公开(公告)号：KR100970094B1

公开(公告)日：2010-07-16

申请号：KR1020070102311

申请日：2007-10-10

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김원래 ,  노종일 ,  츄호머 ,  정영철 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: 본 발명은 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 탈이온수를 용매로 하며, 산화제, 유기산, 부식 억제제 및 특정 입경과 회합도를 갖는 금속산화물을 연마 목적에 따라 선택적으로 사용하여 구리 배선, 배리어막, 및 절연막에 대한 연마속도를 조절함으로써 이로젼(erosion) 및 디싱(dishing) 현상을 최소화함과 동시에 슬러리 조성물의 저장 안정성을 향상시킨 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 이로젼 및 디싱 현상이 최소화되고 슬러리 조성물의 저장 안정성이 개선된 구리 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법을 제공할 수 있다.
구리, 배선, 연마, CMP, 슬러리, 입경, 회합도, 배리어막, 절연막, 이로젼, 디싱, 저장 안정성

公开(公告)号：KR1020100050833A

公开(公告)日：2010-05-14

申请号：KR1020080109924

申请日：2008-11-06

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 정재훈 ,  김태영 ,  정영철 ,  이인경

IPC: C09K3/14

Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing slurry composition for polishing an oxide film is provided to remove an initial stage during a pattern polishing, and to improve the surface property of the composition. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing slurry composition for polishing an oxide film contains ultra pure water, and a metal oxide. The composition uses more than two pyridine-based compounds as additives at the same time. The pH of the total composition is 5~6. The metal oxide is a cerium oxide with a primary particles size of 10~300 nano meters and a specific surface area of 10~300 square meters per gram. 0.5~10wt% of metal oxide is contained in the chemical mechanical polishing slurry composition. More than one pH modifier selected from the group consisting of hydrochloric acid, NaOH, potassium hydroxide, ammonia, nitric acid, sulfuric acid and phosphoric acid controls the pH of the composition.

Abstract translation: 目的：提供一种用于抛光氧化膜的化学机械抛光浆料组合物以去除图案研磨期间的初始阶段，并提高组合物的表面性能。 构成：用于抛光氧化膜的化学机械抛光浆料组合物含有超纯水和金属氧化物。 该组合物同时使用两种以上吡啶类化合物作为添加剂。 总组合物的pH为5〜6。 金属氧化物是一次粒径为10〜300纳米的氧化铈，比表面积为10〜300平方米/克。 在化学机械抛光浆料组合物中含有0.5〜10wt％的金属氧化物。 选自盐酸，NaOH，氢氧化钾，氨，硝酸，硫酸和磷酸的多种pH调节剂可控制组合物的pH值。

公开(公告)号：KR101293790B1

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：KR1020100140290

申请日：2010-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이태영 ,  전종선 ,  홍창기 ,  박용순 ,  정영철 ,  김동진

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 본 발명은 텅스텐 금속막질의 연마 속도에 대한 절연층 막질의 연마 속도의 비를 특정 비율로 조절함으로써 프로트루젼, 단차, EOE, 스크래치, 디싱, SEAM attack, 이로젼 등의 결함을 제거하고 평탄도를 높일 수 있는 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020130078605A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：KR1020110147630

申请日：2011-12-30

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 노현수 ,  김동진 ,  박용순 ,  김용국 ,  정영철

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053

Abstract: PURPOSE: A CMP slurry composite and a grinding method thereof are provided to selectively adjust a grinding speed on a wafer surface composed of a convex part and a concave part and to enlarge the nitration film stopping of secondary grinding. CONSTITUTION: A CMP slurry composite includes a metal oxide particle, a diisocyanate compound, and ultrapure water. The metal oxide particle is formed by calcination, flame oxidation, or thermal synthesis. The metal oxide particle is selected from a group composed of a ceria (CeO2) particle, a silica (SiO2) particle, an alumina (AI2O3) particle, a titania (TiO2) particle, and a zirconia (ZrO2) particle. A grinding method includes a step of grinding a semiconductor wafer by using the CMP slurry composite.

Abstract translation: 目的：提供CMP浆料复合物及其研磨方法，以选择性地调节由凸部和凹部构成的晶片表面的研磨速度，并扩大二次研磨的硝化膜停止。 构成：CMP浆料复合材料包括金属氧化物颗粒，二异氰酸酯化合物和超纯水。 金属氧化物颗粒通过煅烧，火焰氧化或热合成形成。 金属氧化物颗粒选自由二氧化铈（CeO 2）颗粒，二氧化硅（SiO 2）颗粒，氧化铝（Al 2 O 3）颗粒，二氧化钛（TiO 2）颗粒和氧化锆（ZrO 2）颗粒组成的组。 研磨方法包括通过使用CMP浆料复合物研磨半导体晶片的步骤。