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公开(公告)号:KR1020090010327A
公开(公告)日:2009-01-30
申请号:KR1020070073339
申请日:2007-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/495 , H01L23/12
CPC classification number: H01L23/49555 , H01L23/49548 , H01L24/48 , H01L25/105 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2225/1029 , H01L2225/1064 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: A lead frame, semiconductor package and stacked semiconductor package having the same is provided to suppress damage of the second outer lead by broadening the first outer lead and increasing degree of strength of the second outer lead. A lead frame(100) includes a pedal(110), an inner lead(120) first outer lead(130) and one or more second outer lead(140). Inner leads are arranged to be adjacent to both side terminal sides of the base plate(112), and first outer lead are extended from inner lead along with the first direction. The second outer lead is arranged to be adjacent to both side terminal lateral edge of the base plate. The second outer lead has the second area which is broader than that of the first outer lead.
Abstract translation: 提供一种引线框架,半导体封装和具有该引线框架的半导体封装和堆叠半导体封装,以通过扩大第一外部引线和增加第二外部引线的强度来抑制第二外部引线的损坏。 引线框架(100)包括踏板(110),内引线(120)第一外引线(130)和一个或多个第二外引线(140)。 内引线被设置为与基板(112)的两侧端子侧相邻,并且第一外引线沿着第一方向从内引线延伸。 第二外部引线被布置成与基板的两侧端子侧边缘相邻。 第二外引线具有比第一外导线更宽的第二区域。
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12.
公开(公告)号:KR100688500B1
公开(公告)日:2007-03-02
申请号:KR1020040070782
申请日:2004-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/3128 , H01L24/48 , H01L25/105 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 반도체 칩 보호용 더미 패키지 기판을 구비하는 멀티스택 패키지 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 멀티스택 패키지는 수직으로 적층되어 있는 복수의 단위 칩 패키지들 및 단위 칩 패키지들의 최상부 단위 칩 패키지의 반도체 칩을 보호하기 위해 최상부 단위 칩 패키지의 반도체 칩 상의 더미 패키지 기판을 포함한다.
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13.
公开(公告)号:KR1020060029715A
公开(公告)日:2006-04-07
申请号:KR1020040070782
申请日:2004-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/3128 , H01L24/48 , H01L25/105 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 반도체 칩 보호용 더미 패키지 기판을 구비하는 멀티스택 패키지 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 멀티스택 패키지는 수직으로 적층되어 있는 복수의 단위 칩 패키지들 및 단위 칩 패키지들의 최상부 단위 칩 패키지의 반도체 칩을 보호하기 위해 최상부 단위 칩 패키지의 반도체 칩 상의 더미 패키지 기판을 포함한다.
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公开(公告)号:KR1019990056995A
公开(公告)日:1999-07-15
申请号:KR1019970077031
申请日:1997-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/48
Abstract: 본 발명은 반도체 칩 패키지용 리드 프레임에 관한 것으로, 반도체 칩이 실장되는 영역으로서 네 방향으로 뻗은 바 패드를 갖는 다이 패드와, 각각의 바 패드와 연결되어 방사형으로 뻗어 있는 타이 바와, 바 패드의 말단과 타이바 사이에 소정의 간격을 두고 복수의 돌출부를 갖는 반도체 칩 패키지용 리드 프레임을 제공한다. 특히, 본 발명에 따른 리드 프레임은 수분을 흡수하는 인자인 다이 패드의 영역이 최소화 되며, 기판 실장시 다이 패드 밑면에 발생하는 응력이 다이 패드를 이루는 각각의 바 패드에 분산되어 패키지 크랙과 같은 불량을 억제할 수 있다. 그리고, 다이 패드에 실장된 반도체 칩과, 반도체 칩의 외측에 위치하는 돌출부의 상호 위치 관계를 확인하여 반도체 칩의 정렬 상태를 확인하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号:KR1020170120257A
公开(公告)日:2017-10-31
申请号:KR1020160048377
申请日:2016-04-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/00 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L25/065
CPC classification number: H01L25/18 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/5384 , H01L24/16 , H01L25/0652 , H01L25/105 , H01L2224/16141 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572
Abstract: 패키지모듈기판및 반도체모듈이제공된다. 반도체모듈은제1 영역및 제2 영역을포함하는모듈기판; 상기모듈기판의제1 영역상에실장되는제1 기판; 및상기제1 기판의상면상의제1 탭을포함할수 있다. 상기모듈기판은상기제1 기판을통하여상기제1 탭과전기적으로연결될수 있다.
Abstract translation: 提供封装模块衬底和半导体模块。 一种半导体模块包括:包括第一区域和第二区域的模块基板; 安装在模块衬底的第一区域上的第一衬底; 以及第一基板的上表面上的第一突片。 模块基板可以通过第一基板电连接到第一接头。
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公开(公告)号:KR101686553B1
公开(公告)日:2016-12-14
申请号:KR1020100067035
申请日:2010-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/56 , H01L23/00 , H01L25/065 , H01L23/31
CPC classification number: H01L25/03 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2224/04042 , H01L2224/056 , H01L2224/2919 , H01L2224/32135 , H01L2224/32145 , H01L2224/32151 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48177 , H01L2224/484 , H01L2224/48599 , H01L2224/4899 , H01L2224/4911 , H01L2224/49113 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83005 , H01L2224/85005 , H01L2224/92165 , H01L2225/06562 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01061 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 프로텍션층(protection film), 프로텍션층 상에적층되는다수의반도체칩들,프로텍션층 상에형성되며반도체칩들의측면을감싸는내부몰딩재및 내부몰딩재상부에매몰되어형성된단자들을갖는반도체패키지를제공한다. 여기서다수의반도체칩들각각은활성면, 활성면에대향하는비활성면, 및활성면의일부에형성된칩 패드를갖고, 단자의상면은내부몰딩재의상부로노출된다.
Abstract translation: 一种半导体封装,包括保护层,堆叠在保护层上的多个半导体芯片,设置在保护层上以包围半导体芯片的侧表面的内部密封剂,以及被设置成埋入内部的上部的端子 密封剂。 这里,每个半导体芯片包括有源表面,与有源表面相对的无效表面和设置在有源表面的一部分上的芯片焊盘,并且端子的上表面从内表面的上表面露出 密封剂。
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17.
公开(公告)号:KR101633398B1
公开(公告)日:2016-06-24
申请号:KR1020100013855
申请日:2010-02-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L23/49811 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/09517 , H01L2224/32225 , H01L2224/33517 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , Y10S438/948 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 랜드그리드어레이(Land Grid Array) 패키지및 반도체패키지에서반도체패키지제조용기판의랜드및 솔더레지스트층의단차를감소시켜반도체칩의가해지는손상을억제할수 있는랜드그리드어레이패키지및 반도체패키지에관해개시한다. 이를위해본 발명은랜드그리드어레이패키지혹은반도체패키지에포함된기판의랜드표면에솔더레지스트로이루어지고, 기판의밑면에존재하는솔더레지스트층의높이와같거나더욱낮은지지층을별도로형성한다. 따라서, 상기지지층이반도체칩이탑재된기판이휘어지는것을지지하여반도체칩의크랙(crack)을억제할수 있다.
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公开(公告)号:KR101557273B1
公开(公告)日:2015-10-05
申请号:KR1020090022747
申请日:2009-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L23/49575 , H01L23/50 , H01L23/535 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0657 , H01L2224/05554 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48095 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48247 , H01L2224/4911 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01027 , H01L2924/01075 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/48175 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명은다수의핀 그룹으로분류가능한리드를구비하고복수의반도체칩이적층되는반도체패키지에대한것으로서, 반도체칩; 및상기반도체칩과연결되며외부로노출되는리드;를포함하며, 상기리드는, 상기반도체칩의일측방향으로노출되고, 콘트롤러의제 1 채널라인과연결되는제 1 핀그룹; 및상기반도체칩의타측방향으로노출되고, 상기콘트롤러의제 2 채널라인과연결되는제 2 핀그룹;을포함하여이루어지는것을특징으로하기때문에패키징수율을향상시키고, 기판실장시실장면적을줄이고고밀도의제품을제작하며생산원가를절감할수 있으며, 데이터의입출력속도및 제품의성능을크게향상시킬수 있고, 반도체패키지들의 4개의측면, 즉좌측면, 우측면, 전면, 후면을모두활용할수 있게하는효과를갖는다.
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公开(公告)号:KR1020130043408A
公开(公告)日:2013-04-30
申请号:KR1020110107513
申请日:2011-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L25/074 , H01L23/31 , H01L23/32 , H01L23/3735 , H01L24/42
Abstract: PURPOSE: A multichip package is provided to rapidly discharge high heat to the outside by exposing the upper side of a support member from a molding member. CONSTITUTION: A plurality of semiconductor chips(120) are laminated on a package substrate with a step type. Conductive connection members(140) electrically connect the semiconductor chips to the package substrate. A support member(130) supports the semiconductor chips. A molding member(150) is formed on the upper side of the package substrate. The molding member covers the semiconductor chips, the conductive connection members, and the support member.
Abstract translation: 目的:提供一种多芯片封装,用于通过将支撑构件的上侧从模制构件暴露出来,将高热量快速排出到外部。 构成:多个半导体芯片(120)层叠在具有台阶型的封装基板上。 导电连接构件(140)将半导体芯片电连接到封装衬底。 支撑构件(130)支撑半导体芯片。 模制构件(150)形成在封装衬底的上侧。 模制构件覆盖半导体芯片,导电连接构件和支撑构件。
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公开(公告)号:KR1020120006352A
公开(公告)日:2012-01-18
申请号:KR1020100067035
申请日:2010-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/56 , H01L23/00 , H01L25/065 , H01L23/31
CPC classification number: H01L25/03 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2224/04042 , H01L2224/056 , H01L2224/2919 , H01L2224/32135 , H01L2224/32145 , H01L2224/32151 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48177 , H01L2224/484 , H01L2224/48599 , H01L2224/4899 , H01L2224/4911 , H01L2224/49113 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83005 , H01L2224/85005 , H01L2224/92165 , H01L2225/06562 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01061 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A high density semiconductor package, a package on package, and a manufacturing method thereof are provided to eliminate a molding gap, thereby minimizing the height of the semiconductor package. CONSTITUTION: A plurality of semiconductor chips is laminated on protection layers(290,390). The plurality of semiconductor chips respectively includes an active surface, a non-active surface facing the active surface, and a chip pad arranged on a part of the active surface. An internal molding material(260,360,460) covering a lateral surface of the semiconductor chips is arranged on the protection layer. A terminal(150,250,350,450) is arranged in the upper part of the molding material. The chip pad and the terminal are electrically connected by bonding wires(305,405) arranged in the inside of the molding material.
Abstract translation: 目的:提供高密度半导体封装,封装封装及其制造方法,以消除模制间隙,从而使半导体封装的高度最小化。 构成:在保护层(290,390)上层叠多个半导体芯片。 多个半导体芯片分别包括有源表面,面向有源表面的非有效表面和布置在有源表面的一部分上的芯片焊盘。 覆盖半导体芯片的侧表面的内部模制材料(260,360,460)布置在保护层上。 端子(150,250,350,450)布置在模制材料的上部。 芯片焊盘和端子通过布置在模制材料内部的接合线(305,405)电连接。
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