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公开(公告)号：KR101364364B1
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：KR1020100017864
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 반도체 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 저온에서 반도체막의 증착이 이루어져, 결정질 및 비정질이 혼재된 반도체막을 형성할 수 있는 반도체 기판 및 이의 제조 방법을 제공한다.
따라서, 전기적 특성이 우수한 결정질 비정질이 혼재된 반도체막을 형성하는 것이 가능하다.-
公开(公告)号：KR101328800B1
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020110091469
申请日：2011-09-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 다중 주파수의 펄스 파워를 이용한 펄스 플라즈마의 특성 제어 방법이 개시된다. 플라즈마 발생 장치의 소스 전극부 및/또는 바이어스 전극부에 다중 주파수의 RF 펄스 파워를 인가하여 펄스 플라즈마를 형성하며, 인가되는 2 이상의 RF 파워의 펄싱 여부, 주기 및 듀티비(duty ratio)를 변화시켜 펄스의 주기 및 듀티비(duty ratio)를 조절함으로써 각 공정에 적합하도록 펄스 플라즈마의 특성을 제어할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101188506B1
公开(公告)日：2012-10-08
申请号：KR1020110018142
申请日：2011-02-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 식각 방법에 관한 것이다. 상기 식각 방법은 2 이상의 박막의 적층구조를 포함하는 피식각물의 식각 방법에 있어서, 플라즈마 식각을 이용하는 건식 식각 단계; 중성빔 식각을 이용하는 중성빔 식각 단계; 및 중성빔 원자층 식각을 이용하는 중성빔 원자층 식각 단계 중에서 선택되는 2 이상의 식각 단계의 조합에 의해 수행할 수 있다. 본 발명에 따르면, 피식각물에 전기적 및 물리적 손상을 최소화할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110098276A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100017816
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H05H1/36
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J27/024
Abstract: 반사체를 사용하지 않고 고주파 전압과 직류 바이어스 전압의 동기화를 통해 중성빔 효과를 얻을 수 있는 고주파 전압과 직류 바이어스 전압의 동기화 장치가 개시된다. 전원 공급부, 전압 조정부, 전압 변환부를 통해 4개 채널의 제1 그리드 전압 및 제2 그리드 전압을 생성하여 출력 구동부에 제공하고, 제어부가 RF의 온 및 오프 구간 각각에 따라 제어 펄스 신호를 출력 구동부에 제공하고, 출력 구동부는 상기 제어 펄스 신호에 상응하여 출력을 스위칭함으로써 RF의 온 구간에서는 하이 레벨의 제1 그리드 전압 및 로우 레벨의 제2 그리드 전압을 출력하고, RF의 오프 구간에서는 로우 레벨의 제1 그리드 전압 및 하이 레벨의 제2 그리드 전압을 출력한다. 따라서, RF가 온 상태인 구간에서는 양이온을 추출하고, RF가 오프 상태인 구간에서는 음이온을 추출하여 이온이 전기적으로 중성화되는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 상술한 중성화 효과를 통해 종래의 중성빔 장치에서 사용되었던 반사판을 제거할 수 있고 이로 인해 중성화 반응에서 반사판으로 인해 발생할 수 있는 오염 등을 사전에 방지할 수 있다.
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