公开(公告)号：KR101863084B1

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：KR1020180038625

申请日：2018-04-03

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이창구 ,  이진환 ,  정재혁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/268

Abstract: 레이저를이용한금속칼코게나이드박막의제조방법, 상기방법에의하여제조되는금속칼코게나이드박막, 및상기금속칼코게나이드박막을포함하는소자에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020180038430A

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：KR1020180038625

申请日：2018-04-03

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이창구 ,  이진환 ,  정재혁

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02568 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/268

Abstract: 레이저를이용한금속칼코게나이드박막의제조방법, 상기방법에의하여제조되는금속칼코게나이드박막, 및상기금속칼코게나이드박막을포함하는소자에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020160093375A

公开(公告)日：2016-08-08

申请号：KR1020150014289

申请日：2015-01-29

Applicant: 엘지전자 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 최민석 ,  이창구 ,  김영찬

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0264

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L31/0264 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은이종원소박막의제작에관한것으로특히, 유연기판상에제조가능한금속칼코게나이드박막의제조방법에관한것이다. 이러한본 발명은, 금속칼코게나이드박막의제조방법에있어서, 포일형태의금속기판상에확산방지막을형성하는단계; 및상기확산방지막상에전이금속전구체및 칼코겐함유기체를공급하여금속칼코게나이드박막을형성하는단계를포함하여구성될수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及异质元素薄膜的制造，更具体地说，涉及可在柔性基板上生产的金属硫族化物薄膜的制造方法。 根据制造金属硫族化物薄膜的方法，本发明包括以下步骤：在箔形式的金属基底上形成防扩散膜; 并通过提供过渡金属前体和含硫属原子气体形成金属硫族化物薄膜。

公开(公告)号：KR101465211B1

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：KR1020140017815

申请日：2014-02-17

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이창구 ,  이진환 ,  박훈영

IPC: H01L21/283

Abstract: 본원은, 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법, 상기 방법에 의하여 제조되는 도핑된 금속 칼코게나이드 박막, 상기 도핑된 금속 칼코게나이드 박막을 포함하는 소자, 상기 도핑된 금속 칼코게나이드 박막 적층체, 및 도핑된 금속 칼코게나이드 박막의 전사 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造掺杂的金属 - 硫族化物薄膜的方法，通过该方法制造的掺杂金属 - 硫族化物薄膜，具有掺杂的金属 - 硫族化物薄膜的器件，掺杂的金属 - 硫族化物薄膜层压体，以及 一种转移掺杂的金属 - 硫族化物薄膜的方法。

公开(公告)号：KR101880285B1

公开(公告)日：2018-07-19

申请号：KR1020160012710

申请日：2016-02-02

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이창구 ,  김진선 ,  권상혁 ,  조대현 ,  강병길

IPC: C09D11/326 ,  C09D11/30 ,  B01F11/02 ,  B02C19/18

Abstract: 2 차원물질분산액의제조방법, 및상기 2 차원물질분산액을포함하는잉크에관한것이다.

公开(公告)号：KR101787826B1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：KR1020150110565

申请日：2015-08-05

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김태성 ,  진홍이 ,  공타오 ,  이창구 ,  김은화 ,  조유진

IPC: C09K11/65 ,  C01B31/04 ,  H05B33/14 ,  H01L33/50

Abstract: 본발명은그래핀양자점생성방법에관한것으로서, 본발명에따른그래핀양자점생성방법은그래핀옥사이드를수열처리(hydrothermal teatment)하여생성된그래핀하이드로겔(graphene hydrogel)을유기용매에넣어그래핀양자점(graphene quantum dots)을생성할수 있어서, 원심분리, 여과및 투석등과같은긴 시간이걸리는후처리공정없이그래핀양자점을생성시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020170091886A

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：KR1020160012710

申请日：2016-02-02

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이창구 ,  김진선 ,  권상혁 ,  조대현 ,  강병길

IPC: C09D11/326 ,  C09D11/30 ,  B01F11/02 ,  B02C19/18

Abstract: 2 차원물질분산액의제조방법, 및상기 2 차원물질분산액을포함하는잉크에관한것이다.

Abstract translation: 一种制造二维材料分散体的方法和一种包含二维材料分散体的油墨。

公开(公告)号：KR1020170018129A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：KR1020150110565

申请日：2015-08-05

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김태성 ,  진홍이 ,  공타오 ,  이창구 ,  김은화 ,  조유진

IPC: C09K11/65 ,  C01B31/04 ,  H05B33/14 ,  H01L33/50

Abstract: 본발명은그래핀양자점생성방법에관한것으로서, 본발명에따른그래핀양자점생성방법은그래핀옥사이드를수열처리(hydrothermal teatment)하여생성된그래핀하이드로겔(graphene hydrogel)을유기용매에넣어그래핀양자점(graphene quantum dots)을생성할수 있어서, 원심분리, 여과및 투석등과같은긴 시간이걸리는후처리공정없이그래핀양자점을생성시킬수 있다.

公开(公告)号：KR1020140072789A

公开(公告)日：2014-06-13

申请号：KR1020130102024

申请日：2013-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이선희 ,  이창구 ,  김억수

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/18 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/18 ,  H01L29/26 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78681

Abstract: Disclosed are a field effect transistor having a transition metal dichalcogenide channel and a manufacturing method thereof. The disclosed field effect transistor comprises a gate electrode; a gate insulating layer covering the gate electrode; a source electrode and a drain electrode spaced apart on the gate insulating layer; and a transition metal dichalcogenide channel with both ends in contact with the source electrode and the drain electrode. A concave part is formed on the gate insulating layer to separate the channel from the gate insulating layer by being formed below the channel.

Abstract translation: 公开了具有过渡金属二硫属元素化物通道的场效应晶体管及其制造方法。 所公开的场效应晶体管包括栅电极; 覆盖栅电极的栅极绝缘层; 在栅极绝缘层上分隔的源电极和漏电极; 和二端与源电极和漏极接触的过渡金属二硫族元素通道。 在栅极绝缘层上形成凹部，通过形成在沟道的下方将沟道与栅极绝缘层分离。

公开(公告)号：KR20180028137A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：KR20160115405

申请日：2016-09-08

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  서강대학교산학협력단

Inventor： 이창구 ,  판홍단 ,  김영찬 ,  이진환

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01B5/14 ,  H01B13/0016 ,  H01B13/0026 ,  H01L51/0097

Abstract: 본발명은유연기판상으로금속칼코게나이드박막을전사하는방법에관한것으로서, 보다상세하게는에폭시를이용한전사방법을제시하여박막의결함이나불순물을생성시키지않으면서전기적인물성이뛰어난유연기판복합체를제조하고자하는것이다. 본발명의여러구현예에따르면, 에폭시를이용하여유연기판상에금속칼코게나이드박막을전사함으로써, 전사되는금속칼코게나이드박막의결함이나불순물을생성시키지않아전기적인물성이우수한유연기판복합체를제조할수 있다. 또한, 상술한방법으로제조된유연기판복합체는플렉서블전계효과트랜지스터, 센서및 LED 등과같은유연(플렉서블) 소자등에폭넓게응용할수 있다.

Abstract translation: 涉及一种方法，用于通过本发明隐喻烟板转移金属硫属化物薄膜，更特别是高度站立的电性能，除非通过使用环氧树脂不能产生在薄的柔性基材复合的缺陷和杂质呈现所述传输方法 待制造。 根据本发明的各种实施例中，通过将薄膜制备金属硫属化物，不产生在金属硫属化物薄膜要转移的缺陷和杂质具有优异的电性能的柔性底物复合物，得到烟板采取的环氧树脂的优点 你可以。 另外，通过上述方法制造的柔性基板复合物可以广泛地应用于柔性场效应晶体管，传感器，诸如LED等柔性元件等。