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11.发明授权
公开(公告)号：KR100926571B1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：KR1020070126275
申请日：2007-12-06
CPC classification number: H04W74/02
Abstract: 본 발명은 무선 통신 시스템에서 임의 접속 응답 정보의 송수신 방법, 이를 구현하는 기지국 장치 및 단말장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 무선 통신 시스템의 기지국이 단말로부터 요청받은 임의 접속 처리를 위한 응답 정보를 전송하는 경우, 임의 접속을 요청한 하나 이상의 단말 각각에 대한 비경쟁 방식의 응답 정보 및 경쟁 방식의 응답 정보를 하나의 무선 자원으로 전송할지 여부를 결정한다. 이때, 하나의 무선 자원으로 전송하기로 결정한 경우, 하나 이상의 단말 각각에 대한 비경쟁 방식의 응답 정보 및 경쟁 방식의 응답 정보로 구성된 임의 접속 응답 정보를 전송한다. 또한, 개별적인 무선 자원으로 전송하기로 결정한 경우, 하나 이상의 단말 각각에 대한 비경쟁 방식의 응답 정보로 구성되거나 또는 경쟁 방식의 응답 정보로 구성된 임의 접속 응답 정보를 전송한다.
이와 같이, 무선 자원의 할당 및 활용 관점에서 효율적으로 응답 정보를 구성하므로 물리 계층 무선 자원의 가변적(variable)이고 플렉서블(flexible)한 운용을 지원할 수 있다.
임의 접속 절차(random access procedure), LTE (Long Term Evolution)-
公开(公告)号：KR100790893B1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：KR1020060102467
申请日：2006-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/30
Abstract: A semiconductor probe having an embossed resistive tip and a method for fabricating the same are provided to prevent damage thereof by using low energy in an ion implantation process. A protrusive part(172) is protruded from a cantilever(170). An embossed resistive tip(130) is formed on the protrusive part. A first electrode region(132) and a second electrode region(134) are formed at both sides of the embossed resistive tip at the protrusive part. The cantilever is doped with a first impurity. The first electrode region, the second electrode region, and the embossed resistive tip are doped with a second impurity having polarity different from the polarity of the first impurity. The doping density of the embossed resistive tip is lower than that of the first and second electrode regions.
Abstract translation: 提供具有压花电阻端头的半导体探针及其制造方法，以通过在离子注入工艺中使用低能量来防止其损坏。 突出部分（172）从悬臂（170）突出。 在凸出部分上形成压花电阻头（130）。 第一电极区域（132）和第二电极区域（134）形成在凸出部分的压花电阻端头的两侧。 悬臂掺杂有第一杂质。 第一电极区域，第二电极区域和压电电阻尖端掺杂有极性不同于第一杂质极性的第二杂质。 压花电阻尖端的掺杂密度低于第一和第二电极区域的掺杂浓度。
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公开(公告)号：KR1020060083066A
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020050003977
申请日：2005-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01Q70/16 , G01Q70/14 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침은, 제1불순물이 도핑되어 있으며, 그 첨두부에는 상기 제1불순물과 극성이 다른 제2불순물이 저농도로 도핑된 저항영역이 형성되고, 그 경사면에는 상기 제2불순물이 고농도로 도핑된 제1 및 제2반도체 전극영역이 형성된 저항성 팁; 상기 저항성 팁이 말단부에 위치하는 캔티레버; 상기 캔티레버 상에서 상기 저항영역을 덮는 유전층; 및 상기 유전층 상에서 상기 저항영역에 해당되는 영역에 개구가 형성된 메탈 쉴드;를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 반도체 탐침의 공간 분해능이 향상된다.
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公开(公告)号：KR101850861B1
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：KR1020110066450
申请日：2011-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H04N13/00
Abstract: 디스플레이장치및 그의피로도제공방법을개시한다. 본 3D 디스플레이장치는, 3D 컨텐츠를디스플레이하는디스플레이부및 상기 3D 컨텐츠의프레임별깊이및 화소정도에따라피로를유발시킬수 있는피로유발요인과관련된피로도레벨을시각적으로표시하도록상기디스플레이부를제어하는제어부를포함한다. 이에의해, 사용자는화면에디스플레이되는 3D 컨텐츠의피로도정도를쉽게파악할수 있다. 뿐만아니라, 3D 컨텐츠의피로도정도를시각적으로제공함으로써, 사용자는 3D 컨텐츠의피로도정도를고려하여 3D 컨텐츠재생이나편집등을용이하게이용할수 있다.
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公开(公告)号：KR100785006B1
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：KR1020050081996
申请日：2005-09-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G01N13/10
Abstract: A semiconductor probe with a high-resolution tip and a method of fabricating the same are provided. The semiconductor probe includes: a cantilever doped with a first impurity; a resistive convex portion projecting from an end portion of the cantilever and lightly doped with a second impurity opposite in polarity to the first impurity; and first and second electrode regions formed on either side of the resistive convex portion and heavily doped with the second impurity.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100738098B1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：KR1020060003934
申请日：2006-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/66
Abstract: A semiconductor probe and a manufacturing method thereof are provided to keep the resolution of a resistive region and improve sensitivity by forming easily a conductive region in spite of a narrow width of a resistive tip using a doping control layer. A semiconductor probe includes a cantilever(21) doped with first dopants, a resistive tip, a doping control layer and first and second electrode regions. The resistive tip is protruded from an end portion of the cantilever. The resistive tip is lightly doped with second dopants. The doping control layer(25) is formed at both sides of the resistive tip. The first and second electrode regions(22,23) are formed at a lower portion of the doping control layer and both sides of the resistive tip, respectively. The first and second electrode regions are heavily doped with the second dopants.
Abstract translation: 提供一种半导体探针及其制造方法，通过使用掺杂控制层，尽管电阻性尖端的宽度变窄，但容易形成导电性区域，从而保持电阻性区域的分辨率并提高灵敏度。 半导体探针包括掺杂有第一掺杂剂的悬臂（21），电阻尖端，掺杂控制层以及第一和第二电极区域。 阻力尖端从悬臂的端部突出。 电阻尖端轻掺杂第二掺杂剂。 掺杂控制层（25）形成在电阻性尖端的两侧。 第一和第二电极区（22,23）分别形成在掺杂控制层的下部和电阻性尖端的两侧。 第一和第二电极区用第二掺杂剂重掺杂。
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公开(公告)号：KR100682916B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050003977
申请日：2005-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01Q70/16 , G01Q70/14 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침은, 제1불순물이 도핑되어 있으며, 그 첨두부에는 상기 제1불순물과 극성이 다른 제2불순물이 저농도로 도핑된 저항영역이 형성되고, 그 경사면에는 상기 제2불순물이 고농도로 도핑된 제1 및 제2반도체 전극영역이 형성된 저항성 팁; 상기 저항성 팁이 말단부에 위치하는 캔티레버; 상기 캔티레버 상에서 상기 저항영역을 덮는 유전층; 및 상기 유전층 상에서 상기 저항영역에 해당되는 영역에 개구가 형성된 메탈 쉴드;를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 반도체 탐침의 공간 분해능이 향상된다.
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公开(公告)号：KR101791938B1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：KR1020100138041
申请日：2010-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 복수의그래핀채널층을구비한그래핀전자소자가개시된다. 개시된그래핀전자소자는기판상의게이트전극과, 상기기판상에서상기게이트전극을덮는제1 게이트절연막과, 상기제1 게이트절연막상에서, 그사이에제2 게이트절연막이개재된복수의그래핀채널층과, 상기복수의그래핀채널층의각 그래핀채널층의양단부와연결된소스전극및 드레인전극을구비한다.
Abstract translation: 公开了具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。 它公开的石墨烯电子器件和覆盖在栅电极上的栅电极的第一栅极绝缘膜，和在基板上的基板，栅极上的第一绝缘膜，以及所述多个第二栅极绝缘膜的隔着鳍沟道层; 并且源电极和漏电极连接到多个石墨烯沟道层中的每个石墨烯沟道层的两端。
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公开(公告)号：KR101718961B1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：KR1020100109778
申请日：2010-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41758 , H01L29/66477 , H01L29/778
Abstract: 그래핀을포함하는반도체소자및 그제조방법이개시된다. 개시된반도체소자는게이트전극과그래핀층사이에게이트절연층이형성될수 있으며, 나머지그래핀층하부에는층간절연막이형성될수 있다. 게이트절연막은층간절연막보다높은유전율을지닌물질로형성될수 있다.
Abstract translation: 公开了包括石墨烯的半导体器件及其制造方法。 在所公开的半导体器件中，栅极绝缘层可以形成在栅电极和石墨烯层之间，并且层间绝缘层可以形成在剩余的石墨烯层下面。 栅极绝缘膜可以由具有比层间绝缘膜更高的介电常数的材料形成。
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公开(公告)号：KR1020120076061A
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020100138041
申请日：2010-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L21/823412
Abstract: PURPOSE: A graphene electric component equipped with a plurality of graphene channel layers is provided to increase current transition speed between a drain electrode and a source electrode by forming the plurality of graphene channel layers into a double layer structure. CONSTITUTION: A gate electrode(120) is formed on a substrate(110). A first gate insulating layer(131) covering the gate electrode is formed on the substrate. A first graphene channel layer(141) is formed on the first gate insulating layer. A second gate insulating layer(132) is formed on the first graphene channel layer. A second graphene channel layer(142) is formed on the second gate insulating layer. A source electrode(150) and a drain electrode(160) are formed on the first graphene channel layer and the second graphene channel layer.
Abstract translation: 目的：提供装配有多个石墨烯通道层的石墨烯电气部件，以通过将多个石墨烯通道层形成双层结构来增加漏电极和源电极之间的电流转变速度。 构成：在基板（110）上形成栅电极（120）。 在基板上形成覆盖栅电极的第一栅极绝缘层（131）。 在第一栅绝缘层上形成第一石墨烯通道层（141）。 第一栅极绝缘层（132）形成在第一石墨烯沟道层上。 在第二栅绝缘层上形成第二石墨烯通道层（142）。 源电极（150）和漏电极（160）形成在第一石墨烯沟道层和第二石墨烯沟道层上。
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