Abstract:
PURPOSE: A method for cleaning is provided to effectively remove a pollution particle being generated by a deposition characteristic of a barrier metal layer in a process for forming a contact for a multi-layer line structure. Also, the most adequate cleaning apparatus to perform the method is provided. CONSTITUTION: A method for cleaning sprays the DIW(deionized water) and an ammonia water(NH3OH) on a wafer(116) to remove a pollution particle(112) existing on the wafer. A cleaning apparatus includes a DIW nozzle, an ammonia nozzle, a spin type brush(118), and a supersonic wave nozzle. The DIW nozzle is to spray the DIW on the wafer. The ammonia nozzle is to spray the ammonia on the wafer. The spin type brush is to remove a pollution particle existing on the surface of the wafer. The supersonic wave nozzle is to apply the supersonic wave to the DIW.
Abstract:
본 발명은 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 제조 장치는 연마될 웨이퍼의 앞면과 마찰하여 상기 웨이퍼의 표면을 연마하는 폴리싱 패드와, 상기 웨이퍼의 뒷면이 밀착되는 상태로 상기 웨이퍼를 고정시키는 하판과, 상기 웨이퍼의 뒷면에 압력을 가하기 위하여 저면에 형성된 복수의 홀을 통하여 상기 하판을 거쳐서 상기 웨이퍼에 자력을 공급하는 수단이 설치된 상판을 포함하고, 상기 하판에 자력을 공급하는 수단은 코일이고, 상기 상판에는 각각 전기적으로 분리되어 있는 적어도 2개의 코일이 설치된다. 상기 장치를 이용하여 웨이퍼를 연마할 때에는 상기 웨이퍼상에서 각 부분별로 원하는 식각량에 의거하여 상기 코일중 적어도 1개의 코일을 선택적으로 전기적으로 연결시킨다. 본 발명에 의하면, CMP 공정중에 웨이퍼상에서 연마에 의해 제거되는 막질의 양을 웨이퍼상의 각 부분에 따라 선택적으로 조절하는 것이 가능하다.
Abstract:
본 발명은 반도체소자의 제조공정 웨이퍼에 표면에 형성된 금속층의 면을 평탄화시키기 위한 CMP 공정에 관한 것으로 특히 연마되는 기판을 균일도를 높일 수 있도록 한 연마면의 균일도 개선방법 및 이를 이용한 개선장치에 대한 것이다. 종래의 평탄화 장비는 연마공정시 특정부위에 후면 공기압력이 치중되어 공정진행시 이로 인하여 웨이퍼의 연마속도 및 연마두께에 불균일을 이루는 문제점이 있다. 본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로 웨이퍼 후면에서 공기압을 가하는 복수개의 통공이 형성된 케리어 어셈블리를 구비하고, 상기 통공중 일부가 그 이외 부위의 통공을 통한 공기압과 차등한 압력이 가해지도록 하는 압력 차등공급수단을 구비하여 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일한 연마 효과를 얻도록 한 것이다.
Abstract:
CMP 장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 콘디셔너(conditioner)에 표면 굴곡 감지 수단을 장착하여, 웨이퍼의 표면을 연마하기 위한 패드의 표면 굴곡 상태를 감지하고, 이를 소정의 컨디션 조건과 비교하여 다시 콘디셔너에 피드 백(feed back)시키는 CMP 장치를 제공한다. 본 발명에 의하면, 패드의 수명을 연장 시킬 뿐만 아니라 양호한 평탄화 및 에치 백 공정을 진행할 수 있다.
Abstract:
웨이퍼에 증류수(DIW)와 암모니아수(NH 4 OH)를 분사하여 웨이퍼 상에 존재하는 오염 입자를 제거하는 것을 특징으로 하는 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치가 개시되어 있다. 다층 배선 구조를 위한 콘택 형성공정시 장벽 금속층의 증착 특성으로 인해 상기 웨이퍼상에 발생하는 오염 입자를 효과적으로 제거함으로써 배선층의 증착 불량을 방지할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A disc for conditioning a polishing pad is to remove a slurry remained in a groove of the polishing pad during a chemical-mechanical polishing process, thereby increasing a durability of the polishing pad. CONSTITUTION: A disc for conditioning a polishing pad(100) comprises a circular disc body, a diamond particle which is attached on the circular disc body(102) and a brush(106) which is attached on the circular disc body along with the diamond particle. In the disc, the brush is made of a resin and removably mounted on the disc body to be facilely replaced with a new one. The brush and the diamond particle are alternatively attached on the disc body. The disc is rotated in one direction during a polishing process. Slurry remained in a groove of the polishing pad is removed by the brush, which is rotated in the same direction with the polishing pad.
Abstract:
A surface treatment apparatus includes an injection part which injects an object to be surface-treated, a transfer part which is connected to the injection part to pass the object and is extended to be bent at points, a pressure providing part which is connected to the transfer part and provides pressure for moving the object, a collision part which treats the surface of the object by several collisions against the object being passed through the transfer part, and a discharge part which is connected to the transfer part and discharges the surface-treated object.
Abstract:
본 발명은 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 연마 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 제조 장치는 연마될 웨이퍼의 앞면과 마찰하여 상기 웨이퍼의 표면을 연마하는 폴리싱 패드와, 상기 웨이퍼의 뒷면이 밀착되는 상태로 상기 웨이퍼를 고정시키는 하판과, 상기 웨이퍼의 뒷면에 압력을 가하기 위하여 저면에 형성된 복수의 홀을 통하여 상기 하판을 거쳐서 상기 웨이퍼에 자력을 공급하는 수단이 설치된 상판을 포함하고, 상기 하판에 자력을 공급하는 수단은 코일이고, 상기 상판에는 각각 전기적으로 분리되어 있는 적어도 2개의 코일이 설치된다. 상기 장치를 이용하여 웨이퍼를 연마할 때에는 상기 웨이퍼상에서 각 부분별로 원하는 식각량에 의거하여 상기 코일중 적어도 1개의 코일을 선택적으로 전기적으로 연결시킨다. 본 발명에 의하면, CMP 공정중에 웨이퍼상에서 연마에 의해 제거되는 막질의 양을 웨이퍼상의 각 부분에 따라 선택적으로 조절하는 것이 가능하다.