Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing patterned cell culture substrate is provided to selectively culture cells at a certain region. CONSTITUTION: A method for manufacturing patterned cell culture substrate comprises: a step of preparing the substrate; a step of integrating a first precursor material on the substrate using a plasma to form a first plasma polymer layer; a step of placing a shadow mask having a certain pattern on the first plasma polymer layer; and a step of integrating the second precursor material using the plasma to form a second plasma polymer layer. A method for culturing cells comprises: a step of preparing the patterned cell culture substrate; and a step of culturing the cells on the substrate.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing SiO2 dielectric layers using low temperature liquid phase deposition technology are provided to improve the degree of integration by using the conformal insulating layer. CONSTITUTION: The circuit region(33) is formed in the fixed region on the semiconductor substrate(31). The photoresist is evaporated in the front side of the semiconductor board which has the circuit region. The photoresist pattern which exposes the circuit region by performing the exposure development process on a photoresist is formed. The first insulating layer(37) is formed by the low temperature LPD(Liquid Phase Deposition) on the exposed circuit region. The photoresist pattern is removed. The metal wiring(39) electrically connected to the semiconductor substrate to the circuit region is formed.
Abstract:
본 발명은 (1) 기판을 준비하는 단계; (2) 플라즈마를 이용하여 상기 기판 상에 제1 전구체 물질을 집적시켜 제1 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계; (3) 상기 제1 플라즈마 중합체층 상에 일정한 형태의 패턴을 가지는 새도우 마스크를 올려놓는 단계; 및 (4) 플라즈마를 이용하여 제2 전구체 물질을 집적시켜 패턴화된 제2 플라즈마 중합체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 패턴화된 세포 배양용 기판의 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 액상 증착 기술을 이용한 나노구조체의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노구조체에 관한 것으로, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 나노미터 크기의 구형물질을 단층으로 형성하는 단계, 상기 구형물질을 부분적으로 식각하는 단계, 상기 식각된 구형물질을 마스크로 상기 기판 상에 금속층을 증착하는 단계, 상기 구형물질을 제거하여 상기 기판을 부분적으로 노출하는 나노 홀을 형성하는 단계, 상기 나노 홀 상에 저온 LPD(Liquid Phase Deposition)로 선택적으로 나노 점을 형성하는 단계 및 상기 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 구성을 마련한다. 상기와 같은 액상 증착 기술을 이용한 나노구조체의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노구조체를 이용하는 것에 의해, 나노미터 규격의 폴리머 입자를 원래의 크기보다 줄어들도록 식각하고, 액상 증착 기술을 이용하여 나노 점을 선택적으로 균일하게 성장시킬 수 있다. 나노 홀, 나노 점, LPD, 폴리스티렌
Abstract:
본 발명은, 실리콘 등으로 구성될 수 있는 피처리기판 상에 금속층 또는 절연층을 증착하는 공정과, PR층을 증착한 후, 다수의 홀 형상에 따라 패턴을 형성하여, 잔류 PR층과 함께 상기 금속층 또는 절연층이 노출되게 하는 공정, 애싱 공정을 통해 잔류 PR의 폭을 감소시켜, 상기 금속층 또는 절연층의 노출 면적을 증가시키는 공정, 상기 노출된 금속층 또는 절연층 위를 절연성 또는 도전성재료로 증착(또는 충진)하는 공정 및, 상기 잔류 PR을 제거하여 나노 홀을 형성하는 공정을 구비하여 이루어지는 나노 홀 형성방법 및 이 나노 홀 형성방법을 통해 제조된 반도체장치를 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: A formation method of a nano device is provided to perform an ion implantation process and an etching process in a nano scale while not applying an exposure process. CONSTITUTION: A formation method of a nano device comprises the steps of: forming a nanoscale self-assembly material layer(23) on a substrate(21) which has at least one layer; forming a mask layer(25) on the self-assembly material layer; performing a surface treatment process on the substrate; and removing the self-assembly material layer. The surface treatment process is an etching process or ion injection process.
Abstract:
PURPOSE: A nano device forming method is provided to pattern a substrate in a nano scale without using a light source, to improve the degree of integration of the device while reducing the fabrication cost, and to improve the yield of the device production. CONSTITUTION: A nano device forming method comprises the following steps: forming a self-assembly material layer(23) in a nano scale on a substrate(21) formed with more than one layer; forming a mask layer(25) on the self-assembly material layer; performing a surface processing on the substrate using the mask layer as a mask; and removing the self-assembly material layer. The surface processing is either an etching or an ion inserting. The mask layer contains a substance selected from the group consisting of gold, silver, silicon, silicon oxide, silicon nitride, iron, cadmium selenide, carbon nano tube, bucky ball and grapheme.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a nanostructure using liquid phase deposition technology and the nanostructure manufactured by the same are provided to reduce the size of polymer particles and to grow nanostructures selectively. CONSTITUTION: A method for manufacturing a nanostructure comprises the following steps of: preparing a substrate(31); forming a single layered nano-sized spherical materials on the substrate; partly etching the spherical materials; depositing the etched spherical materials on the substrate to form a metal layer(35); removing the spherical materials to expose the substrate to be partly seen, which is a nano hole; selectively forming a nano dot(37) on the nano hole through liquid phase deposition; and removing the metal layer.
Abstract:
A nano hole forming method and a semiconductor device manufactured thereby are provided to improve the uniformity of nano holes by using a photoresist ashing process. A metal film(20) is formed on an object substrate(10). A photoresist layer is formed thereon. A plurality of hole structures for exposing the metal film to the outside are formed through the photoresist layer. An ashing process is performed on the remaining photoresist layer in order to increase the exposed area of the metal film. An insulating material is formed on the resultant structure. A plurality of nano holes(43) are formed on the resultant structure by removing the remaining photoresist layer therefrom.
Abstract:
본 발명은 나노 소자의 형성방법에 관한 것으로, 적어도 하나의 층으로 된 기판 상에 나노 스케일의 자기조립 물질층을 형성하는 단계, 상기 자기조립 물질층 상에 마스크층을 형성하는 단계, 상기 마스크층을 마스크로 하여 상기 기판 상에 표면처리 공정을 수행하는 단계 및 상기 자기조립 물질층을 제거하는 단계를 포함하는 구성을 마련한다. 상기와 같은 나노 소자의 형성방법에 의해, 광원을 이용하지 않고 나노 스케일로 기판을 패터닝하고, 이온주입 공정 및 식각 공정을 수행하여 나노 소자를 제조할 수 있다.