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公开(公告)号：KR1020080090932A
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：KR1020070034413
申请日：2007-04-06
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: A ferroelectric hard disk system is provided to store and reproduce information in a hard disk by using the switching principle of ferroelectric dipole. A ferroelectric hard disk system comprises a hard disk(20) and a head(21). The hard disk comprises a substrate, a seed layer formed on the substrate, a lower electrode(201) formed on the seed layer, and a ferroelectric layer(202) formed on the lower electrode. The head formed on the upper part of the ferroelectric hard disk records and reproduces information in the ferroelectric layer.
Abstract translation: 提供铁电硬盘系统，通过使用铁电偶极子的切换原理来在硬盘中存储和再现信息。 铁电硬盘系统包括硬盘（20）和磁头（21）。 硬盘包括基板，形成在基板上的种子层，形成在种子层上的下电极（201）和形成在下电极上的铁电层（202）。 形成在铁电硬盘的上部的磁头记录并再现铁电层中的信息。
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公开(公告)号：KR100817309B1
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：KR1020060080530
申请日：2006-08-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/14
CPC classification number: G11B9/04 , B82Y10/00 , G11B9/1409 , G11B9/149
Abstract: 본 발명은 고밀도 데이터 저장 장치 및 그 기록/재생 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 접촉 없이 고밀도의 데이터를 기록/재생하여, 접촉에 의한 데이터의 오류를 방지할 수 있는 고밀도 데이터 저장 장치 및 그 기록/재생 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 고밀도 데이터 저장 장치는 기록매체와 탐침을 이용한 것으로, 상기 기록매체는 상(phase)변환 물질 또는 산화물 저항변화 물질로 형성된 박막이고, 상기 탐침의 하부에는 상기 기록매체의 상부에 이격되어 이동하는 팁(tip)이 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 탐침의 팁에서 발생되는 전기장이나 열방출에 의해서 기록매체와 탐침이 직접 접촉하지 않고 데이터의 기록/재생을 실시하여, 기록매체와 탐침의 접촉으로 인하여 발생하는 불안정성을 제거하고, 기록매체에 데이터를 에러 없이 안정되게 기록/재생할 수 있는 효과가 있다.
탐침, 기록매체, SPM, 상변환 물질, 전이 금속 산화물-
公开(公告)号：KR100682916B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050003977
申请日：2005-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01Q70/16 , G01Q70/14 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침은, 제1불순물이 도핑되어 있으며, 그 첨두부에는 상기 제1불순물과 극성이 다른 제2불순물이 저농도로 도핑된 저항영역이 형성되고, 그 경사면에는 상기 제2불순물이 고농도로 도핑된 제1 및 제2반도체 전극영역이 형성된 저항성 팁; 상기 저항성 팁이 말단부에 위치하는 캔티레버; 상기 캔티레버 상에서 상기 저항영역을 덮는 유전층; 및 상기 유전층 상에서 상기 저항영역에 해당되는 영역에 개구가 형성된 메탈 쉴드;를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 반도체 탐침의 공간 분해능이 향상된다.
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公开(公告)号：KR1020060078697A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：KR1020040117010
申请日：2004-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L27/105
Abstract: 자기 논리 소자와 그 제조 및 동작 방법이 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 제1 배선 상에 적층되어 자기 분극 방향이 주어진 방향으로 고정된 하부 자성막과, 상기 하부 자성막 상에 적층된 비자성막과, 상기 비자성막 상에 적층되어 자기 분극 방향이 상기 하부 자성막의 자기 분극 방향과 동일하거나 반대인 상부 자성막과, 상기 상부 자성막 상에 형성된 제2 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 논리 소자와 그 제조 및 동작 방법을 제공한다. 상기 제1 배선의 일단과 상기 제2 배선의 일단사이에 제1 전류원이 구비되고, 상기 제1 배선의 타단과 상기 제2 배선의 타단사이에 제2 전류원이 구비될 수 있다.
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公开(公告)号：KR100519761B1
公开(公告)日：2005-10-07
申请号：KR1020030012358
申请日：2003-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 반도체 탐침 및 그 제조방법 및 이를 구비하는 반도체 표면 분석 장치 및 이를 이용한 반도체 표면 분석 방법이 개시된다. 개시된 반도체 탐침은, 저농도 불순물이 도핑된 반도체 팁 및, 반도체 팁이 일단에 위치하고 반도체 팁에 근접하여 고농도 불순물이 도핑된 도전 영역이 형성된 캔티레버를 구비한다. 시료와 PN접합을 하는 비파괴 검사로 시료의 불순물 농도를 정량적으로 알아낼 수 있으며, 고분해능을 달성할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020040088631A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：KR1020030022570
申请日：2003-04-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/30 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor probe having a resistant tip is provided to simplify a fabrication process by forming a resistant region between semiconductor electrode regions on a center of the resistant tip and forming a low-density resistant region. CONSTITUTION: A tip(30) is doped by the first impurity. The tip is installed on an end part of a cantilever(41). A resistant region is formed on a top part of the tip. The resistant region is doped by the second impurity having the different polarity from the first impurity. The first and the second semiconductor electrode regions(32,34) are formed on a slope part of the tip. The resistant region is formed by performing a thermal process for the first and the second semiconductor electrode regions for diffusing the second impurity.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有电阻尖端的半导体探针的方法，以通过在耐电极尖端的中心处的半导体电极区域之间形成电阻区域并形成低密度电阻区域来简化制造工艺。 构成：尖端（30）由第一杂质掺杂。 尖端安装在悬臂（41）的端部上。 在尖端的顶部形成有电阻区域。 电阻区域由与第一杂质具有不同极性的第二杂质掺杂。 第一和第二半导体电极区域（32,34）形成在尖端的斜坡部分上。 通过对用于扩散第二杂质的第一和第二半导体电极区域进行热处理形成电阻区域。
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公开(公告)号：KR102006387B1
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：KR1020130005210
申请日：2013-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146
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