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公开(公告)号：KR1020110041969A
公开(公告)日：2011-04-22
申请号：KR1020100006793
申请日：2010-01-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/04 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A family III nitride thin film lattice reflector is provided to obtain the high reflectivity for the incident light of a particular wavelength by comprising the lattice shape grid structure being parallel. CONSTITUTION: A buffer layer is arranged on a substrate. A first layer made of the family III nitride comprises an air gap(235) on the buffer layer. A second level made of III family nitride comprises the lattice shape thin film grid structure being parallel where lattice and air hole(244) are periodically arranged on the first layer. Since the second light passing through the first light and air hole each other raises the destructive interference the incident light is reflected to the grid structure surface.
Abstract translation: 目的：提供一种III族氮化物薄膜点阵反射器，以通过包括平行的格子状网格结构来获得特定波长的入射光的高反射率。 构成：在衬底上布置缓冲层。 由III族氮化物构成的第一层包括缓冲层上的气隙（235）。 由III族氮化物构成的第二级包括晶格形状薄膜栅格结构平行，其中晶格和空气孔（244）周期性地布置在第一层上。 由于通过第一光和空气孔的第二光使得入射光被反射到栅格结构表面而引起相消干涉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101682169B1
公开(公告)日：2016-12-12
申请号：KR1020160012356
申请日：2016-02-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은발광다이오드제조방법및 그를통해제조된발광다이오드에관한것으로서, 더욱상세하게는, 성장기판을마련하는단계; 상기성장기판상에희생 GaN 층을성장시키는단계; 상기희생 GaN 층상에적어도하나의반도체층, 및활성층을포함하는발광구조물을성장하는단계; 및상기희생 GaN 층을제거하여상기발광구조물과상기성장기판을분리하는단계;를포함하는발광다이오드제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 制造发光二极管的方法和由此制造的发光二极管技术领域本发明涉及一种制造发光二极管的方法和由此制造的发光二极管，并且更具体地涉及制造发光二极管的方法， 在生长衬底上生长牺牲GaN层; 在牺牲GaN层和包括有源层的发光结构上生长至少一个半导体层; 并去除牺牲GaN层以分离发光结构和生长衬底。
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公开(公告)号：KR101377397B1
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：KR1020127010505
申请日：2009-10-16
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G02B5/1861
Abstract: Ⅲ족질화물표면격자반사체가개시된다. 일실시예로서, 기판및 상기기판의일면위에배치되며 1차원회절격자패턴의구조가표면에형성된Ⅲ족질화물층을포함하되, 상기격자패턴구조는마루부분과골 부분이주기적으로배치된요철형상의단면을가지며, 상기Ⅲ족질화물내부로부터입사한입사광중 상기마루부분을투과하는제 1 광과상기골 부분을투과하는제 2 광이서로상쇄간섭을일으킴으로써상기입사광이상기격자패턴구조의표면에서반사되는Ⅲ족질화물표면격자반사체가개시된다.
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公开(公告)号：KR1020150079253A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130169338
申请日：2013-12-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/06 , H01L2933/0008
Abstract: 본발명은발광다이오드제조방법및 그를통해제조된발광다이오드에관한것으로서, 더욱상세하게는, 성장기판을마련하는단계; 상기성장기판상에희생 GaN 층을성장시키는단계; 상기희생 GaN 층상에적어도하나의반도체층, 및활성층을포함하는발광구조물을성장하는단계; 및상기희생 GaN 층을제거하여상기발광구조물과상기성장기판을분리하는단계;를포함하는발광다이오드제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过其制造的发光二极管制造方法和发光二极管。 更具体地说，该方法包括：制备生长衬底的步骤; 在生长衬底上生长牺牲GaN层的步骤; 在牺牲GaN层上生长包括至少一个半导体层和有源层的发光结构的步骤; 以及通过去除牺牲GaN层来分离生长衬底与发光结构的步骤。 在生长衬底和发光结构之间形成牺牲层，因此通过除去牺牲层来分离生长衬底和发光结构。
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公开(公告)号：KR101527396B1
公开(公告)日：2015-06-09
申请号：KR1020140070028
申请日：2014-06-10
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은대면적에효율적으로나노스케일의패턴을형성할수 있는레이저홀로그래픽리소그래피장치및 이를이용한점진적으로크기가변화하는나노패턴의제조방법을위하여, 레이저광원, 상기레이저광원으로부터조사된레이저빔의노이즈를제거하고동시에빔 사이즈를확장시키는공간필터, 상기공간필터로부터확장된레이저빔이조사될수 있으며, 웨이퍼홀더및 반사거울이부가된, 웨이퍼스테이지및 상기웨이퍼홀더상에위치하며, 상기공간필터로부터바로입사되는제 1 평행광및 상기반사거울에의하여입사하는제 2 평행광이입사될수 있는, 가변밀도필터를포함하는, 레이저홀로그래픽리소그래피장치를제공한다.
Abstract translation: 对于激光全息光刻设备和使用其的尺寸梯度纳米图案的制造方法，激光全息光刻设备包括激光束源，空间滤光器，其消除从激光束源发射的激光束的噪声并且扩展 光束尺寸同时可以从空间滤光片发射扩展的激光束并且具有晶片保持器和后反射镜的晶片台和位于晶片保持器上的可变浓度滤光器，并且透射发射的第一平行射线 从空间滤光器和从后视镜发射的第二平行光线。
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公开(公告)号：KR101061803B1
公开(公告)日：2011-09-05
申请号：KR1020100006793
申请日：2010-01-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L33/10
Abstract: Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체가 개시된다. 일 실시 예로서, Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체는 기판 및 상기 기판 위에 완충층이 배치되고 상기 완충층 위에 에어갭(air gap)을 포함하는 Ⅲ족 질화물로 된 제 1 층이 배치되고, 상기 제 1 층 위에 격자와 공기홀이 주기적으로 배열되는 평행한 창살형 박막 격자 구조를 포함하는 Ⅲ족 질화물로 된 제 2 층을 포함하여 외부에서 상기 격자 구조에 수직으로 입사하는 입사광 중 상기 격자를 통과하는 제 1 광과 상기 공기홀을 통과하는 제 2 광이 서로 상쇄간섭을 일으킴으로써 상기 입사광이 상기 격자 구조 표면에서 반사된다.
Abstract translation: 公开了一种III族氮化物薄膜晶格反射器。 在一个实施例中，Ⅲ族氮化物薄膜格栅反射器是包含设置在衬底和衬底和所述缓冲层上方的空气间隙（气隙）上的缓冲层被设置在一Ⅲ族氮化物的第一层，所述第一层 从外面看，包括光栅和第二层的空气孔，以ⅲ族氮化物，其包括平行炉排型薄膜格子，其被周期性地布置在穿过入射光的网格垂直入射在晶格结构中的第一光， 和已经通过空气孔通过了第二光从反射的入射光，所述通过使彼此相消干涉光栅的表面结构。
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