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公开(公告)号：KR100748355B1
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：KR1020050133290
申请日：2005-12-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른, 재료 합성 및 연속 도핑을 수행하기 위한 이중영역 열 화학 기상 증착 장치는 기판 상에 원하는 재료층을 합성하기 위한 제 1 반응로; 도핑 공정을 수행하기 위한 제 2 반응로; 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로를 서로로부터 폐쇄 또는 개방시키기 위한 게이트 밸브를 포함하며 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로를 연결시키는 연결부; 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로 중 적어도 하나에 반응 가스를 공급하기 위한 반응 가스 공급부; 및 상기 제 2 반응로에 도핑 가스를 공급하기 위한 도핑 가스 공급부; 상기 제 1 반응로 내의 온도를 상승시키기 위한 제 1 가열 수단 및 상기 제 1 반응로 내의 온도를 제어하기 위한 제 1 온도 제어부; 및 상기 제 1 반응로 내의 온도를 상승시키기 위한 제 1 가열 수단 및 상기 제 1 반응로 내의 온도를 제어하기 위한 제 1 온도 제어부를 포함하며, 상기 게이트 밸브는, 상기 제 1 반응로에서의 재료 합성 및 상기 제 2 반응로에서의 도핑 중에는 상기 제 1 반응로와 상기 제 2 반응로를 서로 폐쇄시키며 상기 기판을 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로 사이에서 이동시키는 경우에는 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로를 서로 개방시킨다.
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公开(公告)号：KR1020070070591A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020050133290
申请日：2005-12-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: A dual zone thermal chemical vapor deposition apparatus capable of doping the synthesized nano-materials without exposing the nano-materials to the air after synthesizing nano-materials, and a method for thermal chemical vapor deposition of wanted materials, particularly nano-materials, and in situ doping of the synthesized nano-materials without exposing the nano-materials to the outside by using the apparatus are provided. A dual zone thermal chemical vapor deposition apparatus(1) for performing synthesis and in situ doping of materials comprises: a first reactor(2) for synthesizing a material layer on a substrate; a second reactor(3) for conducting a doping process; a connecting part(4) which includes a gate valve(5) for opening or closing the first and second reactors and connects the first and second reactors; a reaction gas supply part(7) for supplying a reaction gas into at least one of the first and second reactors; a doping gas supply part(8) for supplying a doping gas into the second reactor; a first heating means(10), and a first temperature control part(9); and a second heating means(12), and a second temperature control part(11), wherein the gate valve is closed during a material synthesizing process in the first reactor and a doping process in the second reactor such that the first and second reactors are cut off from each other, and the gate valve is opened such that the first and second reactors are connected to each other when the substrate is moved between the first and second reactors.
Abstract translation: 一种双区热化学气相沉积装置，其能够在合成纳米材料之后掺杂合成的纳米材料而不将纳米材料暴露于空气，以及用于所需材料，特别是纳米材料的热化学气相沉积的方法，以及 提供了通过使用该装置不将纳米材料暴露于外部的合成纳米材料的原位掺杂。 一种用于进行材料合成和原位掺杂的双区热化学气相沉积装置（1）包括：用于在衬底上合成材料层的第一反应器（2） 用于进行掺杂过程的第二反应器（3）; 连接部分（4），其包括用于打开或关闭第一和第二反应器并连接第一和第二反应器的闸阀（5） 用于将反应气体供应到第一和第二反应器中的至少一个的反应气体供应部分（7） 用于向第二反应器供应掺杂气体的掺杂气体供应部分（8）; 第一加热装置（10）和第一温度控制部分（9）; 和第二加热装置（12）和第二温度控制部分（11），其中在第一反应器中的材料合成过程期间关闭闸阀，并且在第二反应器中进行掺杂过程，使得第一和第二反应器 彼此切断，并且打开闸阀，使得当基板在第一和第二反应器之间移动时，第一和第二反应器彼此连接。
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公开(公告)号：KR1020130064484A
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：KR1020110131118
申请日：2011-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B19/004 , B01J23/52 , C01P2004/16
Abstract: PURPOSE: A TeO2 nanowire forming method is provided to control the diameter and speed of growth to gain regular TeO2 nanowire with a small diameter. CONSTITUTION: A TeO2 nanowire forming method comprises the following steps. In a chamber(100) for growth, gold(Au) coated plate(110) and a tellurium(Te) source are arranged but they are not connected. The inside of the chamber is heated at a temperature over 330°C and below 400°C to grow TeO2 nanowire(150) on the plate. The distance from the plate to the tellurium is 1-10mm. The tellurium source is powder type and is prepared on a plate(120).
Abstract translation: 目的：提供TeO2纳米线形成方法来控制生长的直径和速度，以获得具有小直径的规则TeO 2纳米线。 构成：TeO2纳米线形成方法包括以下步骤。 在用于生长的室（100）中，布置金（Au）涂覆板（110）和碲（Te）源，但是它们不连接。 将室内加热至330℃以上且低于400℃，以在板上生长TeO 2纳米线（150）。 从板到碲的距离为1-10mm。 碲源是粉末类型，并在板（120）上制备。
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公开(公告)号：KR100878980B1
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：KR1020050136330
申请日：2005-12-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Inventor： 강대준
Abstract: 본 발명은 신규한 FRET (fluorescence resonance energy transfer) 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 FRET 시스템은 공여체로서 QD (quantum dot) 및 수용체로서 염료-표지된 DNA로 구성되어 있다. 본 발명의 공여체와 수용체는 티올 링커로 직접 커플링되어 있다. 이러한 직접적인 커플링은 공여체-수용체 거리를 감소시킴으로써 고도로 향상된 FRET 효율을 유도하게 된다. 본 발명에 따르면, 2의 낮은 수용체-대-공여체 비에서 고도로 효율적인 FRET (~88%)이 단일-분자 수준에서 달성되었다.
FRET, QD, DNA, 컨쥬게이트-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160004643A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020140083235
申请日：2014-07-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C01G9/03
Abstract: 징크옥사이드마이크로와이어의제조방법이개시된다. 개시된제조방법은챔버내에기판, 비소포함고체촉매, 및 ZnO 소스를배치하는단계와, 상기챔버의일측으로부터캐리어개스를상기챔버로공급하면서상기고체촉매를기화시켜서상기기판상으로상기비소를포함하는산화물로이루어진중간층을형성하는단계와, 상기중간층의비소를상기 ZnO 소스의 Zn으로치환하여상기기판상에 ZnO 시드층을형성하는단계와상기시드층으로부터징크옥사이드마이크로와이어를성장시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种氧化锌微丝的制造方法。 所公开的制造方法包括：在室内放置基板，含有砷的固体催化剂和ZnO源的工序; 通过在将所述载体气体从所述室的一侧供应到所述室的同时使所述固体催化剂气化，同时在所述基板上形成包括含有所述砷的氧化物的中间层的步骤; 通过用ZnO源的Zn代替中间层的砷，在衬底上形成ZnO种子层的步骤; 以及从种子层生长氧化锌微丝的步骤。
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公开(公告)号：KR1020150111214A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：KR1020140034886
申请日：2014-03-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C23C14/0042 , C23C14/083 , C23C14/34 , H01L21/203
Abstract: 본발명은 VO박막의합성과정에서주입되는산소를제어하여특수한조건에서만관찰이되는불안정한절연체상인 M상을상온에서존재하도록안정화하는방법에관한것으로 RF 스퍼터링방법을이용해박막을합성하고, VO물질과격자어긋남이사파이어보다큰 GaN 기판을사용한다. 상기제어기술에의하면, 매우간단한산소제어를통해불안정한절연체상인 M상이 GaN 기판위에합성된 VO박막에상온에서매우안정된상태로존재, 유지될수 있어서, 금속-절연체상전이현상메커니즘연구및 기술개발의미개척분야인절연체상 M2 상에대한연구에적용할수 있는물질을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过控制在形成VO_2薄膜的过程中注入的氧而使在室温下存在的在特定条件下观察到的不稳定绝缘子的M_2相稳定化的方法。 使用RF溅射法形成薄膜，并且使用与VO_2物质的晶格失配大于蓝宝石的GaN衬底。 根据控制技术，通过非常简单的氧气控制，在非常稳定的条件下，在GaN衬底上形成作为不稳定绝缘体的M_2相的VO_2薄膜稳定地存在，使得适用于研究的物质 在金属 - 绝缘体相变机理研究和技术开发的非开发领域的M_2相可以提供。
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公开(公告)号：KR101463114B1
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：KR1020080014018
申请日：2008-02-15
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Inventor： 강대준
CPC classification number: H01B1/08 , H01M4/0404 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/366 , H01M4/483 , H01M4/485
Abstract: 본 발명은 티타늄계 산화물 코어; 및 상기 코어 표면의 적어도 일부에 형성된 티타늄 질산화물(Titanium oxynitride)을 포함하는 음극 활물질을 개시한다.
티타늄 질산화물(titanium oxynitride)-
公开(公告)号：KR1020140080204A
公开(公告)日：2014-06-30
申请号：KR1020120149751
申请日：2012-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C01G23/047 , B01J2/00 , B01J6/00
Abstract: The present invention provides a method for manufacturing doped mesoporous titanium dioxide (TiO_2) microsphere particles that can mass-produce mesoporous titanium dioxide (TiO_2) microsphere particles effectively doped with a metallic or non-metallic material. According to the manufacturing method, Ti precursor-based mesoporous microsphere particles, which have the size of the pores expanded, are impregnated with a solution containing a doping material precursor, so that the doping material precursor can be easily filled into the expanded pores of the Ti precursor-based mesoporous microsphere particles even if the molecular size of the doping material precursor such as zinc acetate is relatively large.
Abstract translation: 本发明提供了可以大量生产有效掺杂金属或非金属材料的介孔二氧化钛（TiO_2）微球颗粒的掺杂介孔二氧化钛（TiO_2）微球颗粒的制造方法。 根据制造方法，将具有膨胀孔的尺寸的Ti前体基介孔微球颗粒用含有掺杂材料前体的溶液浸渍，使得掺杂材料前体可以容易地填充到 即使掺杂材料前体如乙酸锌的分子尺寸相对较大，Ti前体基介孔微球颗粒也是如此。
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公开(公告)号：KR1020130056016A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：KR1020110121734
申请日：2011-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a sodium vanadate nanowire is provided to simply manufacture a sodium vanadate nanowire in high quality single crystal by controlling the spreading thickness of a precursor solution, heat treatment temperature, and/or time. CONSTITUTION: A manufacturing method of a sodium vanadate nanowire comprises: a step of spreading a solution(20) containing sodium and vanadium on a substrate(30); a step of forming a sodium vanadate crystal core by heat-treating the substrate; and a step of heat-treating the substrate to grow the sodium vanadate nanowire from the sodium vanadate core. The solution contains 1-6 mols of vanadium per 1 mol of sodium. The substrate is an electric conductive substrate or electric nonconductive substrate. The spreading thickness of the solution is 10-1,000nm. The first heat treatment is conducted at 70-130 deg. C and the second heat treatment is conducted at 300-600 deg. C.
Abstract translation: 目的：提供钒酸钠纳米线的制造方法，通过控制前体溶液的铺展厚度，热处理温度和/或时间简单地制造高品质单晶的钒酸钠纳米线。 构成：钒酸钠纳米线的制造方法包括：将含有钠和钒的溶液（20）撒在基材（30）上的步骤; 通过对基材进行热处理形成钒酸钠晶体核心的步骤; 以及对底物进行热处理以从钒酸钠核心生长钒酸钠纳米线的步骤。 该溶液每1mol钠含有1-6摩尔的钒。 衬底是导电衬底或电非导电衬底。 溶液的铺展厚度为10-1000nm。 第一次热处理在70-130度进行。 并且第二热处理在300-600度进行。 C。
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