Abstract:
여기원에 의해 여기되어 상기 여기원의 펌프 광자보다 장파장의 발광을 할 수 있는 형광체를 내부에 포함하고 있는 나노구체들이 3차원적으로 밀집하여 배열된 결정구조를 갖는 광자결정 구조체를 포함하되, 상기 결정구조는 적어도 특정 결정 방향에 대해 광밴드갭을 가지고 상기 펌프 광자의 파장이 상기 광밴드갭에 속하는 발광소자가 개시된다.
Abstract:
본 발명은, 서로 다른 제1 파장의 광 및 제2 파장의 광을 방출하는 광원과, 상기 광원으로부터 입사된 광을 반사시키며 2차원 배열된 마이크로 미러들을 포함하는 동적 마스크와, 상기 동적 마스크로부터 반사된 광이 결상되며, 상기 제1 파장의 광에 대하여는 광화학 반응을 일으키지 않고 상기 제2 파장의 광에 대하여는 광화학 반응을 일으키는 감광액이 도포된 기판과, 상기 기판이 장착되며 상하 이동 가능한 스테이지와, 상기 기판 상의 감광액 면에 결상된 이미지를 표시하는 촬상부를 포함하고, 상기 제1 파장의 광이 상기 감광액 면에 결상된 이미지는, 상기 스테이지를 상하 이동하면서 상기 동적 마스크로부터 상기 기판까지의 경로를 포함하는 광학계의 초점을 맞추기 위해 이용되고, 상기 제2 파장의 광은, 상기 동적 마스크에 반사되어 상기 감광액 면에 노광됨으로써 포토리소그래피를 수행하는 데 이용되는, 포토리소그래피를 수행하기 위한 광학시스템을 제공한다.
Abstract:
Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체가 개시된다. 일 실시예로서, 기판 및 상기 기판의 일면 위에 배치되며 1차원 회절 격자 패턴의 구조가 표면에 형성된 Ⅲ족 질화물 층을 포함하되, 상기 격자 패턴 구조는 마루 부분과 골 부분이 주기적으로 배치된 요철 형상의 단면을 가지며, 상기 Ⅲ족 질화물 내부로부터 입사한 입사광 중 상기 마루 부분을 투과하는 제 1 광과 상기 골 부분을 투과하는 제 2 광이 서로 상쇄간섭을 일으킴으로써 상기 입사광이 상기 격자 패턴 구조의 표면에서 반사되는 Ⅲ족 질화물 표면 격자 반사체가 개시된다.
Abstract:
본 발명의 일 실시예는, n형의 제1 기판의 제1 면 상에 형성된 n형 클래드층;상기 n형 클래드층 상에 형성되며 활성층을 포함하는 가이드층; 상기 가이드층 상에 형성된 p형 클래드층; 상기 p형 클래드층 상에 형성된 p형 컨택트층; 상기 p형 컨택트층 상에 형성된 p형 전극층; 및 상기 n형의 제1 기판의 상기 제1 면 또는 상기 제1 면에 대향되는 제2 면의 적어도 일부에 접촉하는 n형 전극층;을 포함하고, 상기 p형 컨택트층, 상기 p형 클래드층, 상기 활성층을 포함하는 가이드층 및 상기 n형 클래드층에는 상기 p형 컨택트층, 상기 p형 클래드층, 상기 활성층을 포함하는 가이드층 및 상기 n형 클래드층을 관통하는 구멍들이 형성되며, 상기 구멍들은 광자결정 패턴을 형성하는, 광자결정 반도체 레이저 소자를 제공한다.
Abstract:
본 발명은, 서로 다른 굴절률을 갖는 제1 유전체 층과 제2 유전체 층이 교번하여 적층된 상부층과, 상기 제1 유전체 층과 상기 제2 유전체 층이 교번하여 적층된 하부층과, 상기 상부층과 상기 하부층 사이에 형성된 공동(cavity)을 포함하는 공진 공동 구조체를 제공한다. 상기 공동은, 제1 파장을 갖는 광을 흡수하여 상기 제1 파장과 다른 제2 파장을 갖는 광을 방출하는 파장 변환 물질을 포함하며, 상기 공진 공동 구조체는 상기 제1 파장에서 상기 공동에 공진이 일어나도록 설계되며, 상기 하부층의 하부에서 상기 제1 파장의 여기광이 입사하도록 마련된다.
Abstract:
A polarized LED is provided to reduce largely a manufacturing cost by eliminating a polarizing plate in an LCD display device. A nitride thin film layer(20) is formed on a substrate(10). A quantum well layer(30) is formed on the nitride thin film layer. A first grating layer(40) is formed on the quantum well layer. The first grating layer is formed to pass partially the light of the quantum well layer and to reflect partially the light of the quantum well layer. A second grating layer(50) is formed on an upper part of the substrate so that the light reflected from the first grating layer. The first and second grating layers have different grating pattern directions.
Abstract:
본발명은발광다이오드제조방법및 그를통해제조된발광다이오드에관한것으로서, 더욱상세하게는, 성장기판을마련하는단계; 상기성장기판상에희생 GaN 층을성장시키는단계; 상기희생 GaN 층상에적어도하나의반도체층, 및활성층을포함하는발광구조물을성장하는단계; 및상기희생 GaN 층을제거하여상기발광구조물과상기성장기판을분리하는단계;를포함하는발광다이오드제조방법에관한것이다.
Abstract:
PURPOSE: An III-nitride surface grating reflector is provided to increase a wavelength band of incident light showing high reflectivity of more than about 0.8 as well as produce excellent reflectivity from TE polarized light. CONSTITUTION: An III-nitride surface grating reflector is arranged on a substrate and one side of the substrate and includes an III nitride layer. The III family nitride layer forms one dimensional diffraction grating pattern on the surface. A grid pattern has a cross section of an uneven shape in which a valley portion and a floor portion are periodically arranged. First light and second light causes destructive interference and incident light is reflected from the surface of the grating pattern structure. The first light transmits the floor portion of the incident light entering from the inside III family nitride. The second light transmits the valley portion.