배선 구조 및 이를 적용한 전자소자
    11.
    发明公开
    배선 구조 및 이를 적용한 전자소자 审中-实审
    接线结构及其使用的电气设备

    公开(公告)号:KR1020160141589A

    公开(公告)日:2016-12-09

    申请号:KR1020150077490

    申请日:2015-06-01

    CPC classification number: H01L27/0629 H01L23/53271 H01L27/101 H01L27/228

    Abstract: 배선구조및 이를적용한전자소자가개시된다. 개시된배선구조는, 두전도성물질층과, 그사이의계면에이차원층상물질층을구비하는구조를가진다.

    Abstract translation: 布线结构可以包括在至少两个导电材料层之间的界面中的至少两个导电材料层和二维层状材料层。 二维层状材料层可以包括使二维层状材料层上的导电性材料层的粒径增大的晶粒扩展层。 增加的晶粒尺寸可能导致第二导电材料层的电阻降低。 结果,可以减小布线结构的总电阻。 二维层状材料层可有助于减小布线结构的总厚度。 因此,可以实现不增加其厚度的低电阻和高性能布线结构。

    금속-이차원 물질-반도체의 접합을 포함하는 반도체 소자
    12.
    发明公开
    금속-이차원 물질-반도체의 접합을 포함하는 반도체 소자 审中-实审
    - - 半导体器件包括金属-2尺寸材料半导体接触

    公开(公告)号:KR1020160137298A

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:KR1020150110233

    申请日:2015-08-04

    Abstract: 금속과반도체사이에이차원결정구조를갖는이차원물질층을개재함으로써접촉저항을줄인반도체소자가개시된다. 개시된반도체소자는반도체층, 상기반도체층에전기적으로접촉하는금속층, 및상기반도체층과금속층사이에배치된것으로이차원결정구조를갖는이차원물질층을포함할수 있다. 이차원물질층은터널링전류를통해금속과반도체사이의전류흐름을원활하게함으로써반도체층과금속층사이의접촉저항을저감시킬수 있다.

    층상 전이금속 칼코겐 화합물막 형성용 조성물 및 이를 이용한 층상 전이금속 칼코겐 화합물막의 제조방법
    13.
    发明公开
    층상 전이금속 칼코겐 화합물막 형성용 조성물 및 이를 이용한 층상 전이금속 칼코겐 화합물막의 제조방법 审中-实审
    层状过渡硫属化物化合物层的组成和形成层状过渡硫属化物化合物层的方法

    公开(公告)号:KR1020160125919A

    公开(公告)日:2016-11-01

    申请号:KR1020160049391

    申请日:2016-04-22

    Abstract: 하기화학식 1로표시되는전이금속전구체및 화학식 1d로표시되는전이금속전구체중에서선택된하나이상; 및하기화학식 2로표시되는칼코겐전구체를포함하는층상전이금속칼코겐화합물(layered transition metal chalcogenide)막형성용조성물및 및이를이용한층상전이금속칼코겐화합물막의제조방법이제시된다. [화학식 1] M(R)(H)(R)상기화학식 1 중, M, R및 R는, a, b 및 c는상세한설명에서기재된바와같고, [화학식 1d] M(R)화학식 1d 중, M, R, d는상세한설명에서기재된바와같고, [화학식 2] M’X상기화학식 2 중, M’, X는상세한설명에서기재된바와같다.

    Abstract translation: 提供一种用于形成层状过渡金属硫属化物化合物层的组合物和通过使用该组合物形成层状过渡金属硫属化物化合物层的方法。 组合物包括由式1表示的过渡金属前体和由式2表示的硫族化物前体。€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒM a(R 1)6-bc(H)b(R 2)c其中,在式1中,M,R 1,R 2,a,b和c与详细描述中的定义相同, €ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒ€ƒM'k X 2其中,在公式2中,M'和X与详细说明中定义的相同 描述。

    하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법
    15.
    发明公开
    하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법 审中-实审
    HARDMASK组合物和使用HARDMASK组合物形成图案的方法

    公开(公告)号:KR1020160004831A

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:KR1020140083905

    申请日:2014-07-04

    Abstract: i)방향족고리함유모노머및 방향족고리함유모노머를포함하는반복단위를함유하는고분자중에서선택된하나의제1물질, ii)육방정계질화붕소, 칼코게나이드계물질, 0.01 내지 40원자%의산소를함유하는이차원탄소나노구조물및 그전구체로이루어진군으로부터선택된하나이상의제2물질; 및 iii) 용매를포함하는하드마스크조성물및 이를이용한패턴의형성방법이제시된다.

    Abstract translation: 公开了一种硬掩模组合物,其包含:(i)选自包含芳族环的单体的聚合物和包含芳族环的单体的重复单元的第一材料; (ii)一种或多种选自包括二维碳纳米结构及其前体的第二材料,其中所述二维碳纳米结构还包含六方氮化硼,硫族化物基材料和0.01-40原子%的 氧; 和(iii)溶剂。 此外,公开了使用硬掩模组合物的图案形成方法。

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