公开(公告)号：KR1019970077288A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019970018682

申请日：1997-05-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정승필 ,  송재인 ,  박흥수 ,  고영범

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 또는 액정표시소자용 세정용액 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것으로서, 본 발명의 세정용액은 0.01-20부피%의 플루오르화수소, 50-99.8부피%의 알콜 및 0.01-50부피%의 탈이온수를 포함한다. 본 발명에 따른 세정용액은 폴리실리콘층의 세정 및 폴리실리콘층과 절연층이 공존할 경우의 세정에 바람직하게 적용될 수 있는데, 유기 및 무기성 오염물질에 대한 세정 효과 및 세정후의 재부착 방지 효과가 우수하여 콘택홀 형성후, 확산 공정 이전 또는 사진식각 공정 이전의 세정 공정시에 바람직하게 사용될 수 있으며, 특히 세정후에도 균일한 콘택홀 프로파일을 제공함으로써 반도체 소자 또는 액정표시소자의 성능 및 수율 향상에 기여할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970023784A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950035636

申请日：1995-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재인 ,  윤병문 ,  이병진 ,  정승필

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체소자의 제조장치에 사용되는 세정장비에 관한 것으로 특히 세정장비의 웨이퍼의 최종린스 이후에 웨이퍼를 건조하기 위한 반도체 웨이퍼 건조기에 대한 것이다. 종래의 IPA증기 건조기는 챔버내에서 건조된 캐리어 및 그에 로딩되어진 웨이퍼가 챔버밖으로 나올때 챔버외부로 노출 연장되어진 IPA증기 영역이 챔버내부와 외부의 급격한 온도차이에 의하여 IPA의 액화현상이 웨이퍼 표면에 생성되어 결함을 발생하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로, 반도체소자의 제조공정중 챔버를 구비한 습식 세정장비에 있어서, 상기 챔버내의 상부에 건조액의 응결을 억제하는 고온영역수단을 포함하여, 세정후 건조과정에서 발행하는 결함요인을 억제하도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR1019970023783A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950035635

申请日：1995-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재인 ,  장규환 ,  방주식 ,  박명준

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체소자의 제조장치중 세정장비에 관한 것으로 특히 세정 공정중 웨이퍼의 최종린스후 건조를 위하여 사용되는 건조기에 관한 것이다. 종래의 IPA증기건조기는 세정공정중 최종린스(Final Rinse) 후 웨이퍼 케리어(Carrier)부위에 과량으로 잔존하게 되는 물 때문에 갤(Gal)성 입자나 웨이퍼 케리어 슬롯(Slot)이 접하게 되는 부위의 IPA증기에 대한 건조 불충분(Undry)현상이 항상 문제점으로 지적되어 왔었다.
본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로, 반도체소자의 제조공정중 세정장치에 사용되는 건조기에 있어 상기 건조기 내부에 웨이퍼의 세정단계중 최종린스단계를 수행하는 린스수단을 포함하여, 입자의 발생과 불충분한 건조현상을 방지하도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR1019970018214A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950031105

申请日：1995-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최영준 ,  송재인

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 패터닝하는 방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 장치 제조에 있어서 실리콘 옥사이드 패턴을 형성 방법에 관한 것이다. 감광막을 사용하지 않는 실리콘 옥사이드 패턴 형성 방법은, 실리콘기판에 실리콘 옥사이드층을 형성한 후 불산(HF)을 사용하여 실리콘기판 표면의 실리콘 원자들을 수소로 말단부 치환(H-Terminate)시키는 제1공정; 상기 실리콘기판을 비 이온화 수(Deionized Water)로 린스(Rinse)한 후 드라이(Dry)하는 제2공정; 상기 제1공정에서 수소로 말단부 치환된 실리콘기판의 소정의 부분에 X선 또는 전자 빔(Beam)을 노광하여 수소를 이탈시키고 Si-O 결합을 형성시키는 제3공정 및 상기 실리콘기판을 알콕시실란 반응시켜 실리콘 옥사이드 패턴을 형성시키는 제4공정을 포함함을 특징으로 한다. 상술한 바와 같이 본 발명의 실리콘 옥사이드 패턴형성 방법은 알콕시실란 반응으로 실리콘 옥사이드 패턴을 형성함으로써 식각에 의한 감광막이 끊어짐이나 브릿징등의 패턴불량을 방지하는 효과를 제공한다.

公开(公告)号：KR100269285B1

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019960034757

申请日：1996-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재인 ,  박흥수 ,  이문희 ,  고영범

IPC: H01L21/34

Abstract: PURPOSE: A cleaning liquid for a wafer cleaning including a maleic acid having a carboxyl is provided to use as a new RCA-2 replacement chemicals and a spin scrubbing solution without giving a damage to a worker or an environment and simultaneously maximize the capacity for removing a particle and a metal impurity on a wafer. CONSTITUTION: The cleaning liquid consists of a maleic acid having a carboxyl and a mixture including a distilled water. The mixture further includes a surfactant.

Abstract translation: 目的：提供用于包括具有羧基的马来酸的晶片清洁用清洁液，以用作新的RCA-2替代化学品和旋转洗涤溶液，而不会对工人或环境造成损害，同时最大限度地提高除去能力 晶片上的颗粒和金属杂质。 构成：清洗液由具有羧基的马来酸和包括蒸馏水的混合物组成。 混合物还包括表面活性剂。

公开(公告)号：KR1019990086846A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019980020006

申请日：1998-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강대근 ,  손홍성 ,  송재인 ,  홍영기

IPC: H01L27/04

Abstract: 본 발명은 반도체 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 형성된 절연막을 뚫고 상기 반도체 기판과 전기적으로 연결되는 스토리지 전극 콘택이 형성되고, 상기 스토리지 전극 콘택과 상기 절연막 상에 동일한 식각 조건에 대해 식각되는 양이 서로 다른 막들이 번갈아 적층되어 다층 절연막이 형성되고, 상기 스토리지 전극 콘택 및 상기 절연막의 상부 표면이 노출될 때까지 상기 다층 절연막이 식각되어 양측벽이 굴곡을 갖는 오프닝이 형성된다. 상기 오프닝이 도전막으로 채워져 스토리지 전극이 형성된다. 이와 같은 반도체 장치 및 그의 제조 방법에 의해서, 스토리지 전극간의 브리지(bridge)를 방지하는 큰 포토 마진(photo margin)의 확보와 함께 스토리지 전극의 유효 표면적을 증가 시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990075619A

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019980009922

申请日：1998-03-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장규환 ,  이문희 ,  송재인 ,  송창룡

IPC: H01L27/108

Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 커패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 베리어메탈층의 산화를 방지하기 위한 측벽 스페이서를 형성하는 대신, 베리어메탈층의 양 측부에 베리어 콘택홀을 갖는 또 다른 층간절연막을 일정 두께로 적층시키고, 이와 함께, 베리어메탈층과 접촉되도록 그것의 상부에 제 1 전극층을 형성시켜, 베리어메탈층이 제 1 전극층 및 층간 절연막의 저부로 일정 깊이 매몰되도록 함으로써, 베리어메탈층의 외부노출을 차단시키고, 그 결과, 산화분위기의 어닐링 공정이 진행되더라도 베리어메탈층이 산화되지 않도록 할 수 있다.
또한, 이와 같은 베리어메탈층의 산화억제를 통해, 커패시터의 유전손실율을 저하시킴으로써, 커패시터의 전체적인 기능을 현저히 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100219488B1

公开(公告)日：1999-10-01

申请号：KR1019960042239

申请日：1996-09-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재인 ,  박흥수 ,  고영범

IPC: H01L21/66

Abstract: 반도체 제조 장치의 금속 오염 모니터링 장치 및 방법이 개시되어 있다. 본 발명에 따른 금속 오염 모니터링 장치는 반도체 제조 장치의 화학 처리조로부터 화학 처리액을 샘플링하는 제어 밸브를 포함하는 샘플링 라인과, 상기 샘플링 라인으로부터 공급되는 샘플 용액을 수용하는 도전율 측정 셀과, 상기 도전율 측정 셀 내에 설치되고, 상기 도전율 측정 셀 내에 수용된 용액의 도전율을 측정하는 도전율 측정 장치와, 상기 도전율 측정 장치로부터의 측정 결과를 모니터할 수 있고, 상기 측정 결과에 따라 설비 내의 각 제어 밸브를 제어하는 컴퓨터를 포함한다. 본 발명에 따르면, 희석된 불산을 사용하는 화학 처리조 내에서 금속 이온에 의한 오염 여부를 모니터링함으로써, 금속 오염에 의한 피해를 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR100200742B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960047786

申请日：1996-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조용준 ,  송재인 ,  박흥수 ,  고영범

IPC: H01L21/304

Abstract: HBF4를 추가로 함유한 세정액을 사용하는 세정방법에 대하여 기재되어 있다. 이 세정방법은, CMP 공정 후의 세정방법에 있어서, 수산화암모늄(NH4OH)과 HBF4를 포함하는 세정액을 사용하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 유기물질과 파티클은 물론 금속오염이나 박막층의 긁힘, 피팅 등은 함께 제거할 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR1019990026460A

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019970048573

申请日：1997-09-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송창룡 ,  장규환 ,  송재인 ,  조용준

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 방법은 먼저, 오존수 또는 UV-오존을 이용하여 자연 산화막(예컨대, 20Å 이하)을 생성시켜 웨이퍼 전 표면을 친수화되도록 하고, 이후 자연 산화막을 묽은 산화 용액(예컨대, 유기용제 또는 산 계열의 화학 물질)을 이용하여서 소정 두께(예컨대, 3Å 이상) 이상 식각함으로써 세정 효과를 극대화시킬 수 있다.