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公开(公告)号：KR100596487B1
公开(公告)日：2006-07-04
申请号：KR1020050030179
申请日：2005-04-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
Abstract: 금속 물질을 게이트 패턴으로 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법에서, 제1 불순물 영역과 제2 불순물 영역을 갖는 반도체 기판 상에 게이트 절연막과 제1 두께를 갖는 금속막을 순차적으로 형성한 후, 상기 금속막의 일부를 제거하여 상기 제2 불순물 영역 상부에 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 예비 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 예비 패턴을 갖는 결과물 상에 폴리 실리콘막을 형성한 후, 상기 예비 패턴과 폴리 실리콘막을 반응시켜 상기 예비 패턴을 금속 실리사이드막으로 형성한다. 그리고, 패터닝을 수행함으로서 제1 불순물 영역 상부에는 금속막 패턴을 포함하는 제1 게이트 패턴을 형성하고, 제2 불순물 영역 상부에는 금속 실리사이드막 패턴을 포함하는 제2 게이트 패턴을 형성한다.
Abstract translation: 在半导体器件和制造方法包括：在金属材料作为栅图案，所述第一杂质区和所述第二再依次形成具有杂质区具有栅极绝缘膜和第一厚度，所述金属膜的金属膜的半导体基板上 去除由所述第二杂质区和上部的部分形成具有第二厚度比所述第一厚度薄的预图案。 然后，在形成在具有初步图案所得的多晶硅膜之后，通过预图案作为多晶硅膜反应以形成金属硅化物膜的所述预图案。 然后，上部第一栅上面的第一杂质区，以及形成图案，包括的金属膜图案的第二杂质区是通过执行包括金属硅化物膜的图案的第二栅极图案的图案化而形成。
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公开(公告)号：KR101850703B1
公开(公告)日：2018-04-23
申请号：KR1020110088014
申请日：2011-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823437 , H01L21/28008 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/66795
Abstract: 반도체장치의게이트메탈제조방법이제공된다. 반도체장치의게이트메탈제조방법은기판, 및기판의상면으로부터돌출되고, 기판과일체로형성된제1 및제2 액티브핀을제공하고, 제1 및제2 액티브핀 상에제1 일함수(work function)를갖는제1 게이트메탈을형성하고, 제1 액티브핀 상의제1 게이트메탈은노출하고, 상기제2 액티브핀 상의제1 게이트메탈은덮는제1 마스크막을형성하고, 제1 불순물을도핑하는제1 등방성도핑(isotropic doping)을수행하여, 제1 액티브핀 상의제1 게이트메탈을제1 일함수와다른제2 일함수를갖는제2 게이트메탈로형성하는것을포함한다.
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公开(公告)号：KR101675373B1
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：KR1020100026431
申请日：2010-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L29/66545
Abstract: 반도체소자및 그제조방법이제공된다. 이방법에따르면, 서로이격된제1 영역및 제2 영역을포함하는기판이준비되고, 상기제1 영역및 제2 영역내에각각배치된제1 및제2 개구부들을갖는층간절연막이상기기판상에형성되고, 상기제1 및제2 개구부들을채우는제1 도전막이형성되고, 상기제1 도전막을식각하여, 상기제1 개구부의바닥면이노출되고, 상기제2 개구부내에상기제1 도전막의일부가잔존되고, 상기제2 개구부의비어있는윗 영역및 상기제1 개구부를채우는제2 도전막이형성된다.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法。 根据该方法，制备包括彼此间隔开的第一区域和第二区域的衬底，并且具有分别布置在第一区域和第二区域中的第一开口和第二开口的层间绝缘膜形成在器件板上 形成填充第一开口和第二开口的第一导电膜，并且蚀刻第一导电膜以暴露第一开口的底表面并且第一导电膜的一部分保留在第二开口中， 形成填充第二开口和第一开口的空的上部区域的第二导电膜。
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公开(公告)号：KR1020120128531A
公开(公告)日：2012-11-27
申请号：KR1020110088014
申请日：2011-08-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823437 , H01L21/28008 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/66795 , H01L29/42316 , H01L29/41791 , H01L29/785
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a fabrication method thereof are provided to obtain gate metal of a desired work function by performing a first isotropic doping process for a first gate surface with conformal impurity. CONSTITUTION: A substrate and a first and second active pin are provided(S100). A first gate metal of a first work function is formed on the first and second active pin(S130). A first mask film is formed(S140). The first mask film exposes the first gate metal of the first active pin. The first mask film covers the first gate metal of the second active pin. A first conformal doping process of first impurity is performed(S150). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S100) Providing a substrate and first and second active pins; (S110) Forming source and drain regions; (S120) Forming a gate insulating layer; (S130) Forming a first gate metal; (S140) Forming a first mask film; (S150) Performing a first conformal doping process
Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法以通过对具有保形杂质的第一栅极表面进行第一各向同性掺杂工艺来获得所需功函数的栅极金属。 构成：提供基板和第一和第二有源引脚（S100）。 第一功能功能的第一栅极金属形成在第一和第二有源引脚（S130）上。 形成第一掩模膜（S140）。 第一掩模膜暴露第一有效引脚的第一栅极金属。 第一掩模膜覆盖第二有源引脚的第一栅极金属。 执行第一杂质的第一共形掺杂工艺（S150）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S100）提供基板和第一和第二有源引脚; （S110）形成源区和漏区; （S120）形成栅极绝缘层; （S130）形成第一栅极金属; （S140）形成第一掩模膜; （S150）进行第一共形掺杂工艺
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公开(公告)号：KR101176455B1
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：KR1020060004205
申请日：2006-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F25D17/065 , F25D17/045 , F25D31/007 , F25D2317/061 , F25D2317/0665 , F25D2400/28 , F25D2700/121
Abstract: 본 발명의 목적은 음료의 과냉각 상태를 안정적으로 구현하고 또 유지하기 위하여 음료수를 보관하는 공간의 온도를 최적의 상태로 실현시킬 수 있고, 또 상기와 같이 안정적으로 과냉각 상태를 구현하고 유지하면서도 매우 빠른 시간 내에 과냉각된 음료를 제조할 수 있도록 하기 위한 냉장고 및 그 제어방법을 제공하는 데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 과냉각장치는, 냉기공급수단으로부터 냉기가 공급되는 저장공간; 상기 저장공간에 구비되어 상기 공급되는 냉기에 의해 냉각되어 그 내부의 피냉각체를 간접적으로 냉각시키는 과냉각실; 상기 과냉각실 내부로 냉기가 출입하도록 상기 과냉각실의 일측에 형성된 냉기유출입구; 및 상기 냉기유출입구를 개폐하는 댐퍼를 포함하여, 상기 댐퍼의 개방 또는 폐쇄에 의해 상기 과냉각실 내부의 피냉각체의 직접 냉각 또는 간접 냉각이 선택적으로 이루어지도록 한 것을 특징으로 한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110056120A
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：KR1020090112810
申请日：2009-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L27/092 , H01L29/4966 , H01L29/66545 , H01L29/7833 , H01L21/8238
Abstract: PURPOSE: A complementary metal oxide semiconductor device having a metal gate stack structure is provided to prevent damage to a high dielectric layer in a manufacturing process by including a barrier metal gate including a metal oxide nitride layer. CONSTITUTION: In a complementary metal oxide semiconductor device having a metal gate stack structure, a semiconductor substrate(100) comprises an NMOS region(201) and a PMOS region(202). The NMOS region and PMOS region are separated by an element separation layer. An NMOS metal gate stack structure(310) and a PMOS metal gate stack structure(330) are formed in an NMOS region and a PMOS region respectively. The NMOS metal gate stack structure includes a first dielectric layer(116), a first lower barrier metal gate(118), and a first upper barrier metal gate(160). The PMOS metal gate stack structure includes a second dielectric layer(120), a second lower barrier metal gate(120), and a second upper barrier metal gate(160).
Abstract translation: 目的：提供一种具有金属栅堆叠结构的互补金属氧化物半导体器件，以通过包括包括金属氧化物氮化物层的势垒金属栅极在制造过程中防止对高介电层的损坏。 构成：在具有金属栅堆叠结构的互补金属氧化物半导体器件中，半导体衬底（100）包括NMOS区（201）和PMOS区（202）。 NMOS区域和PMOS区域被元件分离层隔开。 分别在NMOS区域和PMOS区域中形成NMOS金属栅极堆叠结构（310）和PMOS金属栅极堆叠结构（330）。 NMOS金属栅极堆叠结构包括第一介电层（116），第一下阻挡金属栅极（118）和第一上阻挡金属栅极（160）。 PMOS金属栅极堆叠结构包括第二介电层（120），第二下阻挡金属栅极（120）和第二上阻挡金属栅极（160）。
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公开(公告)号：KR2020090006006U
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：KR2020070020074
申请日：2007-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F25D23/028 , F21V5/048 , F25D25/025 , F25D27/00 , F25D2317/0417
Abstract: 본 고안은 냉장고 및 김치 냉장고에 관한 것으로서, 특히 오목렌즈를 이용하여 저장공간에 효과적으로 자외선 빛을 조사할 수 있어 인체에 유해한 분해산물을 생성하지 않고, 안전하게 농약을 저감할 수 있는 냉장고에 관한 것이다.
본 고안에 따른 냉장고는 일측이 개방된 저장 박스와, 상기 저장 박스의 개방부를 덮는 저장 박스 커버와, 상기 저장 박스 내부의 살균을 위해 설치된 자외선 램프를 포함하는 냉장고에 있어서, 상기 저장 박스 커버에 오목렌즈를 설치하여 상기 자외선 램프의 빛이 상기 오목렌즈에 의해 확산되어 빛의 조사 각도를 보다 크게 할 수 있는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020080095687A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：KR1020070040505
申请日：2007-04-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
Abstract: A semiconductor device and a method for fabricating the same are provided to suppress the short channel effect by minimizing the overlapping area of a first gate conductive pattern, a source area, and a drain area which constitute a gate electrode. A semiconductor device comprises a device isolation layer defining an active region(102) on a semiconductor substrate(100); a gate insulating layer(103) on the active region; a first gate conductive pattern(104a) on the gate insulating layer; a second gate conductive pattern(105a) on the first gate conductive pattern; a source and a drain regions formed on the active region which is positioned at both sides of gate electrode comprising the first and second gate conductive patterns. The first gate conductive pattern includes metal, and the width of first gate conductive pattern between the source and drain regions is smaller than that of second gate conductive pattern. The gate insulating layer is made of silicon oxide layer or high dielectric layer.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法，通过使构成栅电极的第一栅极导电图案，源极区域和漏极区域的重叠面积最小化来抑制短沟道效应。 半导体器件包括在半导体衬底（100）上限定有源区（102）的器件隔离层; 在所述有源区上的栅极绝缘层（103）; 栅极绝缘层上的第一栅极导电图案（104a）; 在第一栅极导电图案上的第二栅极导电图案（105a）; 形成在有源区上的源极和漏极区，位于包括第一和第二栅极导电图案的栅电极的两侧。 第一栅极导电图案包括金属，并且源极和漏极区域之间的第一栅极导电图案的宽度小于第二栅极导电图案的宽度。 栅极绝缘层由氧化硅层或高介电层制成。
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公开(公告)号：KR1020070075676A
公开(公告)日：2007-07-24
申请号：KR1020060004206
申请日：2006-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: An ice core making unit and a slush making vessel having the same are provided to quickly make slush by freezing only the ice core making unit in a freezer without keeping the total slush making vessel in the freezer. The slush making vessel(40) for containing liquid beverage has an ice core making unit(30) installed on a portion of the inside to make an ice core by partially cooling down super-cooled liquid in pouring the super-cooled liquid into the vessel. The ice core making unit is made of materials with high thermal conductivity and composed of a plate-shaped support part(31) and at least one projection(32) protruded from the support unit toward one side. If the ice core making unit kept in cold for the predetermined time contacts with the super-cooled liquid, the ice core making unit makes the ice core by partially cooling the super-cooled liquid.
Abstract translation: 提供了一个制冰单元和一个制冰容器，以便通过在冰箱中只将冰芯制造单元冷冻而不使总制冰容器保持在冷藏室中，从而快速冷却。 用于容纳液体饮料的制冰容器（40）具有安装在内部的一部分上的制冰单元（30），以通过在将超冷却液倒入容器中部分地冷却过冷却的液体来制成冰芯 。 制冰单元由具有高导热性的材料制成，由板状支撑部分（31）和从支撑单元向一侧突出的至少一个突起（32）组成。 如果冰芯制造单元保持冷却预定时间与超冷却液体接触，则制冰单元通过部分冷却超冷却液体来制造冰芯。
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公开(公告)号：KR1020070075669A
公开(公告)日：2007-07-24
申请号：KR1020060004199
申请日：2006-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: F25D31/007 , F25D29/00 , F25D2400/30 , F25D2400/361 , F25D2700/122
Abstract: A refrigerator is provided to selectively control an overcooled degree of corresponding liquid beverages by respectively setting overcooled temperaturedepending on kinds of the liquid beverages or slush strength suitable for taste of users. A refrigerator cooling liquid beverages to an overcooled state comprises an input unit, a controller(40) and a memory unit(60). The input unit selects slush strength for controlling an overcooled degree of the liquid beverages by order of users. The controller performs control of the overcooled degree of the liquid beverages based on the selected slush strength. The memory unit stores overcooled temperature information about the slush strength of the liquid beverages.
Abstract translation: 提供一种冰箱，用于通过分别根据液体饮料的种类或适合于使用者的味道的冷却强度分别设定过冷却温度来选择性地控制相应液体饮料的过冷度。 冰箱冷却液饮料至过冷状态包括输入单元，控制器（40）和存储单元（60）。 输入单元选择用于通过用户的顺序控制液体饮料的过冷度的冷却强度。 控制器基于所选择的浆料强度来控制液体饮料的过冷度。 存储器单元存储关于液体饮料的冷却强度的过冷温度信息。
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