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公开(公告)号：KR101696644B1
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：KR1020100090811
申请日：2010-09-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L25/065 , H01L23/13 , H01L23/538 , H01L23/66 , H01L25/16 , H01P1/208
CPC classification number: H01L23/66 , H01L23/13 , H01L23/5385 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L2223/6616 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
Abstract: 3차원수직배선을이용한 RF 적층모듈의구조및 배치방법을제공한다. , 3차원수직배선을이용한 RF 적층모듈에서제1 웨이퍼는적어도하나의제1 관통홀및 제1 RF 소자를포함한다. 제2 웨이퍼는제2 RF 소자및 상기제1 관통홀과대응되는위치에구비된적어도하나의제2 관통홀을포함한다. 수직배선은상기제1 관통홀과상기제2 관통홀을연결한다. 관통전극은상기제1 관통홀의하면또는상기제2 관통홀의상면으로외부소자와연결된다.
Abstract translation: 提供了一种使用三维（3D）垂直布线的射频（RF）分层模块的结构和布置方法。 具有3D垂直布线的RF分层模块中的第一晶片可以包括第一RF器件和至少一个第一通孔。 第二晶片可以包括第二RF器件和设置在对应于至少一个第一通孔的位置处的至少一个第二通孔。 垂直布线可以连接至少一个第一通孔和至少一个第二通孔。 垂直布线可以被配置为通过至少一个第一通孔的底表面或至少一个第二通孔的顶表面连接到外部装置。
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公开(公告)号：KR101663010B1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020100111045
申请日：2010-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03H7/38 , H03H9/54 , H03H2007/386
Abstract: RF용매칭세그먼트회로및 이를이용한 RF 통합소자를제공한다. RF용매칭세그먼트회로는제1 RF 소자와연결되는입력단, 제1 캐패시터및 제1 인덕터가병렬로연결된병렬세그먼트, 상기병렬세그먼트와직렬로연결된제2 인덕터및 제2 RF 소자와연결되는출력단을포함하고, 상기제1 캐패시터, 상기제1 인덕터및 상기제2 인덕터는상기제1 RF 소자와상기제2 RF 소자사이의임피던스가매칭되도록구성된다.
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公开(公告)号：KR101634305B1
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：KR1020100044062
申请日：2010-05-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: H03H9/2463 , B82Y30/00 , H03H2009/02322
Abstract: 탄소계나노물질을이용한공진기가개시된다. 제안되는공진기는, 희생층이형성된기판및 희생층상에형성되고적어도하나의탄소계나노물질층및 적어도하나의실리콘카바이드(SiC)층을포함하는공진구조체를포함한다.
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公开(公告)号：KR101616941B1
公开(公告)日：2016-04-29
申请号：KR1020090083818
申请日：2009-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 체적탄성파공진기를이용한위상천이장치를개시한다. 체적탄성파공진기를이용한위상천이장치는체적탄성파공진기의주파수에대한위상변화특성을이용하고, 하나이상의인덕터, 하나이상의커패시터등을함께이용하여위상천이장치를구성할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101408116B1
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：KR1020080039469
申请日：2008-04-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H03H9/462 , B81B2201/0271 , B81C1/00142 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H03H3/0072 , H03H9/2463
Abstract: 공진기 제조 방법이 개시된다. 본 방법에 따르면, 나노 임프린트 기술을 이용하여, 기판 상에서 서로 이격된 복수 개의 전극 패턴을 마련하는 단계 및 복수 개의 전극 패턴들에 연결된 연장 전극 패턴을 형성하고, 연장 전극 패턴들 사이에 걸쳐지는 나노 구조물을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 나노 레벨의 공진 구조물을 가지는 NEMS 공진기를 용이하게 제조할 수 있다.
나노 임프린트, 나노 구조물, 공진기-
公开(公告)号：KR101400238B1
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：KR1020080007186
申请日：2008-01-23
Applicant: 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B81B2201/0271 , B81C1/00142 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/49 , H01L29/78 , Y10S977/936 , Y10S977/937 , Y10S977/938
Abstract: 공진 구조체가 개시된다. 본 공진 구조체는, 제1 단자, 상기 제1 단자와 대향 배치된 제2 단자, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자 사이를 연결하는 와이어부, 상기 와이어부와 일정거리 이격 배치되어, 상기 와이어부를 공진시키는 제3 단자 및, 상기 와이어부 상에 형성되며, 네거티브 저항 성분을 제공하는 포텐셜 배리어부를 포함한다. 이에 따라, 트랜스덕션 효율을 높일 수 있다.
공진 구조체, 와이어부, 포텐셜 베리어-
公开(公告)号：KR1020140052380A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120118435
申请日：2012-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 고려대학교 산학협력단
IPC: H01P7/00
CPC classification number: H01L29/82 , B81B3/0078 , B81B2201/0271 , B82Y25/00 , G01N29/022 , G01N29/036 , H01L29/0673 , H01L29/42372 , H01L29/78 , Y10S977/762 , Y10S977/938
Abstract: Disclosed are a nanoresonance apparatus and a method for same, including at least one protruding portion on a gate electrode or a nanowire. The nanoresonance apparatus includes at least one gate electrode configured to generate a magnetic field; at least one protruding portion connecting a source electrode to a drain electrode and formed in a direction of the gate electrode; and a nanowire configured to resonate according to the magnetic field.
Abstract translation: 公开了一种纳米谐振装置及其方法，包括在栅电极或纳米线上的至少一个突出部分。 所述纳米谐振装置包括至少一个被配置为产生磁场的栅电极; 至少一个突出部分，其将源电极连接到漏电极并沿栅电极的方向形成; 以及配置成根据磁场共振的纳米线。
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公开(公告)号：KR1020140011665A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：KR1020120078313
申请日：2012-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B81C1/00134 , B81B3/0018 , H03H3/0072 , H03H9/2463
Abstract: Disclosed are a nanoresonator and a method for manufacturing the same. According to an embodiment of the present invention, the nanoresonator includes a substrate, a first insulating layer formed on the substrate, a first source formed in a first position on the first insulating layer, a first drain formed in a second position facing the first position on the first insulating layer, a nanowire channel where one end is connected to the first source and the other end is connected to the first drain and having the same doping type and doping concentration with the first source and the first drain, and at least one nanowire channel separated from the first nanowire channel and formed in at least one direction among the vertical and horizontal directions of the first nanowire channel.
Abstract translation: 公开了一种纳米谐振器及其制造方法。 根据本发明的实施例，纳米谐振器包括基板，形成在基板上的第一绝缘层，形成在第一绝缘层上的第一位置的第一源极，形成在面向第一位置的第二位置的第一漏极 在第一绝缘层上的纳米线通道，其一端连接到第一源极，另一端连接到第一漏极，并且具有与第一源极和第一漏极相同的掺杂类型和掺杂浓度，以及至少一个 纳米线通道与第一纳米线通道分离并形成在第一纳米线通道的垂直和水平方向之间的至少一个方向上。
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公开(公告)号：KR101206030B1
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020060007905
申请日：2006-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03H9/0547 , H01L2924/0002 , H03H9/587 , H01L2924/00
Abstract: 알에프 모듈, 멀티 알에프 모듈 및 그 제조방법이 개시되어 있다.
이 개시된 알에프 모듈은 베이스 기판; 베이스 기판의 상부에 마련되며, 알에프 신호를 처리하는 제1 소자; 제1 소자의 상부에서 이격되게 배치되며, 알에프 신호를 처리하는 제2 소자; 베이스 기판과 결합되어 제1 및 제2 소자를 밀봉하며, 제1 및 제2 소자가 외부와 전기적으로 연결되도록 하는 복수개의 관통전극이 형성된 캡 기판; 베이스 기판과 상기 캡 기판을 밀봉접합하는 것으로, 제1 및 제2 소자가 관통전극과 전기적으로 연결되도록 하는 실링패드;를 포함한다.
이러한 구조에 의해, 웨이퍼 단위에서 제조가능하므로 그 생산 수율을 향상시킬 수 있으며, 칩 스케일로 패키징되어 소형화가 용이하다.
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