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公开(公告)号：KR1020080105264A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020070052620
申请日：2007-05-30
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01R1/067 , G01R1/06755 , G01R3/00 , G01R31/2601
Abstract: The insulating method of the probe for the probe card using the glass ink coating is provided to obtain the excellent insulating property by coating the glass ink on the probe for the probe card. The method for insulating the probe for the probe card comprises as follows. A step is for making the probe(100) in the plating or the etching process. The step is for performing coating using the glass ink(110) after probe is cleaned. The step is for polishing both ends of the coated probe and being inserted into the probe unit. A step is for connecting the probe unit to the PCB circuit part after fixing epoxy probe.
Abstract translation: 提供使用玻璃油墨涂层的探针卡的探针的绝缘方法，以通过在探针卡的探针上涂覆玻璃墨来获得优异的绝缘性。 探针卡的探头绝缘方法如下。 步骤是在电镀或蚀刻工艺中制造探针（100）。 该步骤是在探针清洁之后使用玻璃油墨（110）进行涂覆。 该步骤用于抛光涂覆的探针的两端并插入探针单元中。 固定环氧树脂探头后，将探针单元连接到PCB电路部分。
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公开(公告)号：KR100849391B1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：KR1020050063670
申请日：2005-07-14
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 읽기/쓰기가 가능한 원자력 현미경 캔틸레버에 관한 것으로, 보다 자세하게는 원자력 현미경 캔틸레버에 MOSFET를 내장시켜 정보의 읽기/쓰기가 가능한 원자력 현미경 캔틸레버를 제조하기 위한 것이다.
본 발명의 읽기/쓰기가 가능한 원자력 현미경 캔틸레버는 금속층, 제1 실리콘층, 산화막 및 제2 실리콘층이 순차적으로 적층된 캔틸레버 지지부; 상기 캔틸레버 지지부의 제2 실리콘층만이 연장되어 형성된 캔틸레버 아암부; 상기 캔틸레버 아암부의 제2 실리콘층에 형성된 탐침; 상기 탐침의 하부에 형성된 채널; 상기 탐침의 중심부로부터 소정 거리만큼 이격된 양 측면에 형성된 소스/드레인; 및 상기 소스/드레인 사이에 형성된 게이트로 구성됨에 기술적 특징이 있다.
캔틸레버, 탐침, 읽기/쓰기, MOSFET-
公开(公告)号：KR100717960B1
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020040053875
申请日：2004-07-12
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L27/105
Abstract: 본 발명은 단결정 기판과, RBa2Cu3O7로 표현되며, 상기 R은 Sm, Nd, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb로 구성되는 그룹으로부터 선택되며, 상기 단결정 기판 위에 증착되어 하부 전극으로 작용하며 고온 초전도 특성을 가지는 전도성 산화물 박막과,상기 전도성 산화물 박막 위에 증착되는 강유전체 박막을 포함하는 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 나노스토리지 강유전체 매체구조에서 요구되는 특성인 표면 거칠기가 나노미터 정도일 것과 결정학적 정렬성이 우수할 것과 강유전체 도메인의 표면 전위가 충분히 클 것과 같은 조건을 만족하는 매체구조를 실현할 수 있다.
강유전체 박막, 고온 초전도 특성, 나노스토리지, 전도성 산화물, 전극-
公开(公告)号：KR1020070004158A
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050059519
申请日：2005-07-04
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G11B7/2433 , G11B7/004
Abstract: A recording medium of a probe type information storing apparatus, a recording method, a reproducing method, and an erasing method are provided to significantly raise the recording density by additively forming a metal-insulator phase change thin film on a phase change thin film. A lower electrode(110) is positioned on a silicon substrate(100). A phase change thin film(120) is positioned on the lower electrode(110), wherein the phase change thin film(120) has a crystalline state. A metal-insulator phase change thin film(130) is positioned on the phase change thin film(120). The lower electrode(110) is formed of any one of Pt, Au, and an amorphous carbon thin film.
Abstract translation: 提供探针型信息存储装置，记录方法，再现方法和擦除方法的记录介质，通过在相变薄膜上相加形成金属 - 绝缘体相变薄膜来显着提高记录密度。 下电极（110）位于硅衬底（100）上。 相变薄膜（120）位于下电极（110）上，其中相变薄膜（120）具有结晶状态。 金属 - 绝缘体相变薄膜（130）位于相变薄膜（120）上。 下电极（110）由Pt，Au和非晶碳薄膜中的任一种形成。
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公开(公告)号：KR100617471B1
公开(公告)日：2006-08-29
申请号：KR1020040059291
申请日：2004-07-28
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 상부면이 평평한 직육면체 형상의 탐침 지지부, 전자빔 유도 증착에 의한 탐침 중간부 및 전자빔 융착에 의한 탄소나노튜브 탐침 첨두부로 구성되는 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 직육면체 형상의 탐침 지지부를 가지는 실리콘 질화막 캔틸레버를 형성하는 단계, 상기 캔틸레버의 로드부에 2축 구동 압전 액츄에이터를 형성하는 단계, 상기 탐침 지지부에 전자빔 유도 증착법을 통해 탐침 중간부를 형성하는 단계 및 상기 탐침 중간부에 탄소나노튜브를 부착하여 탐침 첨두부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 및 그 제조방법은 상부면이 평평한 직육면체 형상의 탐침 지지부를 형성함으로써 전자빔유도 증착에 의한 탐침 중간부 형성의 재현성을 높이고 전자빔융착에 의한 탄소나노튜브 부착과 그 각도 조절이 용이할 뿐만 아니라 2축 구동 압전 액츄에이터에 의해 측정시의 왜곡을 감소시킴으로서 보다 정밀하고 신뢰성 있는 측정을 가능하게 하는 효과가 있다.
고종횡비, 캔틸레버, 탐침, 2축 구동 압전 액츄에이터, 탄소나노튜브-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060011234A
公开(公告)日：2006-02-03
申请号：KR1020040059941
申请日：2004-07-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G11B9/14
Abstract: 본 발명은 탐침형 정보저장장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 외부 진동에 대한 영향을 최소화할 수 있는 휴대용 정보저장장치에 관한 것이다.
본 발명의 탐침형 정보저장장치는 탐침 어레이, 신호처리부, 매체 및 구동기로 이루어진 탐침형 정보저장장치에 있어서, 상기 탐침 어레이와 신호처리부를 외부 케이스에 연결하기 위한 탐침부 스프링 및 상기 매체와 구동기를 외부 케이스에 연결하기 위한 구동부 스프링으로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 탐침형 정보저장장치는 탐침부와 매체부 주위에 스프링을 부가함으로써, 외부 진동에 대한 영향을 최소화할 수 있어 휴대용 정보저장장치로의 사용이 가능하고, 종래의 질량 보상 방법에 비해 기록 면적을 높일 수 있는 장점이 있으며, 탐침부와 매체부 사이의 진동이 줄어들기 때문에 신호대 잡음비가 높아져 고속화 또는 대용량화가 가능한 효과가 있다.
탐침, 스프링, 저장, 매체, 구동-
公开(公告)号：KR100515734B1
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：KR1020030057695
申请日：2003-08-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N13/16
Abstract: 본 발명은 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버의 채널 형성 방법에 관한 것으로, 지지부에서 연장되어 부상된 캔틸레버의 선단에 형성된 탐침과, 상기 캔틸레버의 탐침 하부영역에 형성된 채널과, 채널에 접하여 형성된 소스 및 드레인을 구비한 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버의 채널 형성 방법에 있어서, 상기 채널은, 상기 채널을 형성할 제 1 전도성 불순물이 도핑된 실리콘층 상부에 상호 이종물질로 이루어진 적어도 둘 이상의 절연막들을 적층하고, 이 적층된 절연막들의 상부에 폴리실리콘층을 형성한 다음, 상기 폴리실리콘층을 제외하고 순차적으로 절연막들의 측면을 식각하여, 상기 실리콘층 상면에 접한 절연막 폭을 줄이는 단계와; 상기 실리콘층 상면에 접한 절연막과 상기 실리콘층에 제 2 전도성 불순물을 주입하고, 상기 실리콘층 상면에 접한 절연막을 제거하여 상기 절연막 하부의 실리콘층에 채널을 형성하는 단계를 수행하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 전계 효과 트랜지스트를 내장한 원자력 현미경용 캔틸레버의 채널폭을 100㎚ 이하로 줄일 수 있어, 테라 비트급 탐침형 정보 저장기기에 적용할 수 있는 효과를 갖는다.-
公开(公告)号：KR1020050022032A
公开(公告)日：2005-03-07
申请号：KR1020030058707
申请日：2003-08-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N13/16
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing an AFM field effect transistor cantilever is provided to improve an information sensitivity by enlarging an aspect ratio of a probe. CONSTITUTION: A probe(300) is formed on an upper surface of a second silicon layer of an SOI substrate in which a first silicon layer, a first insulation layer and the second silicon layer are sequentially deposited. A second insulation layer, a third insulation layer, a polysilicon layer, and a photoresist layer are sequentially deposited on the second silicon layer. Then, a first mask pattern of a cantilever is formed on the polysilicon layer. A second mask pattern is formed by sequentially etching the polysilicon layer and the second insulation layer. After forming a pattern of the second silicon layer, a cantilever is formed. Then, a carbon tip is formed at a tip of the probe(300).
Abstract translation: 目的：提供一种制造AFM场效应晶体管悬臂的方法，通过扩大探头的纵横比来提高信息灵敏度。 构成：在SOI衬底的第二硅层的上表面上形成探针（300），其中第一硅层，第一绝缘层和第二硅层依次沉积。 第二绝缘层，第三绝缘层，多晶硅层和光致抗蚀剂层依次沉积在第二硅层上。 然后，在多晶硅层上形成悬臂的第一掩模图案。 通过依次蚀刻多晶硅层和第二绝缘层形成第二掩模图案。 在形成第二硅层的图案之后，形成悬臂。 然后，在探针（300）的前端形成有碳尖端。
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公开(公告)号：KR1020050020051A
公开(公告)日：2005-03-04
申请号：KR1020030057694
申请日：2003-08-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N13/16
Abstract: PURPOSE: A MOSFET cantilever for an atomic force microscope is provided to easily perform reading and recording operations by installing a MOSFET in the cantilever for the atomic force microscope. CONSTITUTION: A MOSFET cantilever for an atomic force microscope includes a supporting part on which a first silicon layer, an oxide layer(120), and a second silicon layer(130) are sequentially stacked. A cantilever part rises from a lower portion by extending the oxide layer(120) and the second silicon layer from the supporting part. A probe is formed at the second silicon layer(130) of a front end of the cantilever part. A metal layer(140) is formed at an entire surface of the supporting part and the cantilever part. A channel(203) formed at the cantilever part of a lower portion of the probe.
Abstract translation: 目的：提供原子力显微镜的MOSFET悬臂，通过在原子力显微镜的悬臂中安装MOSFET来轻松执行读取和记录操作。 构成：用于原子力显微镜的MOSFET悬臂包括支撑部分，第一硅层，氧化物层（120）和第二硅层（130）依次堆叠在该支撑部分上。 通过从支撑部分延伸氧化物层（120）和第二硅层，悬臂部分从下部上升。 在悬臂部分的前端的第二硅层（130）处形成探针。 金属层（140）形成在支撑部分和悬臂部分的整个表面上。 形成在探针的下部的悬臂部分处的通道（203）。
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公开(公告)号：KR1020170019121A
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020150113087
申请日：2015-08-11
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 태양광의근적외선영역을효율적으로차폐할수 있는색상구현이가능한적외선차폐단열코팅이개시된다. 본발명에따른색상구현이가능한적외선차폐단열코팅은, 투명기판및 제1 굴절률을갖는제1 굴절률층및 제1 굴절률보다높은제2 굴절률을갖는제2 굴절률층이교번하여 6층으로구현되는적외선반사층을포함하는적외선차폐단열코팅으로서, 제1굴절률층은 SiO2를포함하고, 제2굴절률층은 TiO2를포함하며, 제1굴절률층및 제2굴절률층의두께를조절하여색상이구현된다.
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