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公开(公告)号：KR100350853B1
公开(公告)日：2002-09-09
申请号：KR1019990048845
申请日：1999-11-05
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본발명의저온소결압전체조성및 이조성에따른저온소결압전체제조방법은치환된저온소결 PZT계압전체또는복합 3성분계저온소결 PZT계압전체중 하나에대한조성물에대한질량을측정하는단계, 상기질량을측정한저온소결 PZT계압전체조성물들을섞어가열하는하소단계, 저온소결조제인 BaO-CuO의질량을측정하여하소단계를마친저온소결 PZT계압전체조성물과섞는단계, 저온압전체조성물을일정온도로가열하여소결하는단계, 소결단계를마친저온압전체에전극을형성하고전계를가하여분극공정을실시한다음, 전극에전원을인가하여저온압전체의물성을평가하는단계를포함한다. 따라서, 저온소결압전체를제조함에있어서저온소결조제로 BaO-CuO를사용할경우물성이개선된압전체를만들수 있을뿐만아니라소결온도를낮출수 있다.
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公开(公告)号：KR100327619B1
公开(公告)日：2002-03-15
申请号：KR1020000006053
申请日：2000-02-09
IPC: G01P15/08
Abstract: 본 발명의 반도체 실리콘 가속도센서는 측정하고자 하는 외부가속도가 발생하였을 때 가속도 크기에 비례하는 힘을 발생시키는 중앙 부분의 X, Y축 대칭으로 이루어진 네 부분의 진동질량부(20)와, 상기 진동질량을 지지대에 연결하고 쉽게 움직일 수 있도록 해주는 스프링부(22)와, 진동질량의 가속도에 비례하는 변위의 크기를 전기적 신호로 변환시켜주는 진동질량에 있는 빗살모양의 이동전극부(24) 및 외측 지지대에 위치하는 고정전극부(26)로 구성되어 진다.
본 발명에 의하면 타축가속도에 의해 센서구조물이 움직이더라도 이것이 구조적으로 자체 상쇄됨으로써 센서의 최종출력에는 영향을 미치지 않을 뿐만 아니라, 과대변위에 따른 센서파손을 막을 수 있다.-
公开(公告)号：KR100324716B1
公开(公告)日：2002-02-16
申请号：KR1020000006057
申请日：2000-02-09
IPC: H01L23/52
Abstract: 본 발명은 반도체의 미세구조물을 패키징하는 방법에 관한 것으로서 보다 구체적으로는 구조물의 움직임을 가능하게 하는 구조물 웨이퍼의 희생층을 먼저 식각한 후, 덮게 웨이퍼로 접합한 상태에서 스루홀 형성 및 금속화 공정을 행하는 미세구조물의 패키징에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 본딩패드의 식각으로 인한 수율저하를 방지함과 전극형성 공정을 단순화시킴으로 동시에 제작비면에서도 저렴한 신규한 미세구조물 패키징 방법을 제공할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100320040B1
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：KR1019990063040
申请日：1999-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: B29D11/00
Abstract: 이발명은비구면렌즈의제조방법및 비구면렌즈사출용금형제조방법을개시한다. 기판상에감광막이형성되어있는노광시편위에비구면렌즈제조를위한노광마스크를위치시키고상기노광시편의회전축과노광마스크의중심축을정렬시킨다음에, 노광마스크는고정시키고상기노광시편은회전시키면서상기노광마스크위로 X-선을조사하여감광막을노광시킨다. 그리고감광막을현상하여비구면렌즈를형성한다. 또한, 현상된감광막즉, 감광막구조물위에도금기저층을형성하고, 도금기저층위에전기도금공정을수행하여도금층을형성한다음에, 상기도금층을상기감광막구조물로부터분리하여비구면렌즈를사출성형하기위한금형틀에결합하여사출금형을제조한다. 이와같이 X-선사진식각공정을이용하여저가의비용으로보다정밀한형상을가지는비구면렌즈를용이하게제조할수 있다. 또한비구면렌즈를사출성형하기위한금형이 X-선사진식각공정에따라제조됨으로써, 보다정밀하고미세한크기의비구면렌즈를대량으로제조할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010086618A
公开(公告)日：2001-09-15
申请号：KR1020000006053
申请日：2000-02-09
IPC: G01P15/08
CPC classification number: G01P15/10 , B06B1/045 , G01P15/125 , G01P15/18
Abstract: PURPOSE: An apparatus composed of a semiconductor silicon for sensing an acceleration is provided to prevent a damage due to the overrange without interfering the final output of a sensor by compensating for a displacement in itself even if the structure of the sensor is moved. CONSTITUTION: Four vibration-mass unit(20) generate a force proportional to the magnitude of an acceleration when an external acceleration to be measured is generated, wherein the center of each vibration-mass unit is composed of crossed X and Y axes. A spring unit(22) connects the vibration-mass units(20) to a supporting member to make it to easily be moved. A mobile electrode(24) converts into an electrical signal the magnitude of a displacement proportional to the acceleration of the vibration-mass units(20). The mobile electrode(24) is provided on the vibration-mass units(20) and a fixed electrode(26) is placed on an outer supporting member.
Abstract translation: 目的：提供一种由用于感测加速度的半导体硅组成的装置，以便即使传感器的结构移动，也可以通过补偿位移本身来防止由于超范围造成的损坏而不干扰传感器的最终输出。 构成：当产生要测量的外部加速度时，四个振动质量单元（20）产生与加速度的大小成比例的力，其中每个振动质量单元的中心由交叉的X和Y轴组成。 弹簧单元（22）将振动质量单元（20）连接到支撑构件以使其容易地移动。 移动电极（24）将与振动质量单元（20）的加速度成比例的位移的大小转换为电信号。 移动电极（24）设置在振动质量单元（20）上，固定电极（26）被放置在外部支撑构件上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010060635A
公开(公告)日：2001-07-07
申请号：KR1019990063040
申请日：1999-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: B29D11/00
Abstract: PURPOSE: Provided is a process for producing non-spherical surface lens, which is very easy and can make precisely by using X-ray lithography process. CONSTITUTION: The process contains the steps of: i) installing an exposure mask for producing the non-spherical surface lens at an exposure sample formed a sensitive film on a plate and arranging a shaft of the exposure sample and the center axis of the exposure mask; ii) fixing the exposure mask and irradiating light on the exposure mask to exposure the sensitive film while the exposure sample rotates; and then iii) developing the sensitive film.
Abstract translation: 目的：提供非球形表面透镜的制造方法，这是非常容易的，并且可以通过使用X射线光刻工艺精确地制造。 构成：该方法包括以下步骤：i）在曝光样品上安装用于制造非球形表面透镜的曝光掩模，在曝光样品上形成敏感膜并且布置曝光样品的轴和曝光掩模的中心轴 ; ii）固定曝光掩模并在曝光掩模上照射光以在曝光样品旋转时曝光敏感膜; 然后iii）开发敏感膜。
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公开(公告)号：KR1020010045524A
公开(公告)日：2001-06-05
申请号：KR1019990048844
申请日：1999-11-05
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: An improved LIGA(lithographie, galvanoformung, abformung) process is provided to prevent an adhesive defect of polymethyl methacrylate(PMMA) and to improve cohesion of the PMMA when the LIGA process is used in a large area substrate. CONSTITUTION: After a mask of a predetermined pattern is placed on a photoresist layer, X-ray is selectively irradiated to a desired depth of the photoresist layer. A conductive layer is formed on upper, lower, right and left surfaces of the photoresist layer. A non-conducting material is formed on the conductive layer excluding the conductive layer formed on the exposed surface of the photoresist layer. Electricity flows in the conductive layer, and the first metal layer is formed on a surface where the non-conducting material is not formed. A surface opposite to the exposed surface of the conductive layer formed on the surface opposite to the exposed surface of the photoresist layer, the non-conducting material and the photoresist layer is milled to the exposed position. The exposed portion of the milled photoresist layer is etched to form a photoresist layer structure. The second metal layer is formed on the conductive layer where the photoresist layer structure is not formed. The photoresist layer structure and the non-conducting material are removed to form a metal structure.
Abstract translation: 目的：提供改进的LIGA（平版印刷，电镀，缩小）工艺，以防止聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）的粘合剂缺陷，并在LIGA工艺用于大面积基材时提高PMMA的内聚力。 构成：将预定图案的掩模放置在光致抗蚀剂层上之后，将X射线选择性地照射到光致抗蚀剂层的期望深度。 在光致抗蚀剂层的上，下，右和左表面上形成导电层。 除了形成在光致抗蚀剂层的暴露表面上的导电层之外，在导电层上形成非导电材料。 电流在导电层中流动，第一金属层形成在不形成非导电材料的表面上。 在与光致抗蚀剂层的暴露表面相对的表面上形成的导电层的暴露表面相对的表面，非导电材料和光致抗蚀剂层被研磨到暴露位置。 研磨的光致抗蚀剂层的暴露部分被蚀刻以形成光致抗蚀剂层结构。 第二金属层形成在未形成光致抗蚀剂层结构的导电层上。 去除光致抗蚀剂层结构和非导电材料以形成金属结构。
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公开(公告)号：KR1019990032862A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970054035
申请日：1997-10-21
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02B6/38
Abstract: 본 발명의 광커넥터용 페룰의 제조방법은 금속 기판 상에 리가 공정에 의하여 중앙 표면에 광섬유 정렬홈과 상기 광섬유 정렬홈의 양측에 가이드핀 정렬홈을 갖는 페룰부를 형성하는 단계와, 상기 금속 기판 상에 형성된 페룰부를 가로 및 세로방향으로 구획되게 상기 금속 기판을 절단하는 단계와, 싱기 절단된 금속 기판을 기계가공하여 상기 페룰부의 가이드핀 정렬홈과 일치되고 상기 페룰부를 지지하도록 지지부를 형성하는 단계와, 상기 페룰부 및 지지부 상에 덮개판을 덮는 단계를 포함하여 이루어진다.
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公开(公告)号：KR100344248B1
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：KR1019990063038
申请日：1999-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G03F7/20
Abstract: 이발명은노광장치및 이를이용한 3차원구조물제조방법을개시한다. 노광마스크를이용하여노광시편을 X-선노광시키는노광장치에서, 상기노광시편이회전축을중심으로회전하는시편홀더에장착되며, 노광마스크가상기시편홀더의상측에위치되는마스크홀더에장착된다. 이때, 상기시편홀더의회전축과상기마스크홀더의중심축은서로일치됨에따라상기노광마스크와노광시편은동일선상에정렬된다. 이상태에서회전부에의하여시편홀더가회전되면노광마스크에형성되어있는패턴에따라노광시편이감광되고, 감광된노광시편을현상하면원하는형상의 3차원구조물이제조된다. 이와같이 X-선사진식각공정시에노광시편을회전시키면서노광시킴에따라 3차원형상의구조물을저가의비용으로보다정밀하게제조할수 있으며, 노광시편과노광마스크의정렬이이루어짐에따라원하는형상의 3차원구조물을용이하게제조할수 있다.
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公开(公告)号：KR100338365B1
公开(公告)日：2002-05-30
申请号：KR1019990043075
申请日：1999-10-06
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L41/22
Abstract: 본발명의초음파트랜스듀서어레이형상구조물제작방법은초음파트랜스듀서어레이패턴이현상된 PMMA판을이용하여금속금형을만든다. 그런후에, 사출방식을이용하여플라스틱금형을대량으로제조하여초음파트랜스듀서어레이형상구조물을만들거나이 금속금형을 PZT 판에그대로찍어이 PZT 판을소결함으로써초음파트랜스듀서어레이형상구조물을만든다. 이렇게하여플라스틱금형을대량으로제조할수 있을뿐만아니라금속금형을그대로 PZT 판에압착시킴으로써제작공정을줄일수 있다.
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