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公开(公告)号：KR1020120034349A
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：KR1020100095834
申请日：2010-10-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 숭실대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0669 , H01L29/16 , H01L29/4908 , H01L51/0045
Abstract: PURPOSE: A flexible field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to manufacture low voltage operation graphene FET(Field Effect Transistor) array on a plastic substrate by using ionic gel for a gate insulator. CONSTITUTION: A semiconductor layer includes a carbon nano-structure which is arranged to form a channel region between a source electrode and a drain electrode. The carbon nano structure includes graphene. The graphene is formed on a metal catalytic layer by chemical vapor deposition. An ionic gel layer is formed between the semiconductor layer and the gate electrode including the carbon nano-structure. The ionic gel layer forms an insulator layer between the channel region and the gate electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种灵活的场效应晶体管及其制造方法，通过使用离子凝胶作为栅极绝缘体，在塑料基板上制造低压操作石墨烯FET（场效应晶体管）阵列。 构成：半导体层包括碳纳米结构，其被布置成在源极和漏极之间形成沟道区。 碳纳米结构包括石墨烯。 通过化学气相沉积在金属催化剂层上形成石墨烯。 在半导体层和包括碳纳米结构的栅电极之间形成离子凝胶层。 离子凝胶层在沟道区和栅电极之间形成绝缘体层。
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公开(公告)号：KR101088580B1
公开(公告)日：2011-12-05
申请号：KR1020090012443
申请日：2009-02-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 저밀도, 우수한 내부식성 및 내마모성, 우수한 휨 특성을 가지는 다중벽 탄소나노튜브에 구리를 코팅하여 제조된 구리 코팅 탄소나노튜브를 구리 파우더와 함께 볼 밀링기에 투입하여 구리 파우더 내부에 탄소나노튜브가 기계적 고용효과에 의하여 강하게 임플란트되는, 균질한 탄소나노튜브 강화 구리복합파우더를 제조하는 방법에 관한 것이다.
탄소나노튜브 강화 구리복합파우더 제조 방법은 구리로 코팅한 탄소나노튜브 및 구리파우더를 준비하는 단계; 및 상기 준비된 구리로 코팅한 탄소나노튜브 및 상기 구리파우더를 볼밀링하는 단계를 포함한다.
탄소나노튜브, 구리복합파우더, 구리 코팅, 볼밀링-
公开(公告)号：KR100962890B1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020070108626
申请日：2007-10-29
Applicant: 현대자동차주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 강화 구리 복합재료의 제조방법에 관한 것으로서, 저밀도, 우수한 내부식성 및 내마모성, 우수한 휨 특성을 가지는 단일벽 탄소나노튜브에 니켈을 코팅하여 제조한 니켈 코팅된 탄소나노튜브를 구리 분말과 함께 분산용액에 투입하여 초음파 처리한 뒤 건조 및 소결 과정을 거쳐 제조함으로써, 고강도/고전도성의 탄소나노튜브 강화 구리 복합재료를 제조할 수 있는 니켈 코팅된 탄소나노튜브를 이용한 강화 구리 복합재료의 제조방법에 관한 것이다.
탄소나노튜브, 단일벽, 구리, 복합재료, 니켈, 고강도, 고전도성, 초음파 분산-
公开(公告)号：KR101711391B1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020150040635
申请日：2015-03-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B31/04 , H01L29/786 , H01L29/66
Abstract: 그래핀의도핑방법에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090043020A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：KR1020070108626
申请日：2007-10-29
Applicant: 현대자동차주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/168 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B2202/02
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 강화 구리 복합재료의 제조방법에 관한 것으로서, 저밀도, 우수한 내부식성 및 내마모성, 우수한 휨 특성을 가지는 단일벽 탄소나노튜브에 니켈을 코팅하여 제조한 니켈 코팅된 탄소나노튜브를 구리 분말과 함께 분산용액에 투입하여 초음파 처리한 뒤 건조 및 소결 과정을 거쳐 제조함으로써, 고강도/고전도성의 탄소나노튜브 강화 구리 복합재료를 제조할 수 있는 니켈 코팅된 탄소나노튜브를 이용한 강화 구리 복합재료의 제조방법에 관한 것이다.
탄소나노튜브, 단일벽, 구리, 복합재료, 니켈, 고강도, 고전도성, 초음파 분산-
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公开(公告)号：KR102013299B1
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：KR1020170159961
申请日：2017-11-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C22F1/02 , C30B33/02 , C21D9/46 , C01B32/184
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公开(公告)号：KR101691993B1
公开(公告)日：2017-01-02
申请号：KR1020150113405
申请日：2015-08-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205 , H01L21/324 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 본발명은화학기상증착장치의반응챔버에관한것으로서, 본발명의일 실시예에따른화학기상증착장치의반응챔버는, 기재가로딩되는기재로딩부, 반응성가스를공급하기위한가스공급부, 반응성가스를배출하기위한가스배기부, 및반응챔버내의온도를조절하는온도조절장치를포함한다. 이때, 온도조절장치는반응챔버의일 측면에, 복수개의제 1 도선이소정의거리만큼이격되어서로나란하게배치되어형성된제 1 온도조절장치및 제 1 온도조절장치와대향하도록배치되고, 복수개의제 2 도선이제 1 도선과교차하도록소정의거리만큼이격되어서로나란하게배치되어형성된제 2 온도조절장치를포함한다.
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