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公开(公告)号：KR1020110033744A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020090091354
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: An integrated luminous element and a photo-detector package module are provided to implement a light emitting operation and a light receiving operation by making a light emitting device and a light receiving device opposite to each other. CONSTITUTION: In an integrated luminous element and a photo-detector package module, a light emitting device(210) radiates light to a target. A light receiving device(110) receives fluorescent light from a target. A light receiving device module(100) includes an opening opens a part of the module. The light emitting device module(200) is installed in a hole to enable the light emitting device to radiate light through the hole of the light receiving device module. The light emitting device module includes a heat sink with holes on the top thereof.
Abstract translation: 目的：提供集成的发光元件和光电检测器封装模块，以通过使发光器件和光接收器件彼此相对地实现发光操作和光接收操作。 构成：在集成发光元件和光电检测器封装模块中，发光器件（210）将光辐射到目标。 光接收装置（110）从目标接收荧光。 光接收装置模块（100）包括开口部分的模块。 发光器件模块（200）安装在孔中以使得发光器件能够通过光接收器件模块的孔辐射光。 发光器件模块包括在其顶部具有孔的散热器。
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公开(公告)号：KR1020100070820A
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080129542
申请日：2008-12-18
Abstract: PURPOSE: A high efficiency heat emission resonance light-emitting diode package and a manufacturing method thereof are provided to efficiently discharge and amplify photons generated in an active layer by forming a DBR(Distributed Bragg Reflector) layer under a light emitting diode, thereby generating resonance effect. CONSTITUTION: A light emitting diode(200) comprises a DBR layer(230), a P-type semiconductor layer(240), an active layer(250), and a N type semiconductor layer(260). A substrate(210) is formed under the light emitting diode. A heat emission metal part(270) emits heat generated in the light emitting diode. A first electrode layer is formed in the lower part of the substrate including the heat emission metal part. A second electrode layer(290) is formed in the upper part the light emitting diode. A submount(310) is formed in the lower part of the first electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供一种高效率的发热共振发光二极管封装及其制造方法，通过在发光二极管下形成DBR（分布式布拉格反射器）层，有效地对有源层中产生的光子进行放电和放大，从而产生共振 影响。 构成：发光二极管（200）包括DBR层（230），P型半导体层（240），有源层（250）和N型半导体层（260）。 衬底（210）形成在发光二极管的下方。 发热金属部件（270）发射在发光二极管中产生的热量。 第一电极层形成在包括发热金属部分的基板的下部。 第二电极层（290）形成在发光二极管的上部。 在第一电极层的下部形成有基座（310）。
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公开(公告)号：KR101558232B1
公开(公告)日：2015-10-12
申请号：KR1020130165858
申请日：2013-12-27
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 레이저영상기기용화이트밸런스조정방법이제공된다. 본발명의실시예에따른레이저영상기기는, 레이저광원에서출사되는광을분리하는색분리광학계, 분리된광들의세기들을각각측정하는수광소자들및 수광소자들에서측정된세기들을기초로레이저광원을제어하여화이트밸런스를조정함에있어, 화이트밸런스조정에필요한광학계들을최소화시키면서도광 효율은극대화할수 있게된다.
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公开(公告)号：KR101507775B1
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020140041790
申请日：2014-04-08
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04B10/071 , H04B10/40
CPC classification number: H04B10/40 , G02B7/02 , H04B10/071 , H04B10/25
Abstract: 본발명은광 트랜시버내장형오티디알기능을갖는오에스에이에관한것으로, 광섬유방향으로광 신호를출사(出射)시키는 OTDR송신부와; 광섬유방향으로출사하는광신호는통과시키고, 광섬유에서레일리산란에의하여후방산란된 광을수신하여광 선로의상태를판단하는 OTDR필터와; OTDR필터를통해출사되는광신호를광섬유의관로내로유입되도록광 신호를포커싱하는포커싱렌즈를포함하여구성되는것을특징으로하며, OTDR 기능을구성하는지향성커플러와포토다이오드(Photo Diode)를대신하여포토다이오드어레이와홀(PD Array) 구조를함께적용함으로써기존대비소형화, 경량화, 대량생산화에적합하고, 기존의광 통신망인프라에결합할수 있는외장형 OTDR에적용하여급격하게증가하는광선로망장애를진단하고판별하는데용의하다.
Abstract translation: 本发明涉及具有OTDR功能的光收发器嵌入式OSA，其包括在光纤方向发射光信号的OTDR发射器，OTDR滤波器，其通过接收散射的光来确定光线的状态 通过光纤中的瑞利散射向后，以及聚焦透镜，其聚焦光信号以将通过OTDR滤光器发射的光信号输入到光纤的管道。 本发明减小尺寸和重量并进行批量生产通过将光电二极管阵列和PD阵列结构组合在一起而不是光电二极管和定向耦合器来形成OTDR功能。 通过与现有的光通信网络基础设施相结合的外部OTDR的应用，可以容易地诊断和确定光线路网络的快速增加的障碍。
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公开(公告)号：KR101030493B1
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：KR1020080129542
申请日：2008-12-18
Abstract: 본 발명은 공진 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 반도체 기판 상부에 형성된 식각 정지층을 이용하여 열적 저항이 많이 걸리는 반도체 기판의 일부분을 제거하고 제거된 부분에 두꺼운 금속층을 형성하거나 반도체 기판의 전부를 제거함으로써, 발광 다이오드에서 생기는 열이 효과적으로 방출되도록 함은 물론, 공진 발광 다이오드의 아래 부분에 DBR층을 형성하여 공진효과를 일으킴으로써, 활성층에서 만들어진 광자들을 효율적으로 방출 및 증폭시키는 고효율 열방출 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 고효율 열방출 공진 발광 다이오드 패키지는 식각 정지층, DBR층, P형 반도체층, 활성층, N형 반도체층을 포함하는 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드 하부에 형성되고, 일부가 식각된 기판; 상기 기판의 식각된 부분에 형성되고, 상기 발광 다이오드에서 생성되는 열을 방출하기 위한 열 방출 금속부; 상기 열 방출 금속부를 포함하는 상기 기판 하부에 형성된 제1 전극층과 상기 발광 다이오드 상부에 형성된 제2 전극층; 및 상기 제1 전극층 하부에 형성되고, 상부에 금속 접촉층이 형성된 서브마운트를 포함함에 기술적 특징이 있다.
발광 다이오드, 공진 발광 다이오드, DBR층, 식각 정지층-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101001185B1
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：KR1020080094241
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 수발광 일체형 소자에 관한 것으로, 보다 자세하게는 수광소자와 발광소자를 모노리틱(Monolithic)하게 형성하여 콤팩트한 모듈이 가능하며, 금속 그리드(Metal grid)의 형성으로 수광소자의 효율이 우수하고 발광소자에서 나온 광이 수광소자에 직접 입사되는 것을 방지하는 광분리층(Optical isolation layer)을 형성하여 수광소자와 발광소자 간의 크로스토크(Crosstalk)를 줄일 수 있는 수발광 일체형 소자에 관한 것이다.
본 발명의 수발광 일체형 소자는 기판, 상기 기판 하부에 형성되는 제1전극층, 상기 기판 상부에 형성되는 제1N형반도체층, 상기 제1N형반도체층 상부에 형성되는 제1P형반도체층, 상기 제1P형반도체층 상부에 형성되며 발광영역을 정의해주는 제2전극층, 상기 발광영역과 제2전극층이 존재하지 않는 영역에 존재하며 제1P형반도체층 상부에 형성되고 요부와 철부를 갖는 제2N형반도체층, 상기 제2N형반도체층의 철부에 형성되는 제2P형반도체층, 상기 제2N형반도체층의 요부에 형성되는 제3전극층 및 상기 제2P형반도체층 상부에 존재하며 제3전극층과 이격되어 존재하여 수광영역을 정의해주는 제4전극층을 포함함에 기술적 특징이 있다.
수발광, 일체, 모노리틱(monolithic), 크로스토그(crosstalk), 금속 그리드-
公开(公告)号：KR1020100034987A
公开(公告)日：2010-04-02
申请号：KR1020080094251
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A receiving light emitter monolithic device forms to be monolithic the light receiving element and emitting device. The simplification and compaction of system are realized. CONSTITUTION: A first distributed brag reflection layer and semiconductor layer are respectively formed in the lower part and top of substrate. A first electrode layer(230) is formed in the main part of the semiconductor layer. The light emission region defined in the summit of the semiconductor layer with the first reflection electrode layer(240). The second distributed brag reflection layer is formed in the summit of the semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：接收光发射体单片装置形成为光接收元件和发射装置的单片。 实现了系统的简化和压缩。 构成：在基板的下部和顶部分别形成第一分布式布拉格反射层和半导体层。 第一电极层（230）形成在半导体层的主要部分中。 限定在半导体层的顶点与第一反射电极层（240）的发光区域。 第二分布式布拉格反射层形成在半导体层的顶点。
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公开(公告)号：KR200370865Y1
公开(公告)日：2004-12-18
申请号：KR2020040027639
申请日：2004-09-24
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: C12Q1/6825 , B82Y5/00 , B82Y15/00
Abstract: 본 고안은 박막의 두께와 선택 에칭 기술을 이용하여 형성된 나노 패턴을 이용하여 소자가 전사되도록 하는 나노 바이오 측정 시스템에 관한 것이다.
본 고안의 정밀 나노 몰드를 이용한 나노 바이오 측정 시스템은 정밀 나노 몰드를 이용한 나노 바이오 측정 시스템에 있어서, 기판; 상기 기판상에 두 개 이상의 교대하는 이종 재질로 구성된 박막층 및 상기 박막층의 일단면에 일부 박막층이 돌출되어 형성된 패턴으로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 고안의 정밀 나노 몰드를 이용한 나노 바이오 측정 시스템은 박막의 두께와 선택 에칭 기술을 이용하여 정밀한 나노 패턴을 형성하여 바이오 물질을 원하는 폭과 간격을 가진 상태에서 소자에 전사할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020120069468A
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：KR1020100131025
申请日：2010-12-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/66212 , H01L29/454 , H01L29/475 , H01L29/872
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a high voltage GaN Schottky barrier diode is provided to reduce metal spike by dropping an annealing temperature of an ohmic contact. CONSTITUTION: An ohmic contact(50) is formed by annealing a doped GaN layer(40) at 700 to 800 degrees centigrade for 30 to 60 seconds. A recess(43) is formed on the doped GaN layer separated from the ohmic contact area. A Schottky contact(60) is formed in the recess. A protection layer(70) is formed on the upper side of the substrate to cover an exposed part. The protection layer exposes the ohmic contact and the Schottky contact.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造高电压GaN肖特基势垒二极管的方法，通过降低欧姆接触的退火温度来减少金属尖峰。 构成：通过在700至800摄氏度下对掺杂的GaN层（40）退火30至60秒形成欧姆接触（50）。 在与欧姆接触区域分离的掺杂GaN层上形成凹部（43）。 肖特基接触件（60）形成在凹部中。 保护层（70）形成在基板的上侧以覆盖露出部分。 保护层暴露了欧姆接触和肖特基接触。
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公开(公告)号：KR1020110033969A
公开(公告)日：2011-04-04
申请号：KR1020090091353
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/12 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/12 , H01L31/02002 , H01L31/0232 , H01L31/052 , H01L33/62
Abstract: PURPOSE: A package module integrate with a light emitting device and a light receiving device is provided to reduce an integration volume by integrating the light emitting device and the light receiving device with one package. CONSTITUTION: A light emitting device module(200) includes a light emitting device(210) and an optical device which faces an object by controlling a light emitting axis of the light emitting device. A light receiving device module(100) includes a light receiving device(110) which receives fluorescence from the object and is integrated with the light emitting device module.
Abstract translation: 目的：提供与发光器件集成的封装模块和光接收器件，以通过将发光器件和光接收器件集成在一个封装中来减小积分体积。 构成：发光器件模块（200）包括通过控制发光器件的发光轴而面对物体的发光器件（210）和光学器件。 光接收装置模块（100）包括光接收装置（110），其接收来自物体的荧光并与发光装置模块集成。
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