公开(公告)号：KR102252993B1

公开(公告)日：2021-05-20

申请号：KR1020140151379

申请日：2014-11-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 금현성 ,  천대명 ,  연지혜 ,  성한규 ,  이진섭 ,  최영진 ,  허재혁

IPC: H01L33/20

Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층, 베이스층상에서로이격되어배치되며, 각각제1 도전형반도체코어, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는복수의나노발광구조물들을포함하고, 제1 도전형반도체코어는, 베이스층으로부터상부로연장되는로드층및 로드층상에배치되는캡핑층을포함하고, 복수의나노발광구조물들중 적어도일부에서로드층들및 캡핑층들의높이는서로다르다.

公开(公告)号：KR102122362B1

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：KR1020140018699

申请日：2014-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 천대명 ,  김정섭 ,  이진섭 ,  강삼묵 ,  서연우 ,  성한규 ,  최영진 ,  허재혁

IPC: H01L33/00

公开(公告)号：KR1020160008028A

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：KR1020140087466

申请日：2014-07-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허재혁 ,  김정섭 ,  최영진 ,  이진섭 ,  강삼묵 ,  서연우 ,  성한규 ,  천대명

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H05B33/0803 ,  H01L2924/00014

Abstract: 본발명의일 측면은, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층과, 상기베이스층상에형성되며, 상기베이스층의일부영역이노출된복수의개구를갖는절연막과, 상기베이스층의노출된영역각각에형성되며, 제1 도전형반도체로이루어진나노코어와상기나노코어의측면에순차적으로형성된활성층과제2 도전형반도체층을갖는복수의나노발광구조물을포함하며, 상기복수의나노발광구조물은동일한성장공정에의해형성되며, 각각 2개이상의나노발광구조물을갖는 n개의그룹(n은 2 이상인정수)으로구분되고, 상기각 그룹의활성층은각각서로다른광을방출하도록상기각 그룹의나노코어의직경, 높이및 피치중 적어도하나가상이한나노구조반도체발광소자를제공할수 있다.

Abstract translation: 本发明提供一种纳米结构半导体发光器件。 根据本发明的一个方面，纳米结构半导体发光器件包括：基底层，包括第一导电半导体; 绝缘层，其形成在所述基底层上并且具有多个开口，所述基底层的部分区域暴露在所述开口中; 以及具有分别形成在基底层的每个暴露区域上并且包括第一导电半导体的纳米孔的多个纳米发光结构以及依次形成在纳米孔一侧的有源层和第二导电半导体。 纳米发光结构在相同的生长工艺中形成，并分成具有两个或更多个纳米发光结构的n个基团（n为2以上的整数）。 每组中纳米孔的直径，高度和间距中的至少一个是不同的，使得每组的活性层分别发射不同的光。

公开(公告)号：KR101544772B1

公开(公告)日：2015-08-17

申请号：KR1020130164521

申请日：2013-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서연우 ,  김정섭 ,  최영진 ,  사니코프데니스 ,  성한규 ,  천대명 ,  허재혁

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/14 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/24

Abstract: 본발명의일 실시형태는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층과, 상기베이스층상에형성되며, 상기베이스층의일부영역이노출된복수의개구를갖는절연막과, 상기베이스층의노출된영역각각에형성되며, 제1 도전형반도체로이루어지고, 그측면의결정면과다른결정면을갖는상단부를갖는나노코어와, 상기나노코어의표면에순차적으로형성된활성층과제2 도전형반도체층과, 상기활성층과상기나노코어사이에위치하도록상기나노코어의상단부에형성된전류차단중간층을포함하는나노구조반도체발광소자를제공한다.

公开(公告)号：KR102244218B1

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：KR1020140132545

申请日：2014-10-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허재혁 ,  이진섭 ,  최영진 ,  금현성 ,  연지혜 ,  천대명 ,  김정섭 ,  성한규

IPC: H01L33/20

Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 도전형질화물반도체로이루어진베이스층을마련하는단계와, 상기베이스층상에서로이격되도록제1 도전형질화물반도체로이루어진나노코어를형성하는단계와, 상기나노코어의표면상에활성층과제1 도전형질화물반도체층을갖는쉘을형성하는단계를포함하며, 상기쉘층을형성하는단계중 적어도일부구간에서, 막두께균일도가 80% 이상이되도록소스유량, 소스유속, 챔버압력, 성장온도및 성장속도중 적어도하나의공정인자를제어하는단계를포함하며, 여기서, 상기막 두께균일도(%)는상기나노코어의측면상에성장된막의최소두께와최대두께가각각 ta(㎚)와 tb(㎚)로나타낼때에, (ta/tb)×100으로정의되는나노구조반도체발광소자제조방법을제공할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150017100A

公开(公告)日：2015-02-16

申请号：KR1020130092956

申请日：2013-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황경욱 ,  허재혁 ,  손중곤

IPC: H01L33/10

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/24 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명의 실시 형태에 따른 반도체 발광소자는, 기판; 기판 상에 교대로 배치되며 서로 다른 공극률을 가지는 적어도 2종의 다공층들을 포함하는 반사층; 및 반사층 상에 위치하며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물을 포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例的半导体发光器件包括基板，反射层，其包括交替布置在基板上并具有不同孔隙率的至少两种多孔层，以及发光结构，位于 该反射层包括第一导电半导体，有源层和第二导电半导体层。

公开(公告)号：KR1020120042529A

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020100104246

申请日：2010-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 윤승현 ,  맹승렬 ,  허재혁 ,  서상원 ,  김재홍 ,  박종세

IPC: G06F17/00 ,  G06F17/30 ,  G06F17/40

CPC classification number: G06F17/30864

Abstract: PURPOSE: A webpage crawling method and an apparatus thereof are provided to reduce crawling working time by increasing probability to search for content of a web page having specific information through dynamic control of crawling depth. CONSTITUTION: A web address obtaining unit(210) obtains a web address list which is linked on a route web address list. A webpage evaluating unit(220) obtains content about a web address page by visiting web addresses based on the web address list. A crawling depth controlling unit(230) controls crawling depth according to an evaluation result.

Abstract translation: 目的：提供网页抓取方法及其装置，以通过增加通过动态控制爬行深度来搜索具有特定信息的网页的内容的概率来减少爬行工作时间。 构成：网址获取单元（210）获得在路由网址列表上链接的网址列表。 网页评估单元（220）通过基于网址列表访问网址来获得关于网址页面的内容。 爬行深度控制部（230）根据评价结果控制爬行深度。

公开(公告)号：KR102070092B1

公开(公告)日：2020-01-29

申请号：KR1020140002948

申请日：2014-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진섭 ,  김정섭 ,  강삼묵 ,  서연우 ,  성한규 ,  천대명 ,  최영진 ,  허재혁

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20

公开(公告)号：KR101901320B1

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：KR1020120054444

申请日：2012-05-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황경욱 ,  손철수 ,  유건욱 ,  이동훈 ,  차남구 ,  허재혁

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/10 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

Abstract: 본발명의일 실시예에따르면, 하부층과, 상기하부층상에구비된복수의수직형발광구조체와, 상기복수의수직형발광구조체의적어도일부를둘러싸는전도성부재와, 상기복수의수직형발광구조체사이에배치되며상기수직형발광구조체의측방향으로방출되는빛을반사시키는복수의반사부재를포함함으로써, 수직형발광소자에서측방향으로방출되는빛이광흡수부재를통과하는횟수를최소화하여발광효율을향상시킬수 있는발광소자를제공한다.

公开(公告)号：KR1020160039753A

公开(公告)日：2016-04-12

申请号：KR1020140132545

申请日：2014-10-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허재혁 ,  이진섭 ,  최영진 ,  금현성 ,  연지혜 ,  천대명 ,  김정섭 ,  성한규

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/005 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/145 ,  H01L33/24

Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 도전형질화물반도체로이루어진베이스층을마련하는단계와, 상기베이스층상에서로이격되도록제1 도전형질화물반도체로이루어진나노코어를형성하는단계와, 상기나노코어의표면상에활성층과제1 도전형질화물반도체층을갖는쉘을형성하는단계를포함하며, 상기쉘층을형성하는단계중 적어도일부구간에서, 막두께균일도가 80% 이상이되도록소스유량, 소스유속, 챔버압력, 성장온도및 성장속도중 적어도하나의공정인자를제어하는단계를포함하며, 여기서, 상기막 두께균일도(%)는상기나노코어의측면상에성장된막의최소두께와최대두께가각각 t(㎚)와 t(㎚)로나타낼때에, (t/t)×100으로정의되는나노구조반도체발광소자제조방법을제공할수 있다.

Abstract translation: 提供一种制造纳米结构半导体发光器件的方法。 根据本发明实施例的制造纳米结构半导体发光器件的方法包括以下步骤：提供由第一导电氮化物半导体材料制成的基极层; 在所述基底层上形成由所述第一导电氮化物半导体材料制成的纳米孔以彼此间隔开; 以及在每个所述纳米孔的表面上形成包括活性层和​​所述第一导电氮化物半导体层的外壳，其中壳层的至少一部分通过控制源气体的通量的至少一个工艺参数形成， 源气体的流量，室压力，生长温度和生长速率，以使膜厚均匀度为80％以上。 当在每个纳米孔的侧面上生长的膜的最小厚度和最大厚度分别表示为ta（nm）和tb（nm）时，膜厚均匀性（％）被定义为（ta / tb） x 100。