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公开(公告)号：KR1020040040911A
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：KR1020020069262
申请日：2002-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02129 , H01L21/02131 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/31625 , H01L21/7682 , H01L2221/1047 , Y10S438/96
Abstract: PURPOSE: A method for forming a porous material layer of a semiconductor device is provided to be capable of originally preventing the generation of carbon residues and generating porosities in an impurity containing inorganic material layer. CONSTITUTION: A predetermined material layer is formed on a substrate(31). At this time, the predetermined material layer contains predetermined impurities to react with H2O molecules. A plurality of porosities are generated in the predetermined material layer by heating the resultant structure using vapor under a high pressure(37). Preferably, an insulating layer is used as the predetermined material layer. Preferably, the insulating layer is made of one selected from a group consisting of the first BPSG layer, the first BSG layer, the second BPSG containing PSG and fluorine atoms, or the second BSG layer containing fluorine atoms. Preferably, the predetermined impurities are boron atoms or phosphor atoms.
Abstract translation: 目的：提供一种形成半导体器件的多孔材料层的方法，其能够最初能够防止在含杂质的无机材料层中产生碳残留物并产生孔隙率。 构成：在基板（31）上形成预定的材料层。 此时，预定的材料层含有与H 2 O分子反应的预定杂质。 通过在高压下使用蒸气（37）加热所得到的结构，在预定材料层中产生多个孔隙率。 优选地，使用绝缘层作为预定的材料层。 优选地，绝缘层由选自由第一BPSG层，第一BSG层，含有PSG和氟原子的第二BPSG或含有氟原子的第二BSG层组成的组构成。 优选地，预定的杂质是硼原子或磷原子。
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公开(公告)号：KR1020030093721A
公开(公告)日：2003-12-11
申请号：KR1020020031547
申请日：2002-06-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76825 , H01L21/76808 , H01L21/76814
Abstract: PURPOSE: A method for forming a pattern of an intermetal dielectric layer is provided to be capable of preventing the generation of photoresist residuals after carrying out a developing process by changing the chemical structure of the surface of a via hole using UV(UltraViolet) ray. CONSTITUTION: After sequentially forming a lower etching stop layer(2), a lower insulating layer(3), an upper etching stop layer(4), and an upper insulating layer(5) at the upper portion of a lower line(1) formed semiconductor substrate, a via hole is formed by selectively patterning the upper insulating layer, the upper etching stop layer, and the lower insulating layer for exposing the lower etching stop layer. Then, UV ray is irradiated to the via hole. After forming a photoresist layer(8) on the entire surface of the resultant structure, a photoresist pattern is formed by selectively patterning the photoresist layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成金属间电介质层的图案的方法，其能够通过使用UV（UltraViolet）光线改变通孔的表面的化学结构来防止在进行显影处理之后产生光致抗蚀剂残留物。 构成：在下线（1）的上部依次形成下蚀刻停止层（2），下绝缘层（3），上蚀刻停止层（4）和上绝缘层（5） 形成的半导体衬底，通过选择性地图案化上绝缘层，上蚀刻停止层和下绝缘层形成通孔，用于暴露下蚀刻停止层。 然后，将紫外线照射到通孔。 在所得结构的整个表面上形成光致抗蚀剂层（8）之后，通过选择性地图案化光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：KR100295043B1
公开(公告)日：2001-10-19
申请号：KR1019980020027
申请日：1998-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3205
Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal film of a semiconductor device is provided to prevent cross talk when a signal is transferred among electrically isolated metal lines by forming a low dielectric insulation layer. CONSTITUTION: A first metal pattern(42) and a first insulation layer(44) are sequentially formed on a substrate(40). A second insulation layer(46) having a low dielectric constant is formed. Ultraviolet ray is irradiated on the entire surface of the resultant structure. A via hole(52) is formed by patterning the resultant structure to expose the first metal pattern(42). A second metal pattern(56) is formed to be connect to the first metal pattern(42) through the via hole(52). The second insulation layer(46) is able to be formed by using SiOC layer. The ultraviolet ray make the layer(46) strong about oxygen plasma.
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公开(公告)号：KR100292409B1
公开(公告)日：2001-06-01
申请号：KR1019990018663
申请日：1999-05-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L23/53295 , C04B35/5603 , C04B35/565 , H01L21/02137 , H01L21/0214 , H01L21/02282 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/02362 , H01L21/3122 , H01L21/76801 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/5222 , H01L23/5226 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , Y10T428/24843 , Y10T428/24926 , Y10T428/263 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: Si-CH결합을함유하는절연층의접착특성을향상시킨다층구조의절연막및 그형성방법에관하여개시한다. 본발명에따른다층구조의절연막은도전패턴위에형성되고, 그내부에 Si-CH결합을함유하는저유전막으로이루어지는제1 절연층을포함한다. 상기제1 절연층의접착특성을향상시키기위하여, 상기제1 절연층을플라즈마처리하여상기제1 절연층표면에접착면을형성하거나, 상기제1 절연층표면에버퍼층을형성함으로써, 절연층들사이에다이폴-다이폴상호작용 (dipole-dipole interaction)이이루어질수 있도록한다.
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公开(公告)号：KR1020000014279A
公开(公告)日：2000-03-06
申请号：KR1019980033625
申请日：1998-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C30B25/00
CPC classification number: C01G35/006 , C23C16/18
Abstract: PURPOSE: Alkylimino-tris-alkylamidotantalum as an organometallic precursor is prepared which can prepare tantalum film. CONSTITUTION: Title compounds(formula I; R1 is C3- C7 alkyl group; R2 is hydrogen or methyl group; R3 is ethyl, methyl, isopropyl or t-butyl group) are prepared from compound II£Lin(R2)(R3); R2 is hydrogen or methyl group; R3 is ethyl, methyl, isopropyl or t-butyl group| and compound III£(LiNH(R1); R1 is C3- C7 alkyl group|. Thus, 1.2 mole of compound II and 0.3 mole of compound III are suspended in 500 ml of dry n-hexane, followed by cooling to -78°C. 1.2 Mole of TaCl5 is slowly added and heated for 5 hours to give the title compound.
Abstract translation: 目的：制备可制备钽膜的有机金属前体的烷基亚氨基 - 三 - 烷基氨基钽。 构成：由化合物II（R 2）（R 3）制备标题化合物（式I; R 1为C 3 -C 7烷基; R 2为氢或甲基; R 3为乙基，甲基，异丙基或叔丁基）。 R2是氢或甲基; R3是乙基，甲基，异丙基或叔丁基 和化合物III（LiNH（R1）; R1是C3-C7烷基|），因此将1.2摩尔化合物II和0.3摩尔化合物III悬浮在500毫升干燥的正己烷中，然后冷却至-78℃ 1.2.2缓慢加入TaCl 5的摩尔并加热5小时，得到标题化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101364293B1
公开(公告)日：2014-02-18
申请号：KR1020070048233
申请日：2007-05-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 저온 공정이 가능한 유전박막 조성물, 상기 조성물을 이용하여 형성된 금속산화물 유전박막 및 그의 제조방법, 상기 유전박막을 포함하는 트랜지스터 소자 및 상기 트랜지스터 소자를 포함하는 전자소자에 관한 것으로, 본 발명에 의한 유전박막을 적용한 전자소자는 낮은 구동전압 및 높은 전하이동도 등을 동시에 만족하는 우수한 전기적 특성을 나타낼 수 있다.
유전박막, 절연층, 고유전율, 금속산화물, 비가수분해 졸-겔, 용액 공정-
公开(公告)号：KR101252005B1
公开(公告)日：2013-04-08
申请号：KR1020060056365
申请日：2006-06-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 나노결정 입자를 포함한 박막에서 나노결정을 결정성장의 핵으로 이용하여 박막의 결정경계(grain boundary)를 줄임으로써 박막의 결정성을 향상시키기 위하여, 나노결정 입자와 같은 구조의 결정구조를 형성할 수 있는 분자 전구체를 함유하는 박막 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하여 제조된 박막은 박막 트랜지스터, 전기발광 소자, 메모리 소자 및 태양전지 등 다양한 분야에 효과적으로 적용될 수 있다.
나노결정 입자, 반도체, 금속산화물, 분자전구체, 박막, 용액공정, 박막 트랜지스터-
18.发明授权단일종의 입체이성질체 만으로 된 실록산 단량체 또는이의 실록산 중합체를 포함하는 저유전 박막 형성용조성물 및 이들을 이용한 저유전 박막의 제조방법 失效用于形成包含构成单种立体异构体的硅氧烷单体或硅氧烷聚合物的低介电膜的组合物和使用上述组合物的低介电膜的制造方法
公开(公告)号：KR101139157B1
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：KR1020050011399
申请日：2005-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01B3/46
CPC classification number: H01L23/5329 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L2924/0002 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 임의의 하나의 종류의 입체이성질체 만으로 된 실란 단량체 또는 이를 중합하여 수득된 실록산 중합체를 포함하는 저유전 박막 형성용 조성물 및 이를 이용한 저유전 박막의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 조성물에 의하면 매트릭스의 규칙성이 향상되어 기계적 물성이 우수하고, 분자성 자유공간(molecular free volume)에 의한 기공 형성이 증진되어 유전율이 낮은 저유전 박막을 수득할 수 있다.
실록산 단량체, 실록산 폴리머, 입체이성질체, 시스, 트랜스, 기공형성, 유전율, 모듈러스, 경도-
公开(公告)号：KR1020080078402A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：KR1020070018484
申请日：2007-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C08F283/12 , C08G61/02 , C08J5/18 , C08J2351/10 , C08J2357/00 , H01L51/0094 , H01L51/0512 , Y02E10/549
Abstract: An organosilicon nanocluster is provided to form an amorphous silicone thin film conveniently and efficiently with maintaining the electrical characteristics thereof. An organosilicon nanocluster is characterized in that a silicone cluster is substituted with a conductive organic material. A method for preparing the organosilicone nanocluster comprises the steps of: (a) substituting a conductive organic material represented by a formula(5) or (6) with an alkali metal or an alkali earth metal; and (b) reacting the alkali metal or the alkali earth metal substituted conductive organic material with a silicone cluster to substitute the silicone cluster with the conductive organic material. In the formulae(5) and (6), Ar is C2-30 heteroaryl or heteroarylene, or C6-30 aryl or arylene, and each a, b and C is 0 to 20, provided that a sum of a, b and c is more than 0. A method for preparing a silicone thin film comprises the steps of: (a) after dissolving the organosilicone nanocluster with an organic solvent, coating a prepared solution on a substrate to form a thin film; and (b) applying UV or heat to the thin film to form conducting wires between the organosilicone nanoclusters. A display device comprises the silicone thin film.
Abstract translation: 提供有机硅纳米团簇，以便在保持其电特性的情况下方便且有效地形成无定形硅氧烷薄膜。 有机硅纳米团簇的特征在于硅氧烷簇被导电有机材料取代。 制备有机硅纳米团簇的方法包括以下步骤：（a）用碱金属或碱土金属代替由式（5）或（6）表示的导电有机材料; 和（b）使碱金属或碱土金属取代的导电有机材料与硅氧烷簇反应以用导电有机材料代替硅氧烷簇。 在式（5）和（6）中，Ar为C 2-30杂芳基或杂亚芳基，或C 6-30芳基或亚芳基，并且各a，b和C为0至20，条件是a，b和c之和 制备硅氧烷薄膜的方法包括以下步骤：（a）在有机溶剂中溶解有机硅纳米团簇后，将制备的溶液涂布在基材上以形成薄膜; 和（b）对薄膜施加UV或热量以在有机硅氧烷纳米团簇之间形成导线。 显示装置包括硅氧烷薄膜。
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公开(公告)号：KR1020060089512A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：KR1020050010781
申请日：2005-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L51/0077
Abstract: 본 발명은 기판, 제어 전극, 게이트 절연막, 소스 전극 및 드레인 전극, 채널 영역을 포함하는 메조리에 있어서, 상기 채널 영역 위에 포르피린 단분자층 또는 포르피린 화합물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 메조포러스리 소자에 관한 것으로, 본 발명에 의한 메모리 소자는 다중-레벨 구현이 가능하며 집적도가 우수한 이점을 갖는다.
비휘발성 메모리, 폴리실리콘 박막 트랜지스터, 플래시 메모리, 다중-레벨, 채널 영역, 포르피린 단분자, 포르피린 화합물층
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