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公开(公告)号：KR101758649B1
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：KR1020100029509
申请日：2010-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02527 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B2204/04 , C23C16/0272 , C23C16/26 , C30B25/02 , C30B29/08 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/0262
Abstract: 게르마늄층을이용한그래핀제조방법이개시된다. 개시된게르마늄층을이용한그래핀제조방법은, 기판상에게르마늄층을형성하는단계와, 상기기판이배치된챔버내에탄소함유개스를공급하여상기게르마늄층상에직접그래핀을형성하는단계를포함할수 있다. 본발명의실시예에따른그래핀제조방법은촉매금속층을사용하지않으므로, 촉매금속으로오염되지않은그래핀층을제조할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种使用锗层制造石墨烯的方法。 所公开的使用锗层制造石墨烯层的方法可以包括在衬底上形成锗层并将含碳气体供应到其中设置衬底的腔室中以直接在锗层上形成石墨烯 。 由于根据本发明实施方式的石墨烯制造方法不使用催化剂金属层，因此可以制造未被催化剂金属污染的石墨烯层。
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公开(公告)号：KR101700273B1
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：KR1020150113404
申请日：2015-08-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205 , H01L21/683 , H01L21/324
Abstract: 본발명에서는화학기상증착장치를제안한다. 본발명의일 실시예에따른화학기상증착장치는공정이진행되는챔버; 상기챔버에내부에위치하고, 상부면에기판이배치되는스테이지부; 상기챔버의내부에위치하여, 상기챔버내부의온도를제어하기위한히터블럭; 상기챔버내부의압력을조절하기위한압력조절라인; 상기스테이지부방향으로가스를공급하는가스분배부; 상기가스분배부에가스를공급하는적어도하나이상의가스공급라인; 및상기가스분배부의온도를제어하기위한가스분배부히터를포함하되, 상기가스분배부는상기스테이지부로부터멀어지는방향으로소정의간격을가지고나란하게배치되는복수의가스분배판을포함하되, 상기가스분배판에는상기스테이지부의폭방향으로서로일정거리이격되고, 서로직경이상이한복수의가스홀이천공된다
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公开(公告)号：KR102249922B1
公开(公告)日：2021-05-10
申请号：KR1020190105209
申请日：2019-08-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: B01J35/00 , B01J21/18 , B01J21/06 , B01J23/745 , B01J37/08 , C25B1/04 , H01M4/90 , H01M4/86 , H01M4/92
Abstract: 본원은탄소기재, 상기탄소기재상에분산된금속산화물입자, 및금속촉매입자를포함하고, 상기금속촉매입자는상기금속산화물입자의금속을치환하여존재하는것 또는상기금속산화물입자에흡착되어존재하는것인, 전기화학촉매에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101636907B1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：KR1020090121410
申请日：2009-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/0665 , H01L31/035209 , H01L31/035227
Abstract: 다공성나노구조체및 그제조방법에대해개시된다. 개시된다공성나노구조체는나노와이어또는나노튜브의표면및 내부에공동이형성된것으로, 공동이나노구조체내부를관통하여형성된구조의나노구조체에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020110109680A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020100029509
申请日：2010-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02527 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B2204/04 , C23C16/0272 , C23C16/26 , C30B25/02 , C30B29/08 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/0262
Abstract: 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법이 개시된다. 개시된 게르마늄층을 이용한 그래핀 제조방법은, 기판 상에 게르마늄층을 형성하는 단계와, 상기 기판이 배치된 챔버 내에 탄소함유 개스를 공급하여 상기 게르마늄층 상에 직접 그래핀을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 그래핀 제조방법은 촉매금속층을 사용하지 않으므로, 촉매금속으로 오염되지 않은 그래핀층을 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101052116B1
公开(公告)日：2011-07-26
申请号：KR1020090069350
申请日：2009-07-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 희생층을 이용한 플렉시블 산화물 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실리콘 기판상에 희생층을 형성하고 상기 희생층 상에 산화물 반도체 소자를 제조하여 전기적 특성 향상을 위한 고온에서의 열처리가 가능하고, 상기 희생층을 선택적 식각율이 높은 재료를 사용하여 산성 및 염기에 의한 산화물 반도체 막의 손상을 제거할 수 있는 플렉시블 산화물 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다.
플렉시블, 산화물 반도체 소자, 열처리, 전사-
公开(公告)号：KR1020100106806A
公开(公告)日：2010-10-04
申请号：KR1020090025005
申请日：2009-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A nanowire/nanodot composite and an optical device including thereof are provided to improve the optical efficiency of the optical device by forming nanodots with a large surface area using luminescent materials. CONSTITUTION: A nanowire/nanodot composite contains the following: a nanowire(110) including a conductive material; and multiple nanodots(150) including luminescent materials, formed on the surface of the nanowire. The nanowire is doped to a p-type or n-type. An optical device includes multiple nanowires including the conductive material, the nanodots, and multiple shells covering the nanowires to surround the nanodots.
Abstract translation: 目的：提供纳米线/纳米复合材料及其包括的光学器件，以通过使用发光材料形成具有大表面积的纳米点来提高光学器件的光学效率。 构成：纳米线/纳米点复合材料包含以下：纳米线（110），包括导电材料; 以及形成在纳米线表面上的包括发光材料的多个纳米点（150）。 纳米线被掺杂到p型或n型。 光学器件包括多个纳米线，包括导电材料，纳米点和覆盖纳米线以围绕纳米点的多个壳。
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公开(公告)号：KR101878751B1
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：KR1020110062482
申请日：2011-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02164 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02491 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L29/0673 , H01L29/66045 , H01L29/66439 , H01L29/66742 , H01L29/775 , H01L29/785 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 그래핀구조체및 그제조방법과, 그래핀소자및 그제조방법이개시된다. 개시된그래핀구조체는, 기판상에형성되는측면이노출된성장층과, 상기성장층의측면에성장된그래핀을포함한다.
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