웨이퍼세정방법및이를수행하기위한세정장치
    11.
    发明公开
    웨이퍼세정방법및이를수행하기위한세정장치 失效
    清洁和清洁装置以执行相同方法

    公开(公告)号:KR1020000032481A

    公开(公告)日:2000-06-15

    申请号:KR1019980048947

    申请日:1998-11-14

    Abstract: PURPOSE: A method for cleaning is provided to effectively remove a pollution particle being generated by a deposition characteristic of a barrier metal layer in a process for forming a contact for a multi-layer line structure. Also, the most adequate cleaning apparatus to perform the method is provided. CONSTITUTION: A method for cleaning sprays the DIW(deionized water) and an ammonia water(NH3OH) on a wafer(116) to remove a pollution particle(112) existing on the wafer. A cleaning apparatus includes a DIW nozzle, an ammonia nozzle, a spin type brush(118), and a supersonic wave nozzle. The DIW nozzle is to spray the DIW on the wafer. The ammonia nozzle is to spray the ammonia on the wafer. The spin type brush is to remove a pollution particle existing on the surface of the wafer. The supersonic wave nozzle is to apply the supersonic wave to the DIW.

    Abstract translation: 目的:提供一种清洁方法,用于在形成多层线结构的接触处理过程中有效地去除由阻挡金属层的沉积特性产生的污染颗粒。 而且,提供了用于执行该方法的最充分的清洁装置。 构成:用于清洁的方法将DIW(去离子水)和氨水(NH 3 OH)喷射在晶片(116)上以去除存在于晶片上的污染颗粒(112)。 清洁装置包括DIW喷嘴,氨喷嘴,旋转型刷(118)和超声波喷嘴。 DIW喷嘴将DIW喷在晶圆上。 氨喷嘴是将氨喷在晶圆上。 旋转式刷子是去除存在于晶片表面上的污染颗粒。 超声波喷嘴是将超声波应用于DIW。

    반도체 제조 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마 방법
    12.
    发明授权
    반도체 제조 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마 방법 失效
    抛光装置和抛光方法

    公开(公告)号:KR100200727B1

    公开(公告)日:1999-06-15

    申请号:KR1019960039146

    申请日:1996-09-10

    Inventor: 최찬영 정기홍

    Abstract: 본 발명은 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 제조 장치는 연마될 웨이퍼의 앞면과 마찰하여 상기 웨이퍼의 표면을 연마하는 폴리싱 패드와, 상기 웨이퍼의 뒷면이 밀착되는 상태로 상기 웨이퍼를 고정시키는 하판과, 상기 웨이퍼의 뒷면에 압력을 가하기 위하여 저면에 형성된 복수의 홀을 통하여 상기 하판을 거쳐서 상기 웨이퍼에 자력을 공급하는 수단이 설치된 상판을 포함하고, 상기 하판에 자력을 공급하는 수단은 코일이고, 상기 상판에는 각각 전기적으로 분리되어 있는 적어도 2개의 코일이 설치된다. 상기 장치를 이용하여 웨이퍼를 연마할 때에는 상기 웨이퍼상에서 각 부분별로 원하는 식각량에 의거하여 상기 코일중 적어도 1개의 코일을 선택적으로 전기적으로 연결시킨다. 본 발명에 의하면, CMP 공정중에 웨이퍼상에서 연마에 의해 제거되는 막질의 양을 웨이퍼상의 각 부분에 따라 선택적으로 조절하는 것이 가능하다.

    반도체 웨이퍼의 평탄화 방법 및 그 장치
    13.
    发明授权
    반도체 웨이퍼의 평탄화 방법 및 그 장치 失效
    半导体波形的平坦化方法及其设备

    公开(公告)号:KR100196332B1

    公开(公告)日:1999-06-15

    申请号:KR1019950056416

    申请日:1995-12-26

    Abstract: 본 발명은 반도체소자의 제조공정 웨이퍼에 표면에 형성된 금속층의 면을 평탄화시키기 위한 CMP 공정에 관한 것으로 특히 연마되는 기판을 균일도를 높일 수 있도록 한 연마면의 균일도 개선방법 및 이를 이용한 개선장치에 대한 것이다.
    종래의 평탄화 장비는 연마공정시 특정부위에 후면 공기압력이 치중되어 공정진행시 이로 인하여 웨이퍼의 연마속도 및 연마두께에 불균일을 이루는 문제점이 있다.
    본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로 웨이퍼 후면에서 공기압을 가하는 복수개의 통공이 형성된 케리어 어셈블리를 구비하고, 상기 통공중 일부가 그 이외 부위의 통공을 통한 공기압과 차등한 압력이 가해지도록 하는 압력 차등공급수단을 구비하여 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일한 연마 효과를 얻도록 한 것이다.

    CMP 장치
    14.
    发明公开
    CMP 장치 无效
    CMP设备

    公开(公告)号:KR1019980016804A

    公开(公告)日:1998-06-05

    申请号:KR1019960036498

    申请日:1996-08-29

    Inventor: 김경현 정기홍

    Abstract: CMP 장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 콘디셔너(conditioner)에 표면 굴곡 감지 수단을 장착하여, 웨이퍼의 표면을 연마하기 위한 패드의 표면 굴곡 상태를 감지하고, 이를 소정의 컨디션 조건과 비교하여 다시 콘디셔너에 피드 백(feed back)시키는 CMP 장치를 제공한다. 본 발명에 의하면, 패드의 수명을 연장 시킬 뿐만 아니라 양호한 평탄화 및 에치 백 공정을 진행할 수 있다.

    웨이퍼세정방법및이를수행하기위한세정장치
    16.
    发明授权
    웨이퍼세정방법및이를수행하기위한세정장치 失效
    晶片清洁方法和用于执行该方法的清洁装置

    公开(公告)号:KR100333059B1

    公开(公告)日:2002-10-25

    申请号:KR1019980048947

    申请日:1998-11-14

    Abstract: 웨이퍼에 증류수(DIW)와 암모니아수(NH
    4 OH)를 분사하여 웨이퍼 상에 존재하는 오염 입자를 제거하는 것을 특징으로 하는 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치가 개시되어 있다. 다층 배선 구조를 위한 콘택 형성공정시 장벽 금속층의 증착 특성으로 인해 상기 웨이퍼상에 발생하는 오염 입자를 효과적으로 제거함으로써 배선층의 증착 불량을 방지할 수 있다.

    연마 패드 컨디셔닝용 디스크
    17.
    发明公开
    연마 패드 컨디셔닝용 디스크 无效
    DISC用于调节抛光垫

    公开(公告)号:KR1020000042242A

    公开(公告)日:2000-07-15

    申请号:KR1019980058367

    申请日:1998-12-24

    Inventor: 정기홍

    Abstract: PURPOSE: A disc for conditioning a polishing pad is to remove a slurry remained in a groove of the polishing pad during a chemical-mechanical polishing process, thereby increasing a durability of the polishing pad. CONSTITUTION: A disc for conditioning a polishing pad(100) comprises a circular disc body, a diamond particle which is attached on the circular disc body(102) and a brush(106) which is attached on the circular disc body along with the diamond particle. In the disc, the brush is made of a resin and removably mounted on the disc body to be facilely replaced with a new one. The brush and the diamond particle are alternatively attached on the disc body. The disc is rotated in one direction during a polishing process. Slurry remained in a groove of the polishing pad is removed by the brush, which is rotated in the same direction with the polishing pad.

    Abstract translation: 目的:用于调理抛光垫的光盘是在化学机械抛光过程中除去留在抛光垫槽中的浆料,从而提高抛光垫的耐用性。 构造:用于调理抛光垫(100)的盘包括圆盘体,附接在圆盘体(102)上的金刚石颗粒和与钻石一起安装在圆盘体上的刷子(106) 粒子。 在盘中,刷子由树脂制成并且可拆卸地安装在盘体上,以便容易地替换为新的。 刷子和金刚石颗粒交替地附接在盘体上。 在抛光过程中,盘沿一个方向旋转。 残留在抛光垫的凹槽中的浆料通过与抛光垫沿相同方向旋转的刷子去除。

    표면 처리 장치 및 방법, 이를 이용한 패드 컨디셔너 제조 방법, 이를 이용한 CMP 방법 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법
    18.
    发明公开
    표면 처리 장치 및 방법, 이를 이용한 패드 컨디셔너 제조 방법, 이를 이용한 CMP 방법 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법 审中-实审
    表面处理的装置和方法,使用该方法制造平板调节器的方法,使用该方法的CMP方法以及使用该方法制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR1020140048037A

    公开(公告)日:2014-04-23

    申请号:KR1020130112340

    申请日:2013-09-23

    CPC classification number: B24B53/017 B24B37/20 H01L21/30625

    Abstract: A surface treatment apparatus includes an injection part which injects an object to be surface-treated, a transfer part which is connected to the injection part to pass the object and is extended to be bent at points, a pressure providing part which is connected to the transfer part and provides pressure for moving the object, a collision part which treats the surface of the object by several collisions against the object being passed through the transfer part, and a discharge part which is connected to the transfer part and discharges the surface-treated object.

    Abstract translation: 表面处理装置包括:喷射要被表面处理的物体的喷射部分,连接到喷射部分以使物体通过并被延伸以弯曲的传送部分,压力提供部分连接到 传递部件并提供用于移动物体的压力,通过与物体的多个碰撞来对待物体的表面的碰撞部件通过转印部分,以及排出部分,其连接到转印部分并将表面处理 目的。

    반도체 제조 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마 방법
    19.
    发明公开
    반도체 제조 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마 방법 失效
    半导体制造装置及使用其的晶片抛光方法

    公开(公告)号:KR1019980020627A

    公开(公告)日:1998-06-25

    申请号:KR1019960039146

    申请日:1996-09-10

    Inventor: 최찬영 정기홍

    Abstract: 본 발명은 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 제조 장치는 연마될 웨이퍼의 앞면과 마찰하여 상기 웨이퍼의 표면을 연마하는 폴리싱 패드와, 상기 웨이퍼의 뒷면이 밀착되는 상태로 상기 웨이퍼를 고정시키는 하판과, 상기 웨이퍼의 뒷면에 압력을 가하기 위하여 저면에 형성된 복수의 홀을 통하여 상기 하판을 거쳐서 상기 웨이퍼에 자력을 공급하는 수단이 설치된 상판을 포함하고, 상기 하판에 자력을 공급하는 수단은 코일이고, 상기 상판에는 각각 전기적으로 분리되어 있는 적어도 2개의 코일이 설치된다. 상기 장치를 이용하여 웨이퍼를 연마할 때에는 상기 웨이퍼상에서 각 부분별로 원하는 식각량에 의거하여 상기 코일중 적어도 1개의 코일을 선택적으로 전기적으로 연결시킨다. 본 발명에 의하면, CMP 공정중에 웨이퍼상에서 연마에 의해 제거되는 막질의 양을 웨이퍼상의 각 부분에 따라 선택적으로 조절하는 것이 가능하다.

    반도체 소자 제조용 평탄화 장치

    公开(公告)号:KR2019970046731U

    公开(公告)日:1997-07-31

    申请号:KR2019950048868

    申请日:1995-12-27

    Abstract: 본고안은반도체소자의제조공정에사용되는평탄화장치에관한것으로특히장비의구조및 동작방법을개선하므로서장비의크기를축소할수 있도록한 반도체소자제조용평탄화장치에대한것이다. 종래의평탄화장치는연마기에있어각각의연마패드를회전시키는구조를가지고있어장비의구조가복잡하고부피가커져점검및 관리가어렵고연마공정시균일도가떨어지는문제점이지적되어왔다. 본고안은상술한문제점을극복하기위한것으로연마패드가고정된상태에서케리어어셈블리와연마패드만을구동시켜연마공정을하므로서장비의구조를단순화시켜크기를축소하고이에따르는점검및 관리가간편하여제품의균일도및 생산성을향상시킬수 있도록한 것이다.

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