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公开(公告)号：KR101910977B1
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：KR1020110124398
申请日：2011-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/186 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/194 , H01B1/04 , Y10S977/734 , Y10S977/773
Abstract: 그래핀볼 구조체및 그제조방법이개시된다. 개시된그래핀볼 구조체는, 반도체물질을포함하는구 형상의코어(core) 및상기코어를둘러싸도록형성되는것으로, 그래핀을포함하는그래핀셸(graphene shell)을포함한다.
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公开(公告)号：KR101851570B1
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：KR1020110127863
申请日：2011-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C08K3/04 , C08L101/00 , C01B31/04 , H01L35/22
CPC classification number: H01L35/28 , B32B3/263 , B32B3/30 , B82Y30/00 , H01L35/22 , H01L35/32 , Y10T428/24521 , Y10T428/24612
Abstract: 그래핀과폴리머의복합체및 그제조방법이개시된다. 개시된그래핀과폴리머의복합체는 3차원형상을가지는적어도하나의폴리머구조물; 및상기폴리머구조물상에형성되는그래핀층;을포함한다.
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公开(公告)号：KR101758649B1
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：KR1020100029509
申请日：2010-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02527 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B2204/04 , C23C16/0272 , C23C16/26 , C30B25/02 , C30B29/08 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/0262
Abstract: 게르마늄층을이용한그래핀제조방법이개시된다. 개시된게르마늄층을이용한그래핀제조방법은, 기판상에게르마늄층을형성하는단계와, 상기기판이배치된챔버내에탄소함유개스를공급하여상기게르마늄층상에직접그래핀을형성하는단계를포함할수 있다. 본발명의실시예에따른그래핀제조방법은촉매금속층을사용하지않으므로, 촉매금속으로오염되지않은그래핀층을제조할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种使用锗层制造石墨烯的方法。 所公开的使用锗层制造石墨烯层的方法可以包括在衬底上形成锗层并将含碳气体供应到其中设置衬底的腔室中以直接在锗层上形成石墨烯 。 由于根据本发明实施方式的石墨烯制造方法不使用催化剂金属层，因此可以制造未被催化剂金属污染的石墨烯层。
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公开(公告)号：KR1020170041064A
公开(公告)日：2017-04-14
申请号：KR1020150140544
申请日：2015-10-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/3105 , H01L21/02 , H01L51/50 , H01L27/32 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L51/0533 , H01L51/0003 , H01L51/0005 , H01L51/0011 , H01L51/0074
Abstract: 게이트전극, 상기게이트전극과중첩하는반도체, 상기게이트전극과상기반도체사이에위치하는게이트절연체, 및상기반도체와전기적으로연결되어있는소스전극및 드레인전극을포함하는박막트랜지스터로서, 상기게이트절연체는상기게이트전극측에위치하는무기절연막과상기반도체측에위치하는유기절연막을포함하는박막트랜지스터, 이박막트랜지스터의제조방법, 및상기박막트랜지스터를포함하는전자장치에관한것이다.
Abstract translation: 一种薄膜晶体管，包括栅电极，叠加在栅电极上的半导体，位于栅电极和半导体之间的栅绝缘体以及电连接到半导体的源电极和漏电极， 一种薄膜晶体管，包括位于栅电极侧的无机绝缘膜和位于半导体侧的有机绝缘膜，制造该薄膜晶体管的方法以及包括该薄膜晶体管的电子设备。
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15.发明公开
公开(公告)号：KR1020160093550A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：KR1020160007798
申请日：2016-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C07D495/22 , C07D493/22 , C07D345/00 , C07C391/00 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/00
Abstract: 8개이상의고리가융합되어있어고축합되고(highly-fused) 높은평면성으로인하여분자간에전하의이동이원활히일어날수 있는화학식 1A 또는 1B로표현되는축합다환헤테로방향족화합물을제공한다. 또한, 상기축합다환헤테로방향족화합물을포함하는유기박막및 상기박막을캐리어수송층으로포함하는전자소자에관한것이다.
Abstract translation: 提供由化学式1A或1B表示的稠合多环杂芳族化合物。 根据本发明，熔融多环杂芳族化合物由于至少八个环被熔合在一起而被高度融合，并且由于高的平面性，电荷也能在分子内自由移动。 此外，本发明还涉及包含熔融多环杂芳族化合物的有机薄膜，以及包括作为载流子转移层的薄膜的电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101450137B1
公开(公告)日：2014-10-13
申请号：KR1020080008028
申请日：2008-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C08G61/126 , C08G61/123 , H01B1/127 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 화학식 1로 표시되는 유기반도체용 공중합체 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및 유기 전자소자가 제공된다:
[화학식 1]
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본 발명에 따른 유기반도체용 공중합체는 우수한 용해성, 가공성 및 박막특성을 나타내어 다양한 전자소자에 이용될 수 있으며, 특히 유기박막 트랜지스터의 활성층으로 이용되는 경우 높은 전하이동도 및 낮은 차단누설전류를 나타낸다.-
公开(公告)号：KR101445876B1
公开(公告)日：2014-09-29
申请号：KR1020080014787
申请日：2008-02-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/052
Abstract: 본 발명은 유기 절연체 고분자와 알킬기 또는 불소계 측쇄를 갖는 에폭시계 가교제를 포함하는 유기 절연체 조성물, 이를 이용하는 유기 절연층 및 유기 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명의 유기 절연층 조성물을 이용하는 유기 절연층은 내화학성이 우수할 뿐 아니라 유기 박막 트랜지스터의 히스테리시스를 줄일 수 있어 균일한 소자의 특성을 제공할 수 있다.
유기 절연체 조성물, 에폭시계 가교제, 히스테리시스, 유기 박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020140109169A
公开(公告)日：2014-09-15
申请号：KR1020130023542
申请日：2013-03-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/1259 , H01L27/3274 , H01L27/283
Abstract: A display device according to an embodiment comprises: a substrate; a first thin film transistor located on the substrate; a second thin film transistor located on the first thin film transistor; and a display unit electrically connected with either the first thin film transistor or the second thin film transistor.
Abstract translation: 根据实施例的显示装置包括：基板; 位于所述基板上的第一薄膜晶体管; 位于第一薄膜晶体管上的第二薄膜晶体管; 以及与第一薄膜晶体管或第二薄膜晶体管电连接的显示单元。
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公开(公告)号：KR101353824B1
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：KR1020070057235
申请日：2007-06-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/30
CPC classification number: C09D4/06 , C08G77/58 , C08K5/5425 , C08L21/00 , C08L83/04 , C09D183/04 , C09D183/14 , H01L51/0036 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , Y10T428/31663 , C08L2666/02 , C08L2666/52
Abstract: 본 발명은 (i) 다중결합 함유 실란계 유무기 하이브리드 물질 및 (ii) 1종 이상의 유기금속 화합물 및/또는 1종 이상의 유기 고분자를 포함하는 유기 절연체 형성용 조성물 및 그를 포함하는 유기 절연체에 관한 것으로, 본 발명의 유기 절연체 형성용 조성물을 포함하는 유기 절연체는 전하 이동도 및 전류점멸비가 높아서 우수한 특성을 나타내며, 또한 유기 박막 트랜지스터에 있어서 히스테리시스를 제거하여 균일한 특성을 시현하게 한다.
유기반도체, 다중결합 함유 실란계 유무기 하이브리드 물질, 유기금속화합물, 유기고분자, 알케닐기, 알키닐기-
公开(公告)号：KR1020130139815A
公开(公告)日：2013-12-23
申请号：KR1020130147766
申请日：2013-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82B3/0095 , B82Y40/00
Abstract: The present invention relates to a nanowire composite and a method for manufacturing the same, wherein the composite is characterized by comprising: a template including multiple hollow space channels; a nanowire formed within each chanel of the template; and a functional unit wherein a partial section of the template is removed such that a single nanowire or multiple nanowires are exposed. The nanowire composite of the present invention can be manufactured by simple processes in low costs and can be manufactured in a small size such that use development into a a resonator or varios sensors can be possible.
Abstract translation: 纳米线复合材料及其制造方法技术领域本发明涉及一种纳米线复合体及其制造方法，其特征在于，包括：包含多个中空空间通道的模板; 在模板的每个chanel内形成的纳米线; 以及去除模板的部分部分使得单个纳米线或多个纳米线被暴露的功能单元。 本发明的纳米线复合材料可以通过简单的方法以低成本制造，并且可以以小尺寸制造，从而可以将共同体或各种变量传感器用于发展。
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