公开(公告)号：KR1020090119178A

公开(公告)日：2009-11-19

申请号：KR1020080045060

申请日：2008-05-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이태희 ,  김원주 ,  구준모 ,  윤태응

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/30 ,  G11C16/24

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427

Abstract: PURPOSE: An operation method of a non-volatile memory device for improving reliability without using channel boosting is provided to improve operation reliability of non-volatile memory device by preventing a single channel effect. CONSTITUTION: An operation method of a non-volatile memory device for improving reliability without using channel boosting is as follows. The non-selection bit lines for the selection bit line are set among bit line. Program voltage is applied on word line selected among word lines. The program voltage is authorized to the word line selected among word lines. The memory transistor combined with the selected word line within the selection bit line is programmed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于在不使用信道增强的情况下提高可靠性的非易失性存储器件的操作方法，以通过防止单通道效应来提高非易失性存储器件的操作可靠性。 构成：用于在不使用信道增强的情况下提高可靠性的非易失性存储装置的操作方法如下。 选择位线的非选择位线在位线之间设置。 在字线选择的字线上施加编程电压。 程序电压被授权给在字线之间选择的字线。 与选择位线内的选定字线结合的存储晶体管被编程。

公开(公告)号：KR1020080076074A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020070015525

申请日：2007-02-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김원주 ,  구준모 ,  김석필 ,  박윤동

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7926 ,  H01L21/823475

Abstract: A non-volatile memory device and a manufacturing method thereof are provided to decrease a junction leakage current and an off-current by elongating a channel region along a protrusion portion. A non-volatile memory device includes a semiconductor substrate(105), a pair of control gate electrodes(155a), and a pair of charge storage layers(135a). The semiconductor substrate includes an active region, which is defined by a device isolation film. The active region includes a protrusion portion. The control gate electrodes cover both sides of the protrusion portion and are arranged to be apart from each other. The charge storage layers are applied on the both sides of the protrusion portion and between the control gate electrodes. The control gate electrodes are apart from each other on an upper surface of the protrusion portion.

Abstract translation: 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，通过沿着突出部延伸沟道区域来减小结漏电流和截止电流。 非易失性存储器件包括半导体衬底（105），一对控制栅电极（155a）和一对电荷存储层（135a）。 半导体衬底包括由器件隔离膜限定的有源区。 有源区域包括突出部分。 控制栅极电极覆盖突出部分的两侧并且被布置成彼此分开。 电荷存储层被施加在突出部分的两侧和控制栅电极之间。 控制栅电极在突出部的上表面上彼此分开。

公开(公告)号：KR100810387B1

公开(公告)日：2008-03-07

申请号：KR1020050002332

申请日：2005-01-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구준모

IPC: H04N5/232

Abstract: 본 발명은 카메라 렌즈 모듈에서 이미지 센서의 비수평상태의 영상 신호를 감지하여 선택적으로 수평상태로 보정할 수 있도록 구성한 카메라 렌즈 모듈의 수평 보정 장치에 관한 것으로, 이를 위해 카메라 렌즈와 조리개를 거처 피사체의 상을 이미지 센서인 촬상 소자가 받아 들이고, 이를 신호화 하여 영상 신호 처리 장치로 인가하여 저장하는 카메라 렌즈 모듈을 구비된 전자기기에 있어서, 상기 영상 신호 처리 장치의 신호를 센서부에 인가하고, 상기 센서부에 의해 상기 영상 신호의 비수평상태를 감지함과 아울러 이를 신호화하여 마이컴에 인가하고, 상기 마이컴에서는 비수평율이 기설정된 기준값보다 클 경우 영상 신호를 수평 보정하는 수평 보정 장치부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하며, 이에 따라. 카메라 렌즈 모듈의 사용을 향상시킬 수 있고, 카메라 렌즈 모듈에서 선택적으로 비수평 상태를 보정할 수 있도록 구성함으로써, 사용자의 의도적으로 비수평 영상 상태로 입력가능하거나 비수평 영상 상태에서 보정하여 수평 상태로 입력할 수 있고, 이로인해 사용자의 사용 편의성을 증대시킬 수 있는 이점이 있다.
카메라 렌즈 모듈, 이미지 센서, 수평 보정 장치부, 가속도 센서부.

公开(公告)号：KR100803223B1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：KR1020070094900

申请日：2007-09-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김석필 ,  박윤동 ,  이종진 ,  김원주 ,  구준모 ,  송승환

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28141 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/788

Abstract: A semiconductor device having a pair of pins and a fabricating method thereof are provided to improve a short channel effect and to reduce an off current and junction leakage current, by preventing variation of a threshold voltage. A semiconductor substrate(110) has a pair of fins(105a,105b), and inner spacer insulating layers(155) which are spaced apart from each other are formed on upper portions of the fins to reduce a gate width between the fins. A gate electrode(170) covers a portion of outer sides of fins opposite to the inner spacer insulating layers, extends across the inner spacer insulating layers, and defines a void(160) between the fins. The semiconductor has a body(102), and the fins protrude from the body.

Abstract translation: 提供具有一对引脚及其制造方法的半导体器件，以通过防止阈值电压的变化来改善短沟道效应并减少截止电流和结漏电流。 半导体衬底（110）具有一对翅片（105a，105b），并且彼此间隔开的内部间隔绝缘层（155）形成在翅片的上部，以减小鳍片之间的栅极宽度。 栅电极（170）覆盖与内间隔物绝缘层相对的翅片的外侧的一部分，延伸穿过内间隔绝缘层，并且在翅片之间限定空隙（160）。 半导体具有主体（102），并且翅片从主体突出。

公开(公告)号：KR100754386B1

公开(公告)日：2007-08-31

申请号：KR1020040086540

申请日：2004-10-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구준모 ,  박영수 ,  신상민 ,  김석필

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/44

Abstract: 양방향 화학기상증착 시스템 및 이를 이용한 펄스형 공정 진행 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 양방향 화학기상증착 시스템은, 제 1 및 제 2 프로세스 챔버들, 하나 이상의 반응 소스들, 및 상기 반응 소스들에 대응되는 반응 소스 공급기들을 포함한다. 반응 소스 공급기들은 상기 반응 소스 각각과 연결되는 제 1 배관부, 일단은 상기 제 1 배관부와 연결되고 다른 단은 상기 제 1 프로세스 챔버와 연결되는 제 2 배관부, 및 일단은 상기 제 1 배관부와 연결되고 다른 단은 상기 제 2 프로세스 챔버와 연결되는 제 3 배관부를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020070069581A

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020050131879

申请日：2005-12-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박성호 ,  이명재 ,  구준모 ,  서범석

IPC: C01B31/02 ,  H01J1/30 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C16/26 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  D01F9/127 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00 ,  Y10T428/2918 ,  C01B32/05 ,  B01J6/00 ,  H01J1/30

Abstract: A method of growing carbon fiber at a low temperature, which can grow the carbon fiber at a low temperature of 450 deg.C or less by metal organic chemical vapor deposition, is provided. A preparation method of carbon fiber(20) comprises the steps of: mounting a substrate(10) in a reaction chamber(5), and heating the substrate to a temperature range from 200 to 450 deg.C to maintain the temperature range; preparing an organometallic compound including nickel(Ni) element; vaporizing the organometallic compound to prepare an organometallic compound vapor; and supplying the organometallic compound vapor and a reaction gas including ozone(O3) into the reaction chamber, thereby chemically reacting the organometallic compound vapor with the reaction gas to grow carbon fiber on the substrate. The organometallic compound is at least one material selected from the group consisting of Ni(C5H5)2, Ni(CH3C5H4), Ni(C5H7O2)2, Ni(C11H19O2)2, Ni(C7H16NO) and Ni(C7H17NO)2. The carbon fiber is vertically grown. The substrate is a glass substrate, a sapphire substrate, a plastic substrate, or a silicon substrate.

Abstract translation: 提供了一种通过金属有机化学气相沉积在低温下生长碳纤维在低于450℃或更低的温度下生长碳纤维的方法。 碳纤维（20）的制备方法包括以下步骤：将基材（10）安装在反应室（5）中，并将基材加热到200-450℃的温度范围，以保持温度范围; 制备包括镍（Ni）元素的有机金属化合物; 蒸发有机金属化合物以制备有机金属化合物蒸气; 并将有机金属化合物蒸气和包含臭氧（O 3）的反应气体供给到反应室中，从而使有机金属化合物蒸气与反应气体化学反应，以在基材上生长碳纤维。 有机金属化合物是选自Ni（C 5 H 5）2，Ni（CH 3 C 5 H 4），Ni（C 5 H 7 O 2）2，Ni（C 11 H 19 O 2）2，Ni（C 7 H 16 NO）和Ni（C 7 H 17 NO）2）中的至少一种。 碳纤维垂直生长。 基板是玻璃基板，蓝宝石基板，塑料基板或硅基板。

公开(公告)号：KR100707201B1

公开(公告)日：2007-04-13

申请号：KR1020050070076

申请日：2005-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구준모 ,  박영수 ,  신상민 ,  김석필

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/65

Abstract: 본 발명은 강유전체 캐패시터, 그 제조 방법 및 강유전체 메모리 소자에 관한 것이다. 강유전체 캐패시터에 있어서, Ir-Ti 또는 Ru-Ti 중 적어도 어느 하나를 포함하는 화합물로 형성된 제 1전극층; 상기 제 1전극층 상에 형성된 강유전체층; 및 상기 강유전체층 상에 형성된 제 2전극층;을 포함하는 강유전체 캐패시터를 제공한다. 별도의 산화 방지막 등이 필요 없으며, 내산화성을 향상시킬 수 있고, 단순한 구조를 지니며, 경제적으로 우수한 합금 전극 및 이를 포함하는 강유전체 캐패시터를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR100693820B1

公开(公告)日：2007-03-12

申请号：KR1020050082479

申请日：2005-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진성 ,  이동우 ,  김태규 ,  김성구 ,  박태상 ,  구준모 ,  정창훈

IPC: H01L21/027

CPC classification number: C23C26/00 ,  H01L21/6715

Abstract: 본 발명은 포토레지스트 코팅 시 발생하는 에지 비드(edge bead) 문제를 해결하기 위한 포토레지스트 코팅 장치 및 방법에 관한 것으로, 자기장 발생 장치를 이용하여 이온화된 솔벤트 증기에 의한 솔벤트 증기층을 웨이퍼의 표면에 형성하고, 상기 웨이퍼의 표면에 포토레지스트액을 분사(spray)함으로서, 포토레지스트액이 웨이퍼의 에지(edge)에서 많이 증발하는 것을 방지하여 에지 비드가 발생하는 것을 방지한다.
포토레지스트 코팅, 에지 비드(edge bead)

公开(公告)号：KR100540260B1

公开(公告)日：2006-01-10

申请号：KR1020030054373

申请日：2003-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정선태 ,  구준모

IPC: G02B6/40

Abstract: 본 발명은 광 도파로와 광섬유를 함께 연결시키기 위한 V 그루브가 상기 광 도파로와 상응하도록 형성되는 하이브리드 플랫폼에 있어서, 상기 V 그루브의 양측에 일정 간격을 갖는 보조 V 그루브를 형성하여, 상기 V 그루브와 보조 V 그루브간의 최소 선폭에 의해 쏘잉(sawing) 공정시 식각 마스크가 용이하게 분리되도록 하여, 광섬유 정렬시, 삽입을 가로막는 식각마스크를 완전히 제거할 수 있는 효과가 있다.
하이브리드 플랫폼, 광섬유, V 그루브, 시각 마스크, 최소선폭

公开(公告)号：KR1020050105695A

公开(公告)日：2005-11-08

申请号：KR1020040030928

申请日：2004-05-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영수 ,  이정현 ,  조중래 ,  구준모 ,  김석필 ,  신상민

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 본 발명은 메모리 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 트랜지스터 구조체를 포함하는 메모리 소자의 캐패시터에 있어서, 상기 트랜지스터 구조체의 불순물 영역 상에 형성되며, 금속 전극 및 금속 산화물 전극을 포함하는 하부 전극; 상기 하부 전극을 둘러싸며 형성된 강유전체층; 및 상기 강유전체층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하는 메모리 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법을 제공한다. 따라서, 피로 특성이 좋으며, 고집적 반도체 메모리 소자의 구현이 가능하다.