이용한 일체형 마이크로 유체 노즐 어셈블리 및 그 제작 방법을 기재한다. 본 발명에 따른 (100)면 단결정 실리콘 웨이퍼를 이용한 일체형 마이크로 유체 노즐 어셈블리는 기존의 여러 장의 웨이퍼 및 판을 사용하여 적층하던 복잡한 구조를 단순화하여 한 장의 (100)면 실리콘 단결정 웨이퍼를 이용하여 엇갈림이 없이 일체형으로 구현함으로써 대량생산을 가능케 하고, 더욱이 웨이퍼의 결정면을 이용한 이방성 에칭공정과 LOCOS 공정을 이용한 적절한 마스크 형성 공정 등을 이용하는 일괄 자동 정렬 공정으로 제작함으로써 웨이퍼의 수를 줄일 수 있다. 즉, 일반적인 실리콘 포토리소그래피 공정을 활용하여 이들의 얼라인 오차를 수 미크론 이하로 줄일 수 있을 뿐 만 아니라 복잡하지도 않고 경제성이 탁월하며 수율도 좋다.
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公开(公告)号：KR100408530B1
公开(公告)日：2004-01-24
申请号：KR1019960051457
申请日：1996-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01C19/00
Abstract: PURPOSE: A micro gyroscope manufacturing method is provided to prevent torsion, equalize vibrating states of two suspended vibrating structures, and improve the non-linearity of angular velocity sensing output by removing internal stress of all structures comprising the micro gyroscope by two heat-treatment processes. CONSTITUTION: A micro gyroscope manufacturing method is composed of steps for successively forming an insulating layer, a nitride layer, and a doped poly silicon layer on a substrate; forming an electrode by patterning the poly silicon layer; depositing a sacrificial layer for covering the electrode on the nitride layer; patterning the sacrificial layer to expose a portion of the electrode; forming suspended structure layers(201,201') by depositing poly silicon on the patterned sacrificial layer; primarily heat-treating the resultant material with a heat treating mechanism including a gas reacting tube, a heater, a gas inlet, a gas outlet, a gas feeding unit, and a temperature control unit; forming an etching cut-off film on the suspended structure layer; forming an etching cut-off pattern by patterning the etching cut-off film; etching the suspended structure layer by using the etching cut-off pattern; secondarily heat-treating the resultant material with the heat treating mechanism; and removing the etching cut-off pattern and the sacrificial layer.
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公开(公告)号：KR1020030009655A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：KR1020010044203
申请日：2001-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/40
Abstract: PURPOSE: A multi-band wireless frequency module having a minimized configuration is provided to configure a shared circuit for each wireless frequency band by variable capacitors and variable inductors, thereby minimizing hardware size. CONSTITUTION: Signals of many wireless frequency bands are received to be converted into baseband signals. The baseband signals are inputted to a baseband processor. Baseband signals of the baseband processor are converted into signals of the wireless frequency bands. The converted signals are transmitted. MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems) variable capacitors and variable inductors are fabricated by an MEMS technology. The variable capacitors and the variable inductors are changed by a connected state of an additional switch in accordance with a service selection signal of a user. Multipath switches(3,11,15,16,21), a wideband power amplifier(5), variable band-pass filters(6,8,10,13,17,18), a variable driving amplifier(7), a variable low noise amplifier(12), a variable voltage controlled oscillator(20), and a variable low-pass filter(22) are shared for each wireless frequency band.
Abstract translation: 目的：提供具有最小配置的多频带无线频率模块，以通过可变电容器和可变电感器为每个无线频带配置共享电路，从而最小化硬件尺寸。 构成：接收许多无线频带的信号转换为基带信号。 基带信号被输入到基带处理器。 基带处理器的基带信号被转换成无线频带的信号。 传输转换后的信号。 MEMS（微电子机械系统）可变电容器和可变电感器由MEMS技术制造。 可变电容器和可变电感器根据用户的服务选择信号由附加开关的连接状态改变。 多径开关（3,11,15,16,21），宽带功率放大器（5），可变带通滤波器（6,8,10,13,17,18），可变驱动放大器（7）， 可变低噪声放大器（12），可变压控振荡器（20）和可变低通滤波器（22）被共享用于每个无线频带。
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公开(公告)号：KR1019980031892A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960051457
申请日：1996-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01C19/00
Abstract: 본 발명은 현수 구조물의 내부 응력를 해소하여 현수 구조물의 주파수 특성을 개선하고 각속도 출력 응답의 선형성을 높여 보다 안정적인 가진 성능을 얻을 수 있는 마이크로자이로스코프의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 튜닝 포크형 마이크로자이로스코프의 제조 방법은 두 번에 걸친 열처리 공정을 이용하여 마이크로자이로스코프를 이루는 모든 구조물의 내부 응력을 제거함으로써, 비틀림의 발생을 방지하여 두 현수 진동구조물의 진동 양태를 동일하게 하여 각속동 감지 출력의 비선형성을 개선한다. 또한, 이를 통하여 마이크로자이로스코프의 성능을 향상시키며, 안정성을 높이고, 주위 환경 변화에서 발생하는 감지 출력 변화나 노이즈등의 영향을 두 현수 진동구조물의 정밀한 튜닝을 이용하여 효과적으로 상쇄시킨다.
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公开(公告)号：KR1019970022627A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950037626
申请日：1995-10-27
IPC: G05D19/00
Abstract: 본 발명에 따르면, 지지단과; 상기 지지단에 지지된 최소한 하나 이상의 탄성부재와; 상기 탄성부재의 탄성력에 의해 진동 운동하는 관성체 또는 이동 전극을 구비한 진동 구조물에 있어서, 상기 지지단에 고정된 최소한 하나 이상의 유효 강성 제어용 전극과; 상기 관성체 또는 이동 전극과 상기 유효 강성 제어용 전극 사이에 전기력이 발생되도록 전압을 인가할 수 있는 전원 공급 장치를 더 구비한 것을 특징으로 하는 진동구조물 및 이를 이용한 고유 진동수 제어방법이 개시된다. 본 발명은 센서, 액튜에이터, 가속도계 및 자이로스코프에 적용될 수 있으며, 이들 제품의 성능 제어 및 향상에 매우 유리하다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960042013A
公开(公告)日：1996-12-19
申请号：KR1019950013257
申请日：1995-05-25
IPC: G01C19/00
Abstract: 본 발명은 튜닝 포크형 자이로스코프에 관한 것이다. 제1축 및, 상기 제1축에 대하여 직교하는 제2축으로 이루어지는 평면으로부터 수직인 제3축 방향으로 이격되어 배치되는 진동 구조물(212), 상기 진동 구조물(212)을 정전기력에 의해 제2축 방향으로 진동시키는 구동수단(213,221), 상기 제1축을 중심으로 하는 회전이 발생할때 상기 진동 구조물(212)이 제3축의 방향으로 변위되는 것을 감지할 수 있도록 제1축 및 제2축으로 이루어지는 평면에 배치된 센서 전극 수단(214,214') 및, 상기 진동 구조물(212)의 제3축 방향 변위를 보상할 수 있는 힘 평형용 토크 전극 수단을 구비한 튜닝 포크형 자이로스코프에 있어서, 상기 힘 평형용 토크 전극수단은 제3축 방향에서 상기 진동 구조물(21)에 대하여 상부에 배치된 힘 평형용 상부 토크 전극 수단(241,241')및, 하부에 배치된 힘 평형용 하부 토크 전극 수단(242,242')을 구비한 것을 특징으로 하는 튜닝 포크형 자이로스코프가 제공된다. 본 발명의 자이로스코프에서는 진동 구조물의 비틀림의 효과적으로 방지되면서 각속도의 측정이 가능해진다.
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公开(公告)号：KR100552658B1
公开(公告)日：2006-02-17
申请号：KR1019990011267
申请日：1999-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 반도체(실리콘, GaAs, InP 등) 미세가공 기술을 이용하여 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) VCO(Voltage Controlled Oscillator)에서 방사하는 전자기파의 위상잡음을 감소시키기 위한 공동공진기를 기재한다. 본 발명에 따른 본 발명에 따른 전압제어발진기의 위상잡음 감소용 공동공진기는 기존의 금속 공동(metal cavity) 대신 실리콘이나 화합물 반도체를 미세가공한 공동(空洞)을 반사형의 전압제어발진기에 채용할 수 있도록 마이크로스트립 라인(microstrip line)과 결합시키고, 이 마이크로스트립 라인과 대응하는 공동의 상부 접지면 금속 박막을 소정 규격으로 제거한 격리용 슬랏(isolation slot)을 형성함으로써, 전압제어발진기에서 출력되는 마이크로/밀리미터파의 위상 잡음을 감소시킨다.
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公开(公告)号：KR100513709B1
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：KR1019990011266
申请日：1999-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01P5/107 , H01P7/065 , H01P11/008
Abstract: Si 혹은 화합물 반도체와 MEMS(micro electro mechanical system) 기술을 이용하여 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) VCO(Voltage Controlled Oscillator)에서 출력되는 마이크로/밀리미터파의 위상잡음을 감소시킬 수 있는 새로운 공동 공진기(cavity resonator) 및 그 제작 방법에 관해 기술된다. 본 발명에 따른 전압제어발진기의 위상 잡음 감소용 공동공진기는 기존의 금속 공동(metal cavity) 대신 실리콘이나 화합물 반도체를 미세가공한 공동(空洞)을 반사형의 전압제어발진기에 채용할 수 있도록 마이크로스트립 라인(microstrip line)과 결합시키되, 마이크로 스트립 라인의 가장자리 부분과 공동의 하부 박막의 소정 위치를 연결하는 폴(pole)을 구비하고, 이 폴과 만나는 공동의 상부 박막을 소정폭 제거한 격리용 슬랏(isolation slot)을 형성하며, 이 폴과 만나는 공동 하부 박막의 주변에는 임피던스 매칭을 위한 저항 박막을 형성함으로써, 전압제어발진기에서 출력되는 마이크로/밀리미터파의 위상 잡음을 감소시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100408528B1
公开(公告)日：2004-01-24
申请号：KR1019960051455
申请日：1996-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01C19/00
Abstract: PURPOSE: A high-sensitivity micro gyroscope and a manufacturing method thereof are provided to easily process a signal and largely reduce the manufacturing cost by making the detected capacitance of a sensing plate be linearly proportion to the angular velocity. CONSTITUTION: A high-sensitivity micro gyroscope comprises a substrate; a suspended vibrating plate(60a) suspended on the substrate and composed of comb teeth formed at the edge and a plurality of rectangular through-holes arranged in the center; an angular velocity sensing plate(60b) fixed on the substrate, connected to an electrode, and formed with rectangular protruded plate members inserted into the rectangular through-holes of the vibrating plate; and an exciting plate(60c) including comb teeth crossing the comb teeth formed at the edge of the suspended vibrating plate. The suspended vibrating plate and the angular velocity sensing plate are multilayer formed by alternately layering polycrystal silicon layers and silicon nitride layers.
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公开(公告)号：KR100355385B1
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：KR1019960051467
申请日：1996-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A silicon wafer shadow mask and a mass increasing method of an acceleration sensor structure using the same are provided to be capable of increasing the displacement of the structure for acceleration and improving sensitivity. CONSTITUTION: An acceleration sensor structure(4) and the first alignment pattern(3) are formed on a target wafer(1). A silicon wafer shadow mask(2) is formed at the upper portion of the resultant structure. At this time, the silicon wafer shadow mask has the second alignment pattern(5) corresponding to the first alignment pattern and a metal depositing pattern(6) for passing the metal vapor deposited on the acceleration sensor structure. The silicon wafer shadow mask is aligned on the target wafer for connecting the second alignment pattern to the first alignment pattern. A metal layer is deposited on the acceleration sensor structure through the metal depositing pattern.
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