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公开(公告)号：KR1020090114653A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：KR1020080040401
申请日：2008-04-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nanostructure using liquid phase deposition technology and the nanostructure manufactured by the same are provided to reduce the size of polymer particles and to grow nanostructures selectively. CONSTITUTION: A method for manufacturing a nanostructure comprises the following steps of: preparing a substrate(31); forming a single layered nano-sized spherical materials on the substrate; partly etching the spherical materials; depositing the etched spherical materials on the substrate to form a metal layer(35); removing the spherical materials to expose the substrate to be partly seen, which is a nano hole; selectively forming a nano dot(37) on the nano hole through liquid phase deposition; and removing the metal layer.
Abstract translation: 目的：提供使用液相沉积技术制造纳米结构的方法和由其制造的纳米结构，以减小聚合物颗粒的尺寸并选择性地生长纳米结构。 构成：制造纳米结构的方法包括以下步骤：制备基底（31）; 在基板上形成单层纳米尺寸球形材料; 部分蚀刻球形材料; 将蚀刻的球形材料沉积在基底上以形成金属层（35）; 去除球形材料以露出待部分看到的衬底，其是纳米孔; 通过液相沉积在纳米孔上选择性地形成纳米点（37）; 并去除金属层。
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公开(公告)号：KR100813113B1
公开(公告)日：2008-03-17
申请号：KR1020070019062
申请日：2007-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82B3/0038 , B22F5/12 , B22F2304/054 , B82Y40/00
Abstract: Manufacturing methods of gold nano wire are provided to mass-produce gold nano wire in a simple process and to carry out accurate accumulation of semiconductor device efficiently by arranging nano wire in a line. A manufacturing method of gold nano wire comprises a step of painting a DNA solution comprising gold nano particle on a substrate. Optionally, the DNA solution is adhered to the substrate by liquid coating method or vacuum evaporation method. The prepared substrate is painted with a solution comprising gold nano particle and reducing agent. The adhered DNA on the substrate is optionally arranged in a line or in a cross stripe. An additional manufacturing method of gold nano wire comprises steps of: forming adhesion layer to improve adherence of a solution on a substrate by the liquid coating method or the vacuum evaporation method; preparing a primary admixture solution by mixing reducing agent and gold nano particle; and preparing a secondary admixture solution by mixing the primary admixture solution and DNA, followed by painting the secondary admixture solution on the substrate. The DNA in the secondary admixture solution is optionally arranged in a line or in a cross stripe on the substrate.
Abstract translation: 提供金纳米线的制造方法，以简单的方法批量生产金纳米线，并通过在线上排列纳米线，有效地进行半导体器件的精确积累。 金纳米线的制造方法包括在基材上涂覆包含金纳米颗粒的DNA溶液的步骤。 任选地，DNA溶液通过液体涂布法或真空蒸发法粘合到基底上。 将制备的基材涂上包含金纳米颗粒和还原剂的溶液。 衬底上粘附的DNA任选地排列成一行或十字条。 金纳米线的附加制造方法包括以下步骤：通过液体涂布法或真空蒸发法形成粘合层以改善溶液在基底上的粘附性; 通过还原剂和金纳米颗粒混合制备初级混合溶液; 并通过混合初级混合溶液和DNA制备二次混合溶液，然后将二次混合溶液涂布在基材上。 第二混合溶液中的DNA任选地在基底上排列成一条或一条交叉条纹。
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公开(公告)号：KR1020060116480A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：KR1020050038897
申请日：2005-05-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/76802 , B82Y40/00 , H01L21/0273 , H01L21/31127
Abstract: A nano hole forming method and a semiconductor device manufactured thereby are provided to improve the uniformity of nano holes by using a photoresist ashing process. A metal film(20) is formed on an object substrate(10). A photoresist layer is formed thereon. A plurality of hole structures for exposing the metal film to the outside are formed through the photoresist layer. An ashing process is performed on the remaining photoresist layer in order to increase the exposed area of the metal film. An insulating material is formed on the resultant structure. A plurality of nano holes(43) are formed on the resultant structure by removing the remaining photoresist layer therefrom.
Abstract translation: 提供纳米孔形成方法及其制造的半导体器件，以通过使用光致抗蚀剂灰化处理来提高纳米孔的均匀性。 金属膜（20）形成在物体基板（10）上。 在其上形成光致抗蚀剂层。 通过光致抗蚀剂层形成用于将金属膜暴露于外部的多个孔结构。 在剩余的光致抗蚀剂层上进行灰化处理以增加金属膜的暴露面积。 在所得结构上形成绝缘材料。 通过从其中除去剩余的光致抗蚀剂层，在所得结构上形成多个纳米孔（43）。
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公开(公告)号：KR101751734B1
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：KR1020150179376
申请日：2015-12-15
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 발광다이오드용발광층, 상기발광다이오드용발광층의제조방법, 및상기발광층을포함하는발광다이오드에관한것이다.
Abstract translation: 一种用于发光二极管的发光层，一种用于制造用于发光二极管的发光层的方法以及一种包括该发光层的发光二极管。
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Patent Agency Ranking
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17.发明授权
公开(公告)号：KR101039630B1
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：KR1020090013339
申请日：2009-02-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82B3/0052 , B81C1/00031 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 선택적인 나노선을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법은, 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후 패턴의 선폭을 나노단위로 제어하여 나노단위 포토레지스트 층을 형성하는 제1단계; 나노단위 포토레지스트 층이 형성된 기판 상의 패턴 미형성 영역에 나노물질 흡착방지용 보호층을 형성하는 제2단계; 기판 상에 형성된 포토레지스트 층을 제거하는 제3단계; 포토레지스트 층이 제거된 영역에 양 또는 음으로 대전된 흡착층을 형성하는 제4단계; 및 흡착층이 형성된 기판에 흡착층과는 반대 전하로 대전된 나노물질 포함 용액을 적용하는 제5단계; 를 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따르면, 정전기적 인력을 이용함으로써 손쉽게 나노구조체를 선택적으로 정렬 및 위치시킬 수 있는 효과 및 새로운 나노구조체를 형성할 수 있는 효과가 있으며, 또한 본 발명에 의해 형성된 나노구조체 또는 복합나노구조체는 나노-분자소자에 적용할 수 있는 효과가 있다.
나노선, 나노패턴, 선택적 나노구조체 형성, 나노구조체-
公开(公告)号：KR100987331B1
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：KR1020080040401
申请日：2008-04-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 액상 증착 기술을 이용한 나노구조체의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노구조체에 관한 것으로, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 나노미터 크기의 구형물질을 단층으로 형성하는 단계, 상기 구형물질을 부분적으로 식각하는 단계, 상기 식각된 구형물질을 마스크로 상기 기판 상에 금속층을 증착하는 단계, 상기 구형물질을 제거하여 상기 기판을 부분적으로 노출하는 나노 홀을 형성하는 단계, 상기 나노 홀 상에 저온 LPD(Liquid Phase Deposition)로 선택적으로 나노 점을 형성하는 단계 및 상기 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 구성을 마련한다.
상기와 같은 액상 증착 기술을 이용한 나노구조체의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노구조체를 이용하는 것에 의해, 나노미터 규격의 폴리머 입자를 원래의 크기보다 줄어들도록 식각하고, 액상 증착 기술을 이용하여 나노 점을 선택적으로 균일하게 성장시킬 수 있다.
나노 홀, 나노 점, LPD, 폴리스티렌-
公开(公告)号：KR100663892B1
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050038897
申请日：2005-05-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은, 실리콘 등으로 구성될 수 있는 피처리기판 상에 금속층 또는 절연층을 증착하는 공정과, PR층을 증착한 후, 다수의 홀 형상에 따라 패턴을 형성하여, 잔류 PR층과 함께 상기 금속층 또는 절연층이 노출되게 하는 공정, 애싱 공정을 통해 잔류 PR의 폭을 감소시켜, 상기 금속층 또는 절연층의 노출 면적을 증가시키는 공정, 상기 노출된 금속층 또는 절연층 위를 절연성 또는 도전성재료로 증착(또는 충진)하는 공정 및, 상기 잔류 PR을 제거하여 나노 홀을 형성하는 공정을 구비하여 이루어지는 나노 홀 형성방법 및 이 나노 홀 형성방법을 통해 제조된 반도체장치를 제공한다.
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