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公开(公告)号：KR101709893B1
公开(公告)日：2017-02-24
申请号：KR1020160035817
申请日：2016-03-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: G06F17/50 , C01B33/12 , C01F5/28 , C01F11/20 , C01G25/02 , C01P2004/64 , G06N3/126
Abstract: 본발명은유전알고리즘기반 3차원나노구조를가지는광소재의설계방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, (a) 소재를구성하는재료및 상기재료로구성될수 있는 3차원나노구조의형상을이산변수로설정하는단계, (b) 상기 3차원나노구조의형상과관련된복수의기하학적변수를연속변수로설정하는단계, (c) 상기이산변수와상기연속변수의조합을이용하여 3차원나노구조를형성하고, 변수조합에의한 3차원나노구조의형성을반복하여다양한 3차원나노구조로이루어진초기해(解) 집단을생성하는단계, (d) 초기해 집단의광특성을계산하고, 광특성과의적합도를평가하는단계, (e) 상기연속변수를도함수기반으로최적화하는단계, (f) 초기해 집단의적합도를기반으로자연선택, 교배, 돌연변이중 적어도하나를이용하여새로운해 집단을생성하는단계, (g) 계산의수렴정도를통하여최적화의종료조건을확인하는단계, 및 (h) 설계결과를도출하는단계를포함하는나노구조기반광소재의설계방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020150130596A
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：KR1020140057053
申请日：2014-05-13
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은비용및 시간을최소화하면서유전체개구부를통해성장한질화물구조체를웨이퍼크기수준의전사가가능하며, 나노미터수준의리소그래피를수행할수 있는나노임프린트몰드및 그제조방법에관한것이다. 본발명의나노임플린트몰드는기판; 상기기판상에형성된질화물층; 상기질화물층상에형성되며복수의개구부가형성된마스킹층; 및상기개구부상으로노출된질화물층을통해성장되어상기마스킹층상으로돌출형성된질화물구조체;를포함하여구성되며, KrF 스캐너를이용하여대면적패턴의조절이용이하고, 질화물구조체의나노패턴또한임의적조절이가능할수 있다.
Abstract translation: 纳米压印模具本发明涉及一种纳米压印模具，其可以通过晶片尺寸的水平传递通过电介质生长的氮化物，并且具有以纳米级执行光刻的能力来最小化成本和时间。 另外，本发明还涉及其制造方法。 本发明的纳米压印模具包括：基材; 形成在所述基板上的氮化物层; 形成在所述氮化物层上并具有多个开口的掩模层; 以及通过在暴露在开口上的氮化物层生长而形成为在掩模层上突出的氮化物结构。 根据本发明，纳米压印模具通过使用KrF扫描器确保容易控制大面积图案，并且也可以任意地控制氮化物结构上的纳米图案。
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公开(公告)号：KR1020150097258A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140018554
申请日：2014-02-18
Applicant: 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G02B5/26
Abstract: 밴딩이나 스트레칭이 가능하고,광 투과나 반사 밴드를 조절할 수 있도록, 벤딩 또는/및 스트레칭이 가능한 기판, 상기 기판 상에 나노 구조로 형성된 무기 물질을 포함하는 제1 물질층 및 상기 제1 물질층 상에 형성되는 유기물질을 포함하는 제2 물질층을 포함하는 다이크로익 필터를 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种能够弯曲或拉伸的二向色滤光器及其制造方法，更具体地，提供一种能够控制透光度和反射带的二向色滤光器及其制造方法。 提供了二向色滤光器，其包括：能够弯曲或/和拉伸的基板; 第一材料层，包括在所述基板上的纳米结构中形成的无机材料; 以及包含形成在第一材料层上的有机材料的第二材料层。 因此，根据实施例的二向色带能够根据拉伸或弯曲来控制穿透/反射带。
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公开(公告)号：KR1020150073588A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020130161467
申请日：2013-12-23
Applicant: 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 반도체발광소자어레이가개시된다. 본발명의일 측면인반도체발광소자어레이는제 1 도전형베이스반도체층; 상기베이스반도체층상에형성되며, 복수의개구부를갖는마스크층; 및상기각 개구부를통해노출된제 1 도전형베이스반도체층에형성되며, 적어도 2종의결정성장면(facet)을갖는제 1 도전형다면구조체와, 상기제 1 도전형다면구조체표면에형성된활성층및 제 2 도전형반도체층을포함하는돌출부;를포함하며, 상기복수의개구부는스트립, 원, 타원, 삼각형이상의다각형, 링중 적어도 2종이상의모양을갖는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种半导体发光器件阵列。 根据本发明的一个方面的半导体发光器件阵列包括第一导电型基底半导体层，形成在基底半导体层上并具有多个开口部的掩模层，以及形成在 所述第一导电型基底半导体层通过每个开口部分暴露，并且包括第一导电型多面体结构，其包括至少两种晶体生长面，以及有源层和第二导电半导体层，其形成在第一 导电型多面体结构。 开口部分具有条，圆，椭圆，三角形或更多的多边形和环的至少两种形状。
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公开(公告)号：KR101513947B1
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020130132076
申请日：2013-11-01
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명은 n형반도체층의일부를관통하도록형성된노출홈의저면에반사구조체를형성함에따라활성층의측방으로발광된빛이상방으로반사되어광추출효율을높일수 있는질화물반도체발광소자및 이의제조방법에관한것이다. 이를위한본 발명의질화물반도체발광소자는, 기판상에순차적으로적층되는 n형반도체층, 활성층, p형반도체층을포함하는질화물반도체발광소자에있어서, 상기 n형반도체층의일부가노출되도록상기 p형반도체층, 활성층및 상기 n형반도체층의일부를관통하도록형성된노출홈; 및상기노출홈의저면에서구비되며, 상기활성층의측방에서상기노출홈으로발광된빛을상방으로반사하도록상협하광(上狹下廣) 형상의반사구조체;를포함하여구성된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体发光器件及其制造方法。 在曝光槽的底面形成反射结构，以穿透n型半导体层的一部分。 由此，向有源层侧发光的光向上方反射，能够提高光提取效率。 为此，氮化物半导体发光器件在包括依次层叠在衬底上的n型半导体层，有源层，p型半导体层的氮化物半导体发光器件中包括：曝光槽， 穿透p型半导体层，有源层和n型半导体层的一部分以暴露n型半导体层的一部分; 以及反射结构，其形成在曝光槽的下侧，并且具有窄的上部和宽的下部，以反射从有源层侧的曝光槽发射的光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130129683A
公开(公告)日：2013-11-29
申请号：KR1020120053735
申请日：2012-05-21
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사 , 주식회사 글로우원
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/025 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36
Abstract: A semiconductor light emitting device having an electron blocking layer of a graded super-lattice structure is disclosed. The semiconductor light emitting device comprises; an n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer; an active layer positioned between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer; an electron blocking layer positioned between the active layer and the p-type semiconductor layer. The electron blocking layer has a super-lattice structure in which multiple first blocking layers and multiple second blocking layers are arranged by turns and each of the second blocking layers has a relatively narrow band gap in comparison with the neighboring first blocking layer. The more the multiple first blocking layers are near the active layer, the more the multiple first blocking layers have a wide band gap and are formed by differing in p-type foreign matter concentrations. According to this, the present invention provides the semiconductor light emitting device capable of effectively blocking an electron and improving hole injection efficiency.
Abstract translation: 公开了一种具有渐变超晶格结构的电子阻挡层的半导体发光器件。 半导体发光器件包括： n型半导体层; p型半导体层; 位于n型半导体层和p型半导体层之间的有源层; 位于有源层和p型半导体层之间的电子阻挡层。 电子阻挡层具有超晶格结构，其中多个第一阻挡层和多个第二阻挡层依次布置，并且每个第二阻挡层与相邻的第一阻挡层相比具有相对窄的带隙。 多个第一阻挡层越靠近有源层越多，多个第一阻挡层越多，具有宽带隙并且由p型杂质浓度不同形成。 据此，本发明提供能够有效地阻挡电子并提高空穴注入效率的半导体发光器件。
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公开(公告)号：KR101280498B1
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020110039370
申请日：2011-04-27
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , B82B3/00
Abstract: 본 발명은 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서는, 기판; 상기 기판 상부에 형성된 제1전극; 상기 제1전극의 상부에 구비되고, 나노 구조를 가지며 감지 대상의 가스와 반응하여 전기전도도가 변화하는 금속산화물반도체로 이루어지고, 경사각 증착법을 통해 형성된 가스감지층; 다공성 구조를 가지며, 상기 금속산화물반도체의 상부에 형성된 제2전극; 및 상기 제1ㆍ제2전극을 통해 소정의 전류를 흘려 상기 가스감지층의 전기전도도를 측정함으로써 상기 가스를 감지하는 제어부;를 포함한다.
본 발명에 의하면, 제2전극이 감지 대상의 가스가 출입할 수 있도록 다공성 구조로 구비됨으로써, 가스와 반응하여 전기전도도가 변화하는 가스센서의 가스감지층을 경사각 증착법을 이용하여 나노 구조로 형성할 수 있고, 이에 따라 가스감지층의 제조가 용이해지며, 그 나노 구조의 형상도 가스와의 반응을 극대화할 수 있는 형상으로 자유롭게 형성할 수 있으므로, 나노 구조의 금속산화물반도체를 한 쌍의 전극 사이에 개재되는 가스감지층으로 활용하면서도 나노 구조의 금속산화물반도체가 갖는 가스와의 반응성 극대화 등의 장점을 그대로 살릴 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020130051202A
公开(公告)日：2013-05-20
申请号：KR1020110116419
申请日：2011-11-09
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L2224/14 , H01L2224/16245 , H01L33/50 , H01L33/0008 , H01L33/58 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A white light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to increase wall-plug efficiency by reducing the luminous flux of a blue LED for fluorescent white light. CONSTITUTION: A semiconductor light emitting structure includes an N-type semiconductor layer, a P-type semiconductor layer, and an active layer. The active layer is formed between the N-type semiconductor layer and the P-type semiconductor layer. An optical wavelength filter(700) is formed on a light emission surface. A wavelength conversion layer(800) is formed on the optical wavelength filter. The wavelength conversion layer generates a second electromagnetic wave with the maximum intensity in a second wavelength band.
Abstract translation: 目的：提供一种白色发光二极管及其制造方法，通过降低荧光白光的蓝色LED的光通量来提高壁插拔效率。 构成：半导体发光结构包括N型半导体层，P型半导体层和有源层。 有源层形成在N型半导体层和P型半导体层之间。 在光发射表面上形成光波长滤光器（700）。 波长转换层（800）形成在光波长滤波器上。 波长转换层在第二波长带中产生具有最大强度的第二电磁波。
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公开(公告)号：KR101903848B1
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：KR1020160084351
申请日：2016-07-04
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은유연성반도체필름및 그제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 본발명의일 실시예에따르면, 유연성금속필름, 상기유연성금속필름상에배치되며, 이차원층상재료를포함하는중간층, 및상기중간층상에배치되며, 에피택시얼성장으로이루어진반도체층을포함하는, 유연성반도체필름을제공한다.
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公开(公告)号：KR101874225B1
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：KR1020170001327
申请日：2017-01-04
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/007 , C23C16/18 , C23C16/342 , H01L33/02 , H01L2924/12041 , H01L2933/0033
Abstract: 본발명은질화물반도체물질의제조방법에관한것이다. 본발명은챔버내에기판을배치하는단계, 및챔버내에붕소및 질소를각각포함하는기상물질들을주입하고, 질소공극형성을위해설정된공정조건에따라화학반응을이용하여기판상에이차원층상구조의육방정질화붕소를형성하는단계를포함하는질화물반도체물질의제조방법을제공한다.
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