公开(公告)号：KR101400691B1

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：KR1020080044535

申请日：2008-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조경래 ,  채동혁 ,  공준진

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/3418

Abstract: 메모리 장치 및 메모리 프로그래밍 방법이 제공된다. 본 발명의 메모리 장치는 복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이, 상기 복수의 메모리 셀들에 프로그램될 데이터의 패턴에 기초하여 상기 복수의 메모리 셀들 중 문턱 전압이 변경될 메모리 셀을 식별하는 제어부, 및 상기 식별된 메모리 셀의 문턱 전압이 제1 문턱 전압 구간에 포함될 때까지 상기 식별된 메모리 셀에 프로그램 조건 전압을 인가함으로써 상기 식별된 메모리 셀의 문턱 전압을 조정하는 프로그래밍부를 포함하고, 상기 프로그래밍부는 상기 조정된 문턱 전압을 가지는 메모리 셀에 상기 데이터를 프로그램하며, 이를 통해 문턱 전압의 산포(distribution)의 왜곡(distortion)을 줄일 수 있다.
멀티 비트 셀, 멀티 레벨 셀, FG 커플링, FP 커플링

Abstract translation: 提供了一种存储器件和存储器编程方法。 存储单元阵列的数据的模式的基础上，控制要被编程到所述多个存储器单元识别所述多​​个存储单元的是存储单元包括多个存储单元，所述本发明的存储器装置的阈值电压变化，和 以及编程部分，用于通过将编程条件电压施加到所识别的存储单元直到所识别的存储单元的阈值电压被包括在第一阈值电压部分中来调整所识别的存储单元的阈值电压， 数据被编程到具有调节的阈值电压的存储单元中，由此减少阈值电压分布的失真。

公开(公告)号：KR101204001B1

公开(公告)日：2012-11-23

申请号：KR1020070087372

申请日：2007-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서국정 ,  윤인철 ,  조경래 ,  김형철 ,  송명섭

IPC: F24F1/00 ,  F24F6/00 ,  F24F11/02

Abstract: 열교환기에 물을 뿌리는 살수부재를 이용하여 실내를 가습하기 위한 공기조화기에 있어서 열교환기 표면의 스케일을 억제하기 위한 공기조화기의 가습 제어장치 및 방법을 개시한다. 실내 습도와 기준값을 비교하여 가습 모드와 건조 모드 중 어느 하나를 수행하되, 열교환기 표면에서 자연 건조되는 동작을 줄이기 위해 건조 모드에서는 급수 동작을 선택적으로 수행하도록 살수부재에 물을 공급하는 유량밸브의 동작을 제어한다. 이에 따라 열교환기 표면에서 발생할 수 있는 스케일을 억제한다.
열교환기, 가습, 스케일, 건조, 급수

公开(公告)号：KR1020120095609A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：KR1020110015032

申请日：2011-02-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용준 ,  정정수 ,  공준진 ,  조경래

IPC: G11C7/10 ,  G11C16/04 ,  G06F12/02 ,  G06F13/16

CPC classification number: G06F13/16 ,  G11C7/1006 ,  G06F12/0246 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10

Abstract: PURPOSE: A semiconductor memory system and a programming method thereof are provided to reduce BPD(Back Pattern Dependency) by randomizing data in a column direction. CONSTITUTION: A semiconductor memory system includes a semiconductor memory device including a storage area and a memory controller which control a program and a read operation in the storage area. A first randomizer changes program data in the storage area into the first random data by using a first sequence of a first cycle(S120). A second randomizer changes the first random data into the second random data by using a second sequence of a second cycle(S140). The first cycle is different from the second cycle. The second random data is provided to a memory cell array(S160).

Abstract translation: 目的：提供半导体存储器系统及其编程方法，以通过在列方向上随机化数据来减少BPD（反向图依赖性）。 构成：半导体存储器系统包括包括存储区域的半导体存储器件和控制存储区域中的程序和读取操作的存储器控​​制器。 第一随机发生器通过使用第一周期的第一序列将存储区域中的程序数据改变为第一随机数据（S120）。 第二随机发生器通过使用第二周期的第二序列将第一随机数据改变为第二随机数据（S140）。 第一个周期与第二个周期不同。 将第二随机数据提供给存储单元阵列（S160）。

公开(公告)号：KR101177278B1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：KR1020070100889

申请日：2007-10-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박주희 ,  김영문 ,  박윤동 ,  이승훈 ,  조경래 ,  변성재 ,  송승환

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/12 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5648

Abstract: 비휘발성 메모리 셀 프로그래밍 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 셀의 프로그래밍 방법은, 제1 및 제2프로그래밍 단계, 제3프로그래밍 단계 및 제4 및 제5프로그래밍 단계를 구비한다. 제1 및 제2프로그래밍 단계는, 프로그래밍 대상 데이터의 제1비트와 제2비트 값에 따라, 상기 비휘발성 메모리 셀의 문턱 전압이 제1 내지 제4문턱 전압 분포들 중에서 하나의 문턱 전압 분포에 속하도록 프로그래밍 한다. 제3프로그래밍 단계는, 상기 데이터의 제3비트 값에 따라, 상기 제1비트와 상기 제2비트에 따른 문턱 전압을 그대로 유지시키거나 또는 상기 비휘발성 메모리 셀의 문턱 전압이 제5 내지 제8문턱 전압 분포들 중에서 사전에 정해진 하나의 문턱 전압 분포에 속하도록 프로그래밍 한다. 제4 및 제5프로그래밍 단계는, 상기 제1비트와 상기 제2비트 값에 따라, 상기 비휘발성 메모리 셀의 문턱 전압이 상기 제5 내지 제8문턱 전압 분포들 중에서 하나의 문턱 전압에 속하도록 프로그래밍 한다.

公开(公告)号：KR1020120035064A

公开(公告)日：2012-04-13

申请号：KR1020100096550

申请日：2010-10-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최성혁 ,  손홍락 ,  조경래 ,  공준진 ,  이상훈

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/02 ,  G06F13/00 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/00 ,  G11C16/06 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/349 ,  G11C29/42

Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for changing a read parameter are provided to reduce an ECC decoding failure by previously changing a lead parameter after a read operation or an ECC decoding of read data is successful. CONSTITUTION: A first data saved in a memory cell array(22) is read by using a read voltage. The read voltage is changed to read a second data saved in a first region of the memory cell array according to a comparison result of a count value of 0 and 1 included in the first data and a reference count value. The changed read voltage information is saved in a second region of the memory cell array. A second data is read by using the changed read voltage corresponding to the information saved in a second region.

Abstract translation: 目的：提供一种用于改变读取参数的装置和方法，用于通过在读取操作之后先前改变引导参数或读取数据的ECC解码成功来减少ECC解码失败。 构成：通过使用读取电压读取保存在存储单元阵列（22）中的第一数据。 根据第一数据中包含的计数值0和1的比较结果和参考计数值，改变读取电压以读取保存在存储单元阵列的第一区域中的第二数据。 改变的读取电压信息被保存在存储单元阵列的第二区域中。 通过使用与保存在第二区域中的信息相对应的改变的读取电压来读取第二数据。

公开(公告)号：KR101116214B1

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：KR1020070004310

申请日：2007-01-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최지훈 ,  장필수 ,  조경래 ,  이인주

IPC: F04C29/00

CPC classification number: F25B1/10 ,  F25B49/022 ,  F25B2400/0751 ,  F25B2600/2521

Abstract: 압축용량을다단으로가변시킬수 있고, 압축용량의가변을신속히수행할수 있도록한 공기조화장치및 그제어방법을개시한다. 개시한공기조화장치는제1압축기와, 제1압축기와병렬로설치되며압축용량을가변시킬수 있는제2압축기를포함하고, 제2압축기는압축실을갖춘하우징과, 압축실의반경방향으로진퇴하는베인과, 베인의진퇴안내를위해하우징에형성된베인안내홈과, 용량가변을위해베인의동작을제어하는베인제어장치를포함하며, 베인제어장치는베인안내홈에제2압축기의흡입측 압력과제1압축기의토출압력이선택적으로인가될수 있도록유로를전환시키는제어밸브를포함하고, 공조부하에따라제어밸브의유로전환동작을펄스폭변조방식으로제어하는제어부를포함한다.

公开(公告)号：KR1020120013841A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：KR1020100076112

申请日：2010-08-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 은희석 ,  유한웅 ,  김재홍 ,  조경래 ,  송승환

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/34 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/06 ,  G11C16/34

Abstract: PURPOSE: A method for reading data of a nonvolatile memory device is provided to efficiently read the status of memory cells even though a memory cell is a negative threshold voltage. CONSTITUTION: A memory cell of a first page is read to a first read level in a memory cell array(S10). A memory cell of a second page is read to a second read level(S20). The status change of the memory cell of the first page is determined(S30). The status of the memory cells of the second page is corrected by the status change of the memory cell of the first page(S40). The second page is read by applying the corrected status of the memory cells of the second page(S50).

Abstract translation: 目的：提供一种用于读取非易失性存储器件的数据的方法，即使存储器单元是负阈值电压，也可有效地读取存储器单元的状态。 构成：将第一页的存储单元读入存储单元阵列中的第一读取电平（S10）。 将第二页的存储单元读取到第二读取电平（S20）。 确定第一页的存储单元的状态变化（S30）。 通过第一页的存储单元的状态改变来校正第二页的存储单元的状态（S40）。 通过应用第二页的存储单元的校正状态来读取第二页（S50）。

公开(公告)号：KR1020110113420A

公开(公告)日：2011-10-17

申请号：KR1020100032803

申请日：2010-04-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조경래 ,  이동기 ,  조희창 ,  유범석 ,  공준진 ,  박형준

IPC: G06F9/06 ,  G06F13/14 ,  G06F15/16

CPC classification number: G06F12/023 ,  G06F3/0608 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0655 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0689 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/401 ,  G11B20/00007

Abstract: 저장 매체에 데이터를 저장하는 방법은 압축 단위로 데이터를 순차적으로 압축하고, 상기 압축된 데이터를 상기 저장 매체에 각각 저장하는 것을 포함하며, 상기 압축 단위는 상기 저장 매체에 저장될 데이터의 압축 특성에 따라 가변된다.

公开(公告)号：KR1020110112972A

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020100032242

申请日：2010-04-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조경래 ,  권혁선 ,  공준진

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C16/3454

Abstract: 비휘발성 메모리 장치가 개시된다. 상기 비휘발성 메모리 장치는 각각이 복수의 비트들을 저장할 수 있는 복수의 멀티 레벨 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이; 및 제1그룹의 검증 전압 레벨들 중 어느 하나에 따라 상기 복수의 비트들을 제1멀티 레벨 셀에 프로그램하고, 각각이 상기 제1그룹의 검증 전압 레벨들보다 높은 레벨을 가지는 제2그룹의 검증 전압 레벨들 중 어느 하나에 따라, 상기 제1멀티 레벨 셀에 프로그램된 복수의 비트들을 상기 제1멀티 레벨 셀에 재프로그램하도록 제어하는 제어 회로를 포함하며, 상기 제2그룹의 검증 전압 레벨들에 의하여 정의된 제2그룹의 상태들의 갯수는 상기 제1그룹의 검증 전압 레벨들에 의하여 정의된 제1그룹의 상태들의 갯수보다 작다.

公开(公告)号：KR1020110097446A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020100017293

申请日：2010-02-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김용준 ,  공준진 ,  조경래

IPC: G06F11/10 ,  G06F12/00

CPC classification number: G06F11/1072 ,  G06F11/1048 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3404 ,  G11C16/349

Abstract: 본 발명에 따른 불휘발성 메모리의 데이터 처리 방법은, 상기 불휘발성 메모리 장치의 위크 열 정보를 제공받는 단계, 상기 비트들 각각에 대한 확률적인 값을 계산하는 단계, 상기 위크 열 정보에 대응되는 확률적인 값을 수정하는 단계, 수정된 확률적인 값을 이용하여 오류 정정 부호의 복호를 수행하는 단계를 포함한다.